用于平面转换模式液晶显示器件的阵列基板制造技术

本发明专利技术公开了一种用于平面转换模式液晶显示器件的阵列基板，包括：栅线，位于包括像素区的基板上，该像素区包括在相对于栅线的下侧的第一域和在相对于栅线的上侧的第二域；数据线，与栅线交叉；薄膜晶体管，位于像素区中并位于栅线和数据线的交叉部处；多个第一像素电极，位于第一域中；多个第二像素电极，位于第二域中，多个第一像素电极和多个第二像素电极共用该薄膜晶体管；多个第一公共电极，位于第一域中并且与多个第一像素电极交替布置；多个第二公共电极，位于第二域中并且与多个第二像素电极交替布置。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种平面转换(in-plane switching, IPS)模式液晶显示(LCD)器件， 尤其涉及能够防止色移(color shift)问题并增加孔径比的用于IPS模式LCD器件的阵列基板。
技术介绍
相关技术的液晶显示(LCD)器件利用液晶分子的光学各向异性和偏振特性。液晶分子由于它们的薄且长的形状而具有确定的取向方向(alignment direction) 0可以通过跨液晶分子施加电场来控制液晶分子的取向方向。换句话说，随着电场的强度或方向发生改变，液晶分子的取向也变化。由于液晶分子的光学各向异性，入射光基于液晶分子的取向而被折射，所以可以通过控制光透射率来显示图像。由于被称为有源矩阵IXD(AM-IXD)器件的、包括薄膜晶体管(TFT)作为转换元件的LCD器件具有高分辨率和能显示移动图像的优异特性，所以AM-LCD器件被广泛使用。AM-IXD器件包括阵列基板、滤色器基板、和设置在二者间的液晶层。阵列基板可以包括像素电极和TFT，滤色器基板可以包括滤色器层和公共电极。通过像素电极和公共电极之间的电场来驱动AM-LCD器件，以具有优异的透光度和孔径比性能。然而，由于AM-LCD 器件使用垂直电场，所以AM-LCD器件具有差的视角。可以用平面转换(IPQ模式LCD器件来解决上述局限。图1是根据相关技术的 IPS模式IXD器件的剖视图。如图1所示，阵列基板和滤色器(color filter)被隔开并彼此面对。阵列基板包括第一基板10、公共电极17、和像素电极30。虽然未图示，但是阵列基板可以包括TFT、栅线、数据线等。滤色器基板包括第二基板9、滤色器层(未图示)等。 液晶层11被插入到第一基板10和第二基板9之间。由于公共电极17和像素电极30在相同的水平面上形成在第一基板10上，所以在公共电极17和像素电极30之间产生水平电场 “L”。液晶层11的液晶分子受水平电场所驱动，使得IPS模式LCD器件具有宽的视角。图2A和2B是显示根据相关技术的IPS模式LCD器件的开启/关闭情形的剖面图。 如图2A所示，当对IPS模式LCD器件施加电压时，公共电极17和像素电极30上方的液晶分子Ila无变化。而公共电极17和像素电极30之间的液晶分子lib由于水平电场“L”而水平排列。由于液晶分子经由水平电场所排列，所以IPS模式LCD器件具有宽视角的特性。 图2B示出了当不对IPS模式LCD器件施加电压的情形。由于在公共电极17和像素电极30 之间没有产生电场，所以液晶分子11的排列不变。图3是示出用于根据相关技术的IPS模式LCD器件的阵列基板的一个像素区域的平面图。如图3所示，在基板40上形成栅线43、与该栅线43平行并分隔开的公共线(common line)47、与该栅线43交叉以限定像素区“P”的数据线60。薄膜晶体管(TFT) “Tr”形成在栅线43与数据线60的交叉部处。TFT “Tr”包括 栅极电极45、半导体层(未图示)、源极电极53、和漏极电极55。源极电极53和栅极电极 45分别从数据线60和栅线53延伸，使得TFT “Tr”被连接到数据线60和栅线43。此外，通过漏极接触孔67电连接到漏极电极55的多个像素电极70a和70b、和多个公共电极49a和49b形成在像素区“P”中。公共电极49a和49b与像素电极70a和70b 交替地设置，并从公共线47延伸。不幸的是，由于在一个像素区中产生单个域(domain)，所以在上右、上左、下右和下左侧处有色移问题。尤其是，在上左侧即10点钟方向上产生严重的黄色色移问题，并且在上右侧即2点钟方向上产生严重的蓝色色移问题。为了解决上述色移问题，引入了每一个像素电极和公共电极的中心被弯曲使得阵列基板具有双域结构的阵列基板。