TFT-LCD阵列基板及其制造方法技术

本发明专利技术涉及一种TFT-LCD阵列基板及其制造方法，其中阵列基板包括栅线、数据线和公共电极线，所述栅线和数据线限定的子像素区域内形成有像素电极和第一薄膜晶体管，还包括第一测试线、第二测试线和第二薄膜晶体管，所述第二薄膜晶体管与所述第二测试线连接；所述第二薄膜晶体管的源极与所述第一测试线连接，所述第二薄膜晶体管的漏极与所述公共电极线连接；各条公共电极线分别与各个测试电极连接。本发明专利技术提供的阵列基板及其制造方法，既能够保证TFT-LCD基板的正常使用，又能够通过调节某些公共电极线来达到局部测试的目的。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及液晶显示器技术，尤其涉及一种薄膜晶体管液晶显示器(ThinFilm Transistor Liquid Crystal Display，简称 TFT-LCD)阵列基板及其制造方法。
技术介绍
TFT-LCD由阵列基板和彩膜基板对盒形成，具有体积小、功耗低、无辐射等特点，在当前平板显示器市场占据了主导地位。如图16所示为现有技术的TFT-LCD阵列基板的局部俯视结构示意图，该阵列基板包括栅线2a、公共电极线6b和数据线6a，栅线加和数据线6a限定了一个子像素区域，并在交叉处形成第一薄膜晶体管，该第一薄膜晶体管包括与栅线加连接的栅极2b、源极6d和漏极6e，源极6d与数据线6a连接，漏极6e与像素电极8c通过过孔7d连接，公共电极线 6b与像素电极8c之间形成存储电容，该存储电容使得施加在像素电极8c上的电信号可以保持一段时间，以达到显示目的。在现有技术中，各条公共电极线通常是连通的，在测试时，阵列基板上各条公共电极线上的公共电压都是相同的，无法调节某些公共电极线来达到局部测试目的。
技术实现思路
本专利技术的目的在于针对现有技术中存在的问题，提供一种TFT-LCD阵列基板及其制造方法，能够调节某些公共电极线来达到局部测试目的。为了实现上述目的，本专利技术提供了一种TFT-IXD阵列基板，包括栅线、数据线和公共电极线，所述栅线和数据线限定的子像素区域内形成有像素电极和第一薄膜晶体管，还包括第一测试线、第二测试线和第二薄膜晶体管，所述第二薄膜晶体管与所述第二测试线连接；所述第二薄膜晶体管的源极与所述第一测试线连接，所述第二薄膜晶体管的漏极与所述公共电极线连接；各条公共电极线分别与各个测试电极连接。本专利技术还提供了一种TFT-IXD阵列基板制造方法，包括步骤1、在基板上形成包括栅线、数据线、公共电极线、第一测试线、第二测试线、第一薄膜晶体管的源极和漏极、第一薄膜晶体管的沟道、第二薄膜晶体管的源极和漏极以及第二薄膜晶体管的沟道的图形；所述第二薄膜晶体管与所述第二测试线连接；所述第一薄膜晶体管形成在所述栅线和数据线限定的子像素区域内；步骤2、在完成步骤1的基板上形成钝化层，通过构图工艺形成包括第一测试线上方的第一连接过孔、第二薄膜晶体管的源极上方的第二连接过孔以及公共电极线上方的测试过孔的图形；步骤3、在完成步骤2的基板上形成透明导电薄膜，通过构图工艺，形成包括第一连接电极和测试电极的图形，所述第一测试线通过第一连接过孔与第一连接电极连接，第二薄膜晶体管的源极通过第二连接过孔与所述第一连接电极连接，所述测试电极通过所述测试过孔与所述公共电极线连接。本专利技术提供的TFT-IXD阵列基板及其制造方法，包括与公共电极线连接的各个第二薄膜晶体管，第二测试线上施加电压可以使各个第二薄膜晶体管导通，从而能够将第一测试线上的电压施加到各个公共电极线上。如果需要单独测试某条公共电极线，则可以不向第二测试线上施加电压，使得各个第二薄膜晶体管截止，而是通过测试电极单独向某条公共电极线施加电压。本专利技术提供的TFT-LCD阵列基板，既能够保证TFT-LCD基板的正常使用，又能够通过调节某些公共电极线来达到局部测试的目的。