本发明专利技术涉及陶瓷电子部件和制造陶瓷电子部件的方法。一种陶瓷电子部件，其包括第一电介质层、第二电介质层和中间层。所述第一电介质层为包含BaO、Nd2O3和TiO2的层，所述第二电介质层为包含与所述第一电介质层材料不同的材料的层，和所述中间层为形成于所述第一电介质层和所述第二电介质层之间并且含有不共同包含于所述第一电介质层和所述第二电介质层中的主组分作为主组分的层。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及。
技术介绍
近年来，随着在例如包括手机的移动通信器件、AV器件和电脑器件等的领域中产品的小型化和高性能化的发展，也要求用于这些器件的各种电子部件的小型化和高性能化。为了处理此类各种电子部件的小型化和高性能化，作为电子器件，目前在基板中具有导体(下文中，称为“内部导体”)如电极和配线的表面安装器件(SMD)成为主流。SMD具有印制电路板，在所述印制电路板上安装各部件如IC芯片和其它芯片部件。作为在SMD上安装的电子器件，使用通过同时煅烧多种具有不同材料特性的陶瓷组合物获得的层压陶瓷电子部件。层压陶瓷电子部件包括例如由磁性材料和介电材料的组合而组成的LC滤波器以及包含由高介电常数材料和低介电常数材料的组合而组成的电容器的电路基板(元件)。在LC滤波器的情况下，由具有低介电常数和高Q因子的陶瓷材料制成以提供高自谐振频率的感应器部和由具有优异的温度特性和高介电常数的材料制成的电容器部的组合产生具有高Q因子和优异的温度特性的LC元件。在包含于电路基板的电容器的情况下， 高介电常数材料和低介电常数材料的组合导致与仅由高介电常数材料制成的电容器相比降低的分布电容，以及与仅由低介电常数材料制成的电容器相比增加的电容。例如，作为通过将在微波带具有高相对介电常数和此外高Q因子的绝缘层与具有低相对介电常数的绝缘层同时煅烧和一体化而制作的电路基板，提供已知的层压陶瓷电子部件(例如，参见日本特开专利公布2001-284807)。作为通过将具有不同介电常数的层材料配置和一体化煅烧而制作的介质谐振器，提供另一已知的层压陶瓷电子部件(例如，参见日本特开专利公布61-212101和日本特开专利公布02-086188)。作为其中将组成比为第一生坯片和第二生坯片的组成比之间的中间值的第三玻璃陶瓷的玻璃陶瓷层设置于第一生坯片和第二生坯片之间并且第一生坯片、第二生坯片和第三生坯片具有相同组分的生坯片层压体，提供另一已知的层压陶瓷电子部件(例如，参见日本专利2739767)。然而，在通过同时煅烧不同材料以层压多种电介质层而形成的电子器件中，存在电介质层之间的粘合性可能不充分的问题，由此使得电介质层更容易剥离。因而，在包括通过层压多种电介质层而制作的陶瓷电子部件的电子器件中，期望开发对于待组合的电介质层材料不进行限制的陶瓷电子部件
技术实现思路
根据本专利技术一方面的陶瓷电子部件包括第一电介质层，所述第一电介质层包含 BaO, Nd2O3和TW2 ；第二电介质层，所述第二电介质层包含与第一电介质层不同的材料；和中间层，所述中间层设置于第一电介质层和第二电介质层之间并含有不共同包含于第一电介质层和第二电介质层中的主组分。根据本专利技术另一方面的制造陶瓷电子部件的方法包括以下步骤将包含Ba、Nd 和Ti的第一母料和至少包含SiO的第一添加剂混合以制备第一混合物；在800°C以上至 9500C以下的温度下在氧气氛中煅烧第一混合物以生产第一成品材料；将包含与第一母料不同的材料的第二母料和至少包含SiO的第二添加剂混合以制备第二混合物；在800°C以上至950°C以下的温度下在氧气氛中煅烧第二混合物以生产第二成品材料；在800°C以上至950°C以下的温度下在氧气氛中煅烧含有不共同包含于第一母料和第二母料的材料的中间材料以生产第三成品材料；将第一片体、第三片体和第二片体依次层压以形成片层压体， 因此第三片体层压在第一片体和第二片体之间，所述第一片体通过将包含第一成品材料的第一浆料成形为片形获得，所述第二片体通过将包含第二成品材料的第二浆料成形为片形获得，所述第三片体通过将包含中间材料的第三浆料成形为片形获得；以及烧结所述片层压体以生产层压烧结体。当结合附图考虑时，通过阅读本专利技术的目前优选实施方案的以下详细描述，将更好地理解本专利技术的上述和其它目的、特征、优点以及技术和工业意义。附图说明图1为示出根据本专利技术示例性实施方案的陶瓷电子部件构造的简化截面图；图2为示出根据本专利技术示例性实施方案的制造陶瓷电子部件方法的流程图；图3为示意性示出当将本实施方案中的陶瓷电子部件用作LC滤波器时的实施方案的概念图；图4为示意性示出包含于中间层中的组分的扩散状态的说明图；和图5为示出中间层在第一电介质层侧的区域和在第二电介质层侧的区域的简图。具体实施例方式以下将参考附图详细描述本专利技术。然而，本专利技术不限于以下实施方式(下文中，称为实施方案)来进行本专利技术。