像素结构制造技术

本发明专利技术提供一种像素结构，该像素结构包括一扫描线、一第一数据线、一第二数据线、一第一有源元件、一第二有源元件、一第一像素电极、一第二像素电极以及一共用电极。第一数据线与第二数据线分别相交于扫描线。第一像素电极通过第一有源元件电性连接第一数据线。第二像素电极通过第二有源元件电性连接第二数据线。第一像素电极以及第二像素电极位于第一数据线以及第二数据线之间。共用电极配置于第一像素电极与基板以及第二像素电极下方。第一像素电极的一第一电压以及第二像素电极的一第二电压皆不等于共用电极的一第三电压。本发明专利技术的像素结构可以提供较大的驱动电场以及具有较大的存储电容。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种像素结构，且特别涉及一种可有效驱动蓝相液晶分子的像素结构。
技术介绍
随着显示科技的蓬勃发展，消费大众对于显示器显像品质的要求越来越高。消费大众除了对显示器之解析度(resolution)、对比(contrast ratio)、视角(viewing angle)、灰阶反转(grey level inversion)、色饱禾口度(color saturation)有所要求夕卜，对显示器之反应时间(response time)之要求也日渐提高。为了因应消费大众之需求，显示器相关业者纷纷投入具有快速应答特性之蓝相 (blue phase)液晶显示器的开发。以正型蓝相(blue phase)液晶材料为例，其需要一横向电场来进行操作以使其具有光阀之功能。目前已经有人采用共面转换IPSan-Plane Switching)显示面板或是边缘电场切换FFS (Fringe Field Switching)显示面板之电极设计来驱动蓝相(blue phase)液晶显示器中的正型蓝相液晶分子。蓝相液晶分子具有较高的介电系数，因而需要以较大的存储电容来维持显示画面的品质。一般而言，存储电容多以金属导线作为电容下电极，所以增加存储电容势必意味着增加金属导线的配置面积而限制了显示开口率。所以，要如何兼具存储电容以及显示开口率的大小实为当前的一大课题。
技术实现思路
本专利技术提供一种像素结构，可具有理想的存储电容以及增强的驱动电场。本专利技术提出一种像素结构，配置于一基板上，用以驱动一显示介质。像素结构包括一扫描线、一第一数据线、一第二数据线、一第一有源元件、一第二有源元件、一第一像素电极、一第二像素电极以及一共用电极。第一数据线与第二数据线分别相交于扫描线。第一有源元件电性连接第一数据线。第二有源元件电性连接第二数据线。第一像素电极电性连接于第一有源元件。第二像素电极电性连接于第二有源元件。第一像素电极以及第二像素电极位于第一数据线以及第二数据线之间。共用电极配置于第一像素电极与基板之间且配置于第二像素电极与基板之间。第一像素电极的一第一电压以及第二像素电极的一第二电压皆不等于共用电极的一第三电压。基于上述，本专利技术利用交错配置的第一像素电极与第二像素电极来构成驱动显示介质所需的驱动电场。因此，驱动电场的大小可以是驱动晶片能够承受之最大压差，而有助于增强驱动电场的大小。另外，本专利技术在第一像素电极与第二像素电极下方利用透明导电材料形成共用电极以使存储电容增大而有助于维持像素结构的显示品质。为让本专利技术之上述特征和优点能更明显易懂，下文特举实施例，并配合附图作详细说明如下。附图说明图1示出为本专利技术第一实施例的像素结构的上视示意图。图2A至图2F为本专利技术第二实施例的的像素结构的制作流程。图3示出为图2F的像素结构沿剖线A-A’的剖面结构。图4A至图4F为本专利技术第三实施例的的像素结构的制作流程。图5示出为图4F的像素结构沿剖线B-B，的一种剖面结构。图6A至图6F为本专利技术第四实施例的的像素结构的制作流程。图7示出为图6F的像素结构沿剖线C-C’的一种剖面结构。其中，附图标记说明如下10:基板100、100A 100D 像素结构110:扫描线120 第一数据线130:第二数据线140 第一有源元件150 第二有源元件160:第一像素电极162 第一条状部164 第一纵向连接部166A、166B 第一横向连接部170:第二像素电极172 第二条状部174 第二纵向连接部176:第二横向连接部180:共用电极190 共用线A-A，、B-B，、C-C，剖线C1、C2:沟道层D1、D2:漏极G1、G2:栅极I、II:配向区域II、12、13:绝缘层S1、S2:源极THl TH5:接触窗具体实施例方式图1示出为本专利技术第一实施例的像素结构的上视示意图。