【技术实现步骤摘要】
本技术涉及一 种石墨坩埚，特别是一种石墨双悬浮坩埚。
技术介绍
从丘克拉斯基法(直拉法)生长锗晶体以来，在所使用的石墨坩埚上发生了一系列演变。从单坩埚，双坩埚，悬浮坩埚，使用这些坩埚存在的一些缺点是明显的。
技术实现思路
为了解决现有技术中存在的缺陷，本技术采用如下技术方案一种石墨坩埚，它包括单坩埚、外浮埚、内浮埚，所述外浮埚置于所述单坩埚内，所述内浮埚置于所述外浮埚内，所述外浮埚为石墨浮动套筒，外浮埚也可以装料。本专利技术创造的有益效果在晶体生长时，两只浮埚可以随着熔体液面的高度而同步变化，因此，两只浮埚的高度差在晶体生长过程中始终保持不变，有利于晶体生长时的结晶潜热的散发，使热场的稳定性大为提高，双悬浮坩埚集中了多种类型坩埚的优点，便于控制晶体的生长。1)已经完全解决了在氩气氛中生长长晶体和超长晶体产生晶体棱线变宽的问题；2)在晶体生长时，减少了电阻率不均勻性和小角晶界；3)每段单晶上下端面位错< 200/cm2已达90%左右。附图说明图1为本技术单坩埚结构示意图；图2为本技术外浮埚结构示意图；图3为本技术外浮埚另一结构示意图；图4为本技术内浮埚结构示意图。具体实施方式以下结合附图通过具体实施例对本技术技术方案做进一步的说明。石墨坩埚由一只单坩埚，外浮埚(石墨浮动套筒)，内浮埚构成，当单坩埚半径R 很大时，内浮埚R比较小时，则单坩埚壁对晶体生长的影响就可以忽略不计。外浮埚和内浮埚的高度之差在晶体生长过程中始终保持不变，因此大大提高了晶体生长过程中的热稳定性，有利于结晶潜热的散发，生长出令人满意的晶体。在通常情况下，在晶体生长过程中，坩埚中液面位置...
【技术保护点】
１．一种石墨坩埚，其特征在于，它包括单坩埚、外浮埚、内浮埚，所述外浮埚置于所述单坩埚内，所述内浮埚置于所述外浮埚内，所述外浮埚为石墨浮动套筒。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：彭轩，
申请(专利权)人：湖南省长宇新型炭材料有限公司，
类型：实用新型
国别省市：43
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