一种GSM交叉耦合无源微波器件制造技术

技术编号:6877558 阅读:241 留言:0更新日期:2012-04-11 18:40
本实用新型专利技术公开了一种GSM交叉耦合无源微波器件,包括腔体(1)和设置在腔体(1)上方的盖板(4),所述腔体(1)中包括第一腔(a)、第二腔(b)和第三腔(c),在所述第二腔(b)和第三腔(c)零点的连接线处设有用于交叉耦合的跨线缺口(5)。本实用新型专利技术可提高工作效率及简化腔体(1)的结构,具有结构简单,易生产,性能稳定,成本低廉和一致性好等特点。(*该技术在2021年保护过期,可自由使用*)

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及的是一种微波器件,具体涉及的是一种GSM交叉耦合无源微波器件
技术介绍
现有的GSM交叉耦合无源微波器件,参见附图说明图1、图2和图3,包括腔体1和设置在腔体1上方的盖板4,腔体1中包括第一腔a、第二腔b和第三腔c,第二腔b和第三腔c零点的连接线处开有跨线槽2,在盖板4上安装有跨线卡3,跨线卡3设置在跨线槽2的正上方, 且跨线卡3可上下运动,在跨线卡3上安装有交叉电感耦合。交叉电感耦合用于调节客户所要求指标中的零点的位置,但装配交叉电感耦合需要花去大量的时间,且产品装配后同样需要花去大量的时间去调节交叉电感耦合的强弱,因此浪费了大量的时间和精力,降低了工作效率。
技术实现思路
针对现有技术上存在的不足,本技术目的是在于提供一种可提高工作效率的 GSM交叉耦合无源微波器件,具有结构简单,易生产,性能稳定,成本低廉和一致性好等特点ο为了实现上述目的,本技术是通过如下的技术方案来实现本技术包括腔体和设置在腔体上方的盖板,腔体中包括第一腔、第二腔和第三腔,在第二腔和第三腔零点的连接线处设有用于交叉耦合的跨线缺口。跨线缺口大小深度决定交叉耦合的强弱。上述盖板上安装有调节螺栓,调节螺栓设置在跨线缺口的正上方。现有的电感交叉耦合应用中跨线槽大小深度决定跨线卡的位置深浅,本技术交叉耦合应用中跨线缺口大小深度决定调节螺栓的深浅,理论仿真完美时调节螺栓不需要深入腔体内部,但交叉电感耦合无论仿真是否完美,都需要跨线卡。本技术具有以下有益效果(1)腔体不需要再打孔,简化了装配结构;(2)调试时,无需再调节电感交叉耦合的强弱来达到客户所要求指标中的零点的位置;C3)产品性能不会因为交叉电感耦合的膨胀系数变化而影响腔体本身的性能指标;(4)外形美观;( 具有较强的实用性能。以下结合附图和具体实施方式来详细说明本技术;图1为本技术的现有技术主视图;图2为图1的俯视图;图3为图1除去盖板后的俯视图;图4为本技术的主视图;图5为图4的俯视图;图6为图4除去盖板后的俯视图。具体实施方式为使本技术实现的技术手段、创作特征、达成目的与功效易于明白了解,下面结合具体实施方式,进一步阐述本技术。参见图4 图6,本技术包括腔体1和安装在腔体1上方的盖板4,腔体1中包括第一腔a、第二腔b和第三腔c,在第二腔b和第三腔c零点的连接线处设有用于交叉耦合的跨线缺口 5。跨线缺口 5的大小深度理论由实际要求种实际频段,所要求零点的多少及强弱,得出仿真耦合系数决定的,跨线缺口大小深度决定交叉耦合的强弱。在盖板4上安装有调节螺栓6,调节螺栓6设置在跨线缺口 5的正上方。现有的电感交叉耦合应用中跨线槽2大小深度决定跨线卡3的位置深浅,本技术交叉耦合应用中跨线缺口 5大小深度决定调节螺栓6的深浅,理论仿真完美时调节螺栓6不需要深入腔体1的内部,但交叉电感耦合无论仿真是否完美,都需要跨线卡3。本技术结构新颖,优化了无源微波器件的装配及调试时间,提高了工作效率, 简化了腔体1的结构,同时,使得腔体1工作生产的工作效率达到了进一步的升级。本技术由现有使用在GSM无源微波器件上的由铜线组成的交叉电感耦合替换成了直接在腔体1上开跨线缺口 5的交叉耦合方式,其具有结构简单,易生产,性能稳定, 成本低廉和一致性好等特点,并且此交叉耦合方式完全不影响GSM交叉耦合无源微波器件的性能指标。本技术的GSM交叉耦合无源微波器件具体做法是(a)由实际要求中实际频段,得出相对带宽,然后根据1/4波长计算出腔体1大小;(b)根据客户所要求指标中零点的多少,强弱,算出仿真耦合系数;(c)再根据腔体1中固有频率来得出腔体1内部结构;(d)采用直接在腔体1上开跨线缺口 5的交叉耦合方式来代替现有的交叉耦合方式;(e)根据前面各个步骤来完成本技术的设计。本技术与现有技术相比,有以下几个优点(1)腔体1不需要再打孔,简化了装配结构;(2)调试时,无需再调节电感交叉耦合的强弱来达到客户所要求指标中的零点的位置;(3)产品性能不会因为交叉电感耦合的膨胀系数变化而影响腔体1本身的性能指标;(4)外形美观;(5)具有较强的实用性能。以上显示和描述了本技术的基本原理和主要特征和本技术的优点。本行业的技术人员应该了解,本技术不受上述实施例的限制,上述实施例和说明书中描述的只是说明本技术的原理,在不脱离本技术精神和范围的前提下,本技术还4会有各种变化和改进,这些变化和改进都落入要求保护的本技术范围内。本技术要求保护范围由所附的权利要求书及其等效物界定。权利要求1.一种GSM交叉耦合无源微波器件,包括腔体(1)和设置在腔体(1)上方的盖板G), 所述腔体⑴中包括第一腔(a)、第二腔(b)和第三腔(c),其特征在于,在所述第二腔(b) 和第三腔(c)零点的连接线处设有用于交叉耦合的跨线缺口(5)。2.根据权利要求1所述的GSM交叉耦合无源微波器件,其特征在于,所述盖板(4)上安装有调节螺栓(6),所述调节螺栓(6)设置在跨线缺口( 的正上方。专利摘要本技术公开了一种GSM交叉耦合无源微波器件,包括腔体(1)和设置在腔体(1)上方的盖板(4),所述腔体(1)中包括第一腔(a)、第二腔(b)和第三腔(c),在所述第二腔(b)和第三腔(c)零点的连接线处设有用于交叉耦合的跨线缺口(5)。本技术可提高工作效率及简化腔体(1)的结构,具有结构简单,易生产,性能稳定,成本低廉和一致性好等特点。文档编号H01P1/20GK202050039SQ20112005879公开日2011年11月23日 申请日期2011年3月8日 优先权日2011年3月8日专利技术者武帆, 胡学东 申请人:南京东恒电子科技有限公司本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种GSM交叉耦合无源微波器件,包括腔体(1)和设置在腔体(1)上方的盖板(4),所述腔体(1)中包括第一腔(a)、第二腔(b)和第三腔(c),其特征在于,在所述第二腔(b)和第三腔(c)零点的连接线处设有用于交叉耦合的跨线缺口(5)。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员:胡学东武帆
申请(专利权)人:南京东恒电子科技有限公司
类型:实用新型
国别省市:84

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