一种双管并联PFC电路制造技术

本实用新型专利技术涉及电源领域，特别是一种双管并联PFC电路。该双管并联PFC电路包括控制芯片，第一开关管，第二开关管，第一NMOS管，第二NMOS管以及反向并联的两个二极管，第一开关管和第二开关管与控制芯片相连，在控制芯片控制下输出方波信号至第一NMOS管和第二NMOS管的栅极；第一NMOS管和第二NMOS管的栅极通过反向并联的两个二极管相连；第一NMOS管和第二NMOS管的源极接地；第一NMOS管和第二NMOS管的漏极作为电路输出端。在短路第一NMOS管的栅极和源极时或短路第二NMOS管的栅极和源极时，另一NMOS管由于反向并联的两个二极管钳位，一直导通而无法正常工作，解决了单管工作温度过高的问题。（*该技术在2021年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及电源领域，特别是一种双管并联PFC电路。
技术介绍
目前，电视机使用的大功率PFC(Power Factor Control，功率因数控制)电路中， 单MOSFET的PFC升压驱动功率有限，无法满足大功率的需求，这就需要用双MOSFET来驱动，提高输出功率。如图1所示，是现有技术双MOS管驱动的PFC电路图。该PFC电路包括电源端Vcc， PNP三极管Ql，，NPN三极管Q2，以及两个MOS管Wl和W2。NPN三极管Q2，的集电极连接至电源端Vcc，基极连接至外部芯片的控制引脚，接收外部芯片的控制信号，发射极分别连接PNP三极管Ql，的发射极以及MOS管Wl和W2的G极；PNP三极管Ql，的基极与NPN三极管Q2’的基极连接至同一外部控制芯片的控制引脚，从而与NPN三极管Q2’同时接收相同的控制信号，PNP三极管Q1’的集电极接地。这样，PNP三极管Ql’，NPN三极管Q2’在外部芯片控制下处于交替导通状态，从而输出驱动方波至MOS管Wl和W2，驱动两个MOS管同时处于导通和截止状态。在利用上述双MOS管驱动的PFC电路做短路故障实验时，将MOS管Wl或MOS管W2 中的G极与S极短接，使单颗MOS管失去驱动能力，而另一个MOS管仍正常工作，该PFC电路则由一颗MOS管提供整个电路所需功率，这就导致工作的单颗MOS管温度过高，容易烧毁整个电路，无法满足安规要求。
技术实现思路
本技术的目的在于提供一种双管并联PFC电路，旨在解决现有技术中单颗 MOS管工作时，温度过高，容易烧毁整个电路的问题。本专利技术是这样实现的，一种双管并联PFC电路，该电路包括控制芯片，第一开关管，第二开关管，第一 NMOS管，第二 NMOS管以及反向并联的两个二极管，第一开关管和第二开关管与控制芯片相连，在控制芯片控制下输出方波信号至第一 NMOS管和第二 NMOS管的栅极；第一 NMOS管和第二 NMOS管的栅极通过反向并联的两个二极管相连；第一 NMOS管和第二 NMOS管的源极接地；第一 NMOS管和第二 NMOS管的漏极作为电路输出端。该反向并联的两个二极管包括第一二极管和第二二极管，第一二极管负极连接至第二二极管正极；第一二极管正极连接至第二二极管负极。该电路还包括第三电阻，该第一 NMOS管和第二 NMOS管的源极通过该第三电阻接地。该电路中，第一开关管是PNP三极管，该第二开关管是NPN三极管。该PFC电路还包括电源端，该控制芯片包括输出控制信号的控制引脚，该控制引脚连接至该PNP三极管和该NPN三极管的基极；该NPN三极管的集电极连接至电源端，其发射极与该PNP三极管的发射极相连；该PNP三极管的集电极接地。该电路还包括第一电阻和第二电阻，该NPN三极管的集电极通过第一电阻连接至电源端；该控制引脚通过该第二电阻连接至该PNP三极管和该NPN三极管的基极。该电路还包括第六电阻，第七电阻以及第三二极管，该第一 NMOS管的栅极经依次串联的第七电阻和第六电阻连接至该PNP三极管和该NPN三极管的发射极，该第七电阻与该第三二极管并联，该第三二极管正极与该第一 NMOS管栅极相连。该电路还包括第四电阻，第五电阻以及第四二极管，该第二 NMOS管的栅极经依次串联的第五电阻和第四电阻连接至该PNP三极管和该NPN三极管的发射极；该第五电阻与该第四二极管并联，该第四二极管正极与该第二 NMOS管栅极相连。在短路第一 NMOS管的栅极和源极时或短路第二 NMOS管的栅极和源极时，另一 NMOS管通过第一二极管Dl和第四二极管D2的钳位，一直导通而无法正常工作，避免了单管工作温度过高易烧毁电路的问题。