请参照图1，像素结构 100包括一扫描线110、一第一数据线120、一第二数据线130、一第一有源元件140、一第二有源元件150、一第一像素电极160、一第二像素电极170以及一共用电极180。第一数据线120与第二数据线130分别相交于扫描线110。第一有源元件140电性连接第一数据线 120。第二有源元件150电性连接第二数据线130。第一像素电极160电性连接于第一有源元件140。第二像素电极170电性连接于第二有源元件150。第一像素电极160以及第二像素电极170位于第一数据线120以及第二数据线130之间。共用电极180配置于第一像素电极160以及第二像素电极170下方。具体而言，像素结构100例如是应用于一显示面板(未示出)中以驱动一显示介质(未示出)。并且，像素结构100进行显示时，第一像素电极160的一第一电压以及第二像素电极170的一第二电压皆不等于共用电极180的一第三电压。在本实施例中，第一像素电极160的第一电压以及第二像素电极170的第二电压用以驱动显示介质(未示出)。 也就是说，显示介质(未示出)的驱动电场实质上等于第一电压与第二电压之差。值得一提的是，第一像素电极160与第二像素电极170在本实施例中分别连接至第一数据线120以及第二数据线130。因此，第一电压与第二电压可以由同一驱动晶片所输出。此时，仅需调整第一电压与第二电压的相对大小就可以实现驱动电场的正负极性交替。并且，第一电压与第二电压之最大差值，也即像素结构100所能提供之最大驱动电场， 可以是驱动晶片所能承受之最大压差。当驱动晶片所能承受之最大压差为10伏特时，第一电压与第二电压的最大差值，也即像素结构100所能提供之最大驱动电场，可以高达10伏特。当然，驱动晶片所能承受之最大压差大于10伏特时，像素结构100所能提供之驱动电场可以大于10伏特。相较于之下，公知的像素结构中利用驱动晶片输出给像素电极的电压与预定的共用电压之间的差值来形成显示介质的驱动电场。此时，因为共用电压为定值的关系，若为了实现驱动电场的正负极性交替，公知的像素结构所能提供的最大驱动电场仅约驱动晶片所能承受之最大压差的一半。举例而言，当驱动晶片所能承受之电压范围为0-10伏特，而共用电压设定为5伏特时，公知像素结构所能提供之最大驱动电场仅约5伏特，其为本实施例的像素结构100所能提供之最大驱动电场的一半。在一实施例中，当设计者使用介电系数较大的材料作为显示介质(例如蓝相液晶材料)时，往往需要较大的驱动电场(例如10伏特或是以上)。此时，设计者若使用公知像素结构，往往会面临到目前所使用的驱动晶片无法提供足够的驱动电场的问题。因此，设计者需要购买或是设计新的驱动晶片以实现较大的驱动电场。不过，设计者若采用本实施例的像素结构100，则不需更换驱动晶片就可以提供足够的驱动电场。由此可知，在本实施例的设计下，像素结构100所能提供的驱动电场大小可以随不同的需求而有所调整。因此，本实施例的像素结构100可在不改变驱动晶片的规格下，驱动各种不同的显示介质，而有助于降低购买或是设计驱动晶片所需的成本。除此之外，在本实施例中，共用电极180例如由矩形的电极图案所构成，其位在第一像素电极160与第二像素电极170下方。并且，共用电极180的第三电压不同于第一电压或是第二电压。在一实施例中，第三电压可以介于第一电压与第二电压之间，或是第三电本文档来自技高网...

【技术保护点】
１．一种像素结构，配置于一基板上，用以驱动一显示介质，该像素结构包括：一扫描线；一第一数据线，与该扫描线相交；一第二数据线，与该扫描线相交；一第一有源元件，电性连接该第一数据线；一第二有源元件，电性连接该第二数据线；一第一像素电极，电性连接于该第一有源元件；一第二像素电极，电性连接于该第二有源元件，该第一像素电极以及该第二像素电极位于该第一数据线以及该第二数据线之间；以及一共用电极，配置于该第一像素电极与该基板之间且配置于该第二像素电极与该基板之间，其中该第一像素电极的一第一电压以及该第二像素电极的一第二电压皆不等于该共用电极的一第三电压。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：庄咏然，林敬桓，刘竹育，
申请(专利权)人：友达光电股份有限公司，
类型：发明
国别省市：71