图4A和4B是图示具有双域结构的阵列基板的示意图。图4A和4B示出了公共电极80、像素电极83、摩擦方向“rb”、偏振板的第一偏振轴“P0L1”和第二偏振轴“P0L2”、和低灰度级下的液晶分子90的指向矢(director)。公共电极80和像素电极83在中心处对称弯曲，使得在一个像素区“P”中产生双域结构。结果是通过域的平衡(counterbalance) 防止了色移问题。更详细地说，如示出了全白模式的示意图的图4B所示，当摩擦方向“rb”平行于彼此垂直的第一偏振轴“P0L1”和第二偏振轴“P0L2”中的一个时，第一域“D1”处的液晶分子 90的指向矢与第二域“D2”处的液晶分子90的指向矢彼此十分对称。结果是防止了色移问题。然而，如示出了低灰度级模式的示意图的图4A所示，第一域“D1”处的液晶分子90 的方向与第二域“D2”处的液晶分子90的方向彼此不十分对称，使得域“D1”和域“D2”的平衡也不是很好。结果是仍然产生色移的问题。此外，由于第一域“D1”和第二域“D2”的边界位于像素区“P”中，所以产生了光泄漏的问题。当形成光屏蔽元件例如黑色矩阵来防止光泄漏问题时，孔径比被降低。
技术实现思路
因此，本专利技术旨在提供一种用于IPS模式LCD器件的阵列基板，该阵列基板显著地消除了由于相关技术的局限和缺点所带来的一个或多个问题。本专利技术的其他特征和优点将在下面的说明中阐述，并且部分将从下面的说明中变得显而易见，或者可以通过本专利技术的实践来获知。本专利技术的目的和其他优点将通过在书面描述和其权利要求以及附图中特别指出的结构来实现并获得。为了实现这些和其他优点并且根据本专利技术的目的，如在此实施的和宽泛地描述的，用于平面转换模式液晶显示器件的阵列基板包括栅线，位于包括像素区的基板上，该像素区包括在相对于栅线的下侧的第一域和在相对于栅线的上侧的第二域；数据线，与栅线交叉；薄膜晶体管，位于像素区中并位于栅线和数据线的交叉部处；多个第一像素电极， 位于第一域中；多个第二像素电极，位于第二域中，多个第一像素电极和多个第二像素电极共用该薄膜晶体管；多个第一公共电极，位于第一域中并且与多个第一像素电极交替布置；多个第二公共电极，位于第二域中并且与多个第二像素电极交替布置。在本专利技术的另一个方面中，制造用于平面转换模式液晶显示器件的阵列基板的方法包括在具有像素区的基板上形成栅线、第一公共线和第二公共线，栅线设置在第一公共线和第二公共线之间；在栅线、第一公共线和第二公共线之上形成数据线，数据线与第一公共线和第二公共线交叉以分别限定在像素区中的第一域和第二域；在像素区和栅线和数据线的交叉部处形成薄膜晶体管；在第一域中形成多个第一像素电极，在第二域中形成多个第二像素电极，在第一域中形成多个第一公共电极，在第二域中形成多个第二公共电极，其中多个第一像素电极和多个第二像素电极共用该薄膜晶体管，并且其中多个第一公共电极与多个第一像素电极交替布置，多个第二公共电极与多个第二像素电极交替布置。应该理解的是，前面的概括描述和下面的详细描述是示例性的和解释性的，旨在提供对要求保护的本专利技术的进一步的解释。附图说明包括以提供对本专利技术的进一步理解的附图合并在内并且形成本说明书的一部分， 图示本专利技术的实施方式并且与说明书一起来解释本专利技术的原理。图1是根据相关技术的IPS模式IXD显示器件的剖面图。图2A和2B是示出根据相关技术的IPS模式LCD器件的开启/关闭情形的剖面图。图3是示出本文档来自技高网...

【技术保护点】
１．一种用于平面转换模式液晶显示器件的阵列基板，包括：在包括像素区的基板上的栅线，该像素区包括在相对于所述栅线的下侧的第一域和在相对于所述栅线的上侧的第二域；与所述栅线交叉的数据线；在像素区中的薄膜晶体管，该薄膜晶体管在所述栅线和所述数据线的交叉部处；在第一域中的多个第一像素电极；在第二域中的多个第二像素电极，该多个第一像素电极和所述多个第二像素电极共用所述薄膜晶体管；在第一域中的多个第一公共电极，该多个第一公共电极与所述多个第一像素电极交替布置；和在第二域中的多个第二公共电极，该多个第二公共电极与所述多个第二像素电极交替布置。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：李源镐，
申请(专利权)人：乐金显示有限公司，
类型：发明
国别省市：KR