附图说明图1是现有技术双MOS管驱动的PFC电路图；图2是本技术双管并联PFC电路的电路图。具体实施方式为了使本技术的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图及实施例，对本技术进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅用以解释本技术，并不用于限定本技术。如图2所示，是本技术双管并联PFC电路的电路图。该电路包括电源端PFC_ Vcc，控制芯片U1，第一电阻R5，第二电阻R6，第三电阻R10，第四电阻R8，第五电阻R9，第六电阻R11，第七电阻R12，第一三极管Q1，第二三极管Q2，第一二极管D1，第二二极管D2，第三二极管D3和第四二极管D4，第一 NMOS管QWl，第二 NMOS管QW2 ；其中，该第一三极管Ql是PNP三极管；第二三极管Q2是NPN三极管。控制芯片Ul包括一控制引脚DRV，该控制引脚DRV通过该第二电阻R6连接至该第一三极管Ql和第二三极管Q2的基极，向该第一三极管Ql和第二三极管Q2输出控制信号； 第二三极管Q2的集电极通过该第一电阻R5连接至电源端PFC_Vcc，其发射极与该第一三极管Ql的发射极相连；该第一三极管Ql的集电极接地。该第一 NMOS管QWl的栅极经依次串联的第七电阻R12和第六电阻Rll连接至第二三极管Q2和该第一三极管Ql的发射极；其中，该第七电阻R12与该第三二极管D3并联， 该第三二极管D3正极与该第一 NMOS管QWl栅极相连；该第一 NMOS管QWl的源极经第三电阻RlO接地，漏极作为输出端。该第二NMOS管QW2的栅极经依次串联的第五电阻R9和第四电阻R8连接至第二三极管Q2和该第一三极管Ql的发射极；其中，该第五电阻R9与该第四二极管D4并联，该第四二极管D4正极与该第二 NMOS管QW2栅极相连；该第二 NMOS管QW2的源极经第三电阻 RlO接地，漏极作为输出端。该第一二极管Dl和第二二极管D2反向并联连接，即该第一二极管Dl正极和第二二极管D2负极相连，该第一二极管Dl负极和第二二极管D2正极相连。该第一 NMOS管QWl的栅极和该第二 NMOS管QW2的栅极通过反向并联的第一二极管Dl和第二二极管D2相连。当控制芯片Ul通过控制引脚DRV输出高电平控制信号至该第一三极管Ql和该第二三极管Q2时，第二三极管Q2导通，而第一三极管Ql截止，电源端PFC-Vcc通过该第二三极管Q2输出高电平至该第一 NMOS管QWl的栅极和该第二 NMOS管QW2的栅极；当控制芯片 Ul通过控制引脚DRV输出低电平控制信号至第二三极管Q2和该第一三极管Ql时，第二三极管Q2截止，而第一三极管Ql导通，第二三极管Q2和该第一三极管Ql的发射极输出低电平至该第一 NMOS管QWl的栅极和该第二 NMOS管QW2的栅极。这样，第二三极管Q2和该第一三极管Ql在控制芯片Ul控制下输出方波至第一 NMOS管QWl的栅极和该第二 NMOS管 QW2的栅极。高电平情况下，第一 NMOS管QWl和该第二 NMOS管QW2截至；低电平情况下， 第一 NMOS管QWl和该第二 NMOS管QW2导通，从而完成功率因数控制。在做短路故障实验时，短路第一 NMOS管QWl的栅极和源极，第二 NMOS管QW2虽然由控制芯片通过控制引脚DRV输出控制进行驱动，但是通过第一二极管Dl和第二二极管D2 的钳位，使第二 NMOS管QW2的栅极电压低于0. 6V，由此，第二 NMOS管QW2 —直处于导通状态，从而失去驱动能力，无法正常工作。这样，避免了第一 NM本文档来自技高网...

【技术保护点】
１．一种双管并联ＰＦＣ电路，其特征在于，该电路包括控制芯片，第一开关管，第二开关管，第一ＮＭＯＳ管，第二ＮＭＯＳ管以及反向并联的两个二极管，第一开关管和第二开关管与控制芯片相连，在控制芯片控制下输出方波信号至第一ＮＭＯＳ管和第二ＮＭＯＳ管的栅极；第一ＮＭＯＳ管和第二ＮＭＯＳ管的栅极通过反向并联的两个二极管相连；第一ＮＭＯＳ管和第二ＮＭＯＳ管的源极接地；第一ＮＭＯＳ管和第二ＮＭＯＳ管的漏极作为电路输出端。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：陈明敏，王坚，杨勇，
申请(专利权)人：深圳TCL新技术有限公司，
类型：实用新型
国别省市：94