附图说明图Ia为本专利技术TFT-LCD阵列基板第一实施例的局部俯视结构示意图；图Ib为图Ia中沿A4-A4线的侧视剖切结构示意图；图Ic所示为本专利技术TFT-LCD阵列基板第一实施例公共电极线和数据线的局部俯视结构示意图；图Id为图Ic中沿D4-D4线的侧视剖切结构示意图；图加为本专利技术TFT-IXD阵列基板第一实施例第一次构图工艺后的局部俯视结构示意图；图2b为图加中沿Al-Al线的侧视剖切结构示意图；图3a为本专利技术TFT-IXD阵列基板第一实施例第二次构图工艺后的局部俯视结构示意图；图北为图3a中沿A2-A2线的侧视剖切结构示意图；图3c为图本专利技术TFT-IXD阵列基板第一实施例第二次构图工艺后形成的公共电极线条的局部俯视结构示意图；图3d为图3c中沿D2-D2线的侧视剖切结构示意图；图如为本专利技术TFT-IXD阵列基板第一实施例第三次构图工艺后的局部俯视结构示意图；图4b为图如中沿A3-A3线的侧视剖切结构示意图；图如为图本专利技术TFT-IXD阵列基板第一实施例第三次构图工艺后形成的公共电极线条的局部俯视结构示意图；图4d为图如中沿D3-D3线的侧视剖切结构示意图；图fe为本专利技术TFT-LCD阵列基板第二实施例的局部俯视结构示意图；图恥为图fe中沿B4-B4线的侧视剖切结构示意图；图6a为本专利技术TFT-IXD阵列基板第二实施例第一次构图工艺后的局部俯视结构示意图；图6b为图6a中沿B1-B1线的侧视剖切结构示意图；图7a为本专利技术TFT-IXD阵列基板第二实施例第二次构图工艺后的局部俯视结构示意图；图7b为图7a中沿B2-B2线的侧视剖切结构示意图；图fe为本专利技术TFT-IXD阵列基板第二实施例第三次构图工艺后的局部俯视结构示意图；图8b为图8a中沿B3-B3线的侧视剖切结构示意图9a为本专利技术TFT-LCD阵列基板第三实施例的局部俯视结构示意图；图％为图9a中沿C4-C4线的侧视剖切结构示意图；图10所示为本专利技术TFT-IXD阵列基板制造方法的流程图；图11所示为本专利技术TFT-IXD阵列基板制造方法第一实施例的流程图；图12所示为本专利技术TFT-IXD阵列基板制造方法第二实施例的流程图；图13所示为本专利技术TFT-IXD阵列基板制造方法第三实施例的流程图；图14所示为本专利技术TFT-LCD阵列基板制造方法第四实施例的流程图；图15所示为本专利技术TFT-IXD阵列基板制造方法第五实施例的流程图；图16所示为现有技术的TFT-IXD阵列基板的局部俯视结构示意图。具体实施例方式如图Ia为本专利技术TFT-IXD阵列基板第一实施例的局部俯视结构示意图，图Ib为图Ia中沿A4-A4线的侧视剖切结构示意图。该阵列基板包括栅线、数据线和公共电极线， 栅线和数据线限定的子像素区域内形成有像素电极和第一薄膜晶体管。栅线、数据线以及子像素区域内的第一薄膜晶体管的结构，可以如图16所示，在图Ia中没有示出。该阵列基板还包括第一测试线6c、第二测试线2c和第二薄膜晶体管，第二薄膜晶体管与第二测试线 2c连接。第二薄膜晶体管的源极6f与第一测试线6c连接，第二薄膜晶体管的漏极6g与公共电极线6b连接。各条公共电极线6b分别与各个测试电极8a连接。具体地，第一测试线6c上方形成有第一连接过孔7a，第二薄膜晶体管的源极6f上方形成有第二连接过孔7b，第二薄膜晶体管的源极6f通过第二连接过孔7b与第一连接电极8b连接，第一测试线6c通过第一连接过孔7a与第一连接电极8b连接。本专利技术各实施例中，第一测试线6c、第二测试线2c和第二薄膜晶体管可以设置在阵列基板上子像素区域之外的边缘位置。在第一实施例中，第二薄膜晶体管可以形成在第二测试线的上方，第二测试线2c 构成第二薄膜晶体管的栅极。在第一实施例中，公共电极线6b是和数据线在同一次构图工艺中形成的。而公共电极线6b和数据线不能连通，所以，第一实施例中的公共电极线6b的结构与通常的公共电极线的结构不同。如图Ic所示为本专利技术TFT-LCD阵列基板第一实施例公共电极线和数据线的局部俯视结构示意图。图Id为图Ic中沿D4本文档来自技高网...

【技术保护点】
１．一种ＴＦＴ－ＬＣＤ阵列基板，其特征在于，包括栅线、数据线和公共电极线，所述栅线和数据线限定的子像素区域内形成有像素电极和第一薄膜晶体管，还包括第一测试线、第二测试线和第二薄膜晶体管，所述第二薄膜晶体管与所述第二测试线连接；所述第二薄膜晶体管的源极与所述第一测试线连接，所述第二薄膜晶体管的漏极与所述公共电极线连接；各条公共电极线分别与各个测试电极连接。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：张弥，
申请(专利权)人：北京京东方光电科技有限公司，
类型：发明
国别省市：11