脆性材料基板的分断方法技术

本发明专利技术公开了一种分断方法，其即使在各刻划线附近可按压的缓冲区域的宽度为单侧250μm以下，亦不会对电子电路形成部分造成损伤，且可通过3点弯矩予以裂断。基板分断方法，包含在将多条刻划线形成于脆性材料基板1上之后，配置跨越待分断的刻划线且抵接于其左右位置的基板上的一对上刃6、及在与设有刻划线的面相反侧的面抵接于与刻划线相对的部分的下刃5，将下刃5或上刃6按压于基板1，利用3点弯矩将基板1沿着刻划线予以裂断的步骤；在该裂断步骤，将左右的上刃6配置成在与待分断的刻划线S1相邻的左右的刻划线S3之间，且抵接于该左右的刻划线S3附近的位置。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及由玻璃、硅、陶瓷、化合物半导体等脆性材料构成的基板的分断方法。 尤其，本专利技术关于一种沿着形成于基板上的多条刻划线将基板分断成条状或格子状以分断成芯片等的制品的分断方法。
技术介绍
一直以来，已知有一种对脆性材料基板使用切割锯(dicing saw)、刀轮(cutter wheel)、激光束(laser beam)，以形成多条刻划线，然后施加外力使基板挠曲，再沿着刻划线予以