以下实施方案中的要素包括本领域熟练技术人员容易想到的那些要素和实质上相同的要素，所谓的等价物(equivalents)。此外，适当时可组合以下实施方案公开的要素。实施方案以下将参考附图描述本专利技术的陶瓷电子部件的实施方案。图1为示出根据本专利技术实施方案的陶瓷电子部件构造的简化截面图。如图1所示，本实施方案中的陶瓷电子部件10包括第一电介质层11、第二电介质层12和中间层13。第一电介质层11为包含BaO、 Nd2O3和TW2的层，第二电介质层12为包含与第一电介质层11的那些不同的材料的层，中间层13为形成于第一电介质层11和第二电介质层12之间的层并含有不共同包含于第一电介质层11和第二电介质层12中的主组分。第一电介质层第一电介质层11由主组分包含BaO、Nd2O3和TW2的层构成。主组分第一电介质层11的主组分至少包含BaO、Nd2O3和Ti02。所述主组分为例如 BaO-Nd2O3-TiO2 系或 Bi2O3-BaO-Nd2O3-TiO2 系电介质陶瓷。Ba0、Nd203 和 11 的含量不具体限定，可在需要时调整。对于BaO-Nd2O3-TiA系化合物，由下式(1)中的组成式表示且满足由以下关系式 (2)至关系式(5)表示的关系的化合物是优选的，其中在下式(1)和关系式(2)至(5)中的x、y和ζ以摩尔百分比计。xBaO · yNd203 · zTi02(1)6· 0 彡 χ 彡 23. 0(2)13. 0 ^ y ^ 30. 0(3)64. 0 彡 ζ 彡 68. 0(4)x+y+z = 100(5)当将交流电流施加至理想电介质陶瓷时，电流和电压通常具有90度的相位差。然而，如果将AC电流的频率增加至达到高频，则电介质陶瓷的电极化或极性分子的取向不能追随高频电场的变化或者由于电子或离子的传导导致电通量密度相对于电场具有相位延迟(相位差)，因此实际电流和电压具有90度以外的相位差。将其中由于此相位差导致高频能量的一部分转化为热并散发的现象称为诱电损耗(inductive dielectric loss)。介电损耗的大小由Q 因子表示。Q 因子随着介电损耗减小而增大，随着介电损耗增大而减小。表示介电损耗大小的Q-f因子为Q因子与共振频率f的乘积，所述Q因子为损耗角δ的正切tan δ的倒数，所述损耗角δ为实际电流和电压之间的相位差与理想电流和电压的相位差(90度)的差⑴=Ι/tan δ )。副组分第一电介质层11可进一步包含其副组分。包含于第一电介质层11的副组分包括锌氧化物(ZnO)、硼氧化物(B2O3)和铜氧化物(CuO)，但不限于这些。在包含于第一电介质层11的各上述副组分的情况下，可降低第一电介质层11的烧结温度。将由Ag系金属等组成的导电性材料用作陶瓷电子部件10的内部导体。通过借助于在第一电介质层1本文档来自技高网...
【技术保护点】
１．一种陶瓷电子部件，其包括：第一电介质层，所述第一电介质层包含ＢａＯ、Ｎｄ２Ｏ３和ＴｉＯ２；第二电介质层，所述第二电介质层包含与所述第一电介质层不同的材料；和中间层，所述中间层设置于所述第一电介质层和所述第二电介质层之间，并含有不共同包含于所述第一电介质层和所述第二电介质层中的主组分。
【技术特征摘要】
2010.03.31 JP 2010-0803871.一种陶瓷电子部件，其包括第一电介质层，所述第一电介质层包含BaO、Nd2O3和TiO2 ；第二电介质层，所述第二电介质层包含与所述第一电介质层不同的材料；和中间层，所述中间层设置于所述第一电介质层和所述第二电介质层之间，并含有不共同包含于所述第一电介质层和所述第二电介质层中的主组分。2.根据权利要求1所述的陶瓷电子部件，其中所述第一电介质层包含BaCKNd2O3和TW2 作为主组分，并包含氧化物作为副组分，和所述第二电介质层包含Mg2SiO4作为主组分，并包含氧化物和玻璃作为副组分。3.根据权利要求1所述的陶瓷电子部件，其中与在所述中间层和所述第二电介质层之间的边界部中相比，所述中间层在所述中间层和所述第一电介质层之间的边界部中以更高的比例含有不包含于所述第二电介质层中且仅包含于所述第一电介质层中的组分，和与在所述中间层和所述第一电介质层之间的边界部中相比，所述中间层在所述中间层和所述第二电介质层之间的边界部中以更高的比例含有不包含于所述第一电介质层中且仅包含于所述第二电介质层中的组分。4.根据权利要求1所述的陶瓷电子部件，其中所述中间层以从具有较高比例的包含于所述第一电介质层和所述第二电介质层的至少之一中的组分的电介质层侧朝向具有较低比例的所述组分的电介质层侧减少的比例含有包含于所述第一电介质层和所述第二电介质层的至少之一中的组分。5.根据权利要求4所述的陶瓷电子部件，其中...
【专利技术属性】
技术研发人员：樱井俊雄，小更恒，岚友宏，中野贵弘，宫内泰治，
申请(专利权)人：TDK株式会社，
类型：发明
国别省市：JP
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