【技术实现步骤摘要】
本专利技术专利涉及一种用于
技术介绍
半导体照明产业在全球已经兴起,在国家中长期科技规划战略研讨会上,已将“新世纪照明工程”推荐为重大项目,发展半导体照明工程已经到了新时期。芯片键合技术是半导体光电子和电力电子领域的重要技术,它是通过两芯片之间添加某种粘合剂,随后通过化学或物理方法将其键合在一起,成为新衬底片。目前,现有的芯片键合工艺,芯片蒸发时采用背放式镀锅,边缘处由于被蒸镀盖板环遮挡,蒸发材料不能沉积在晶圆片边缘处,从而导致键合面积小、键合区产生空洞、存在夹层,键合后衬底片边缘有键合材料溢出,在后续加工工艺中出现键合层脱落、电压偏高、外观不良等异常,致使大量的晶粒损失、良品率低、 制造成本提高。
技术实现思路
针对上述缺点,本专利技术提出一种用于,该方法可以将待键合晶圆片的边缘处均蒸发有键合材料,晶圆片可以很好的键合在一起,增大芯片键合的面积,提高键合率。其原理是在待键合的晶圆片上蒸发键合材料时,镀膜镀锅采用正放式镀锅(如图1所示),将晶圆片放置在承载的垫片(如图2所示)上方,用弹簧夹将晶圆片固定(如图3所示),晶圆片边缘处完全裸露在蒸镀腔体中,在蒸发时,蒸发材料可以直接沉积在晶圆片的任何裸露部位。在键合时由于晶圆片边缘处均有键合材料,致使键合面积增大、键合率提高。本专利技术与现有技术相比,具有以下优点1、键合面积大。正放式镀锅蒸发时可以在晶圆片边缘处沉积上蒸发材料。提高芯片边缘处利用率、键合面积、键合率,以及有利于后续工艺的实施。2、工艺简单。在装片或蒸发过程中晶圆片表面不需要进行专门的表面结合键增强处理,不仅省时、省力,而且可节省大量化学药品及设备使 ...
【技术保护点】
1.一种增大芯片键合面积的方法,其特征在于:采用正放式的蒸镀锅将待键合的晶圆片放入其中进行键合材料的蒸发或沉积。随后将蒸发有键合材料的晶圆片放置于键合机中进行键合作业,将晶圆片/晶圆片(或晶圆片/硅片)键合在一起。
【技术特征摘要】
1.一种增大芯片键合面积的方法,其特征在于采用正放式的蒸镀锅将待键合的晶圆片放入其中进行键合材料的蒸发或沉积。随后将蒸发有键合材料的晶圆片放置于键合机中进行键合作业,将晶圆片/晶圆片(或晶圆片/硅片)键合在一起。2.根据权利要求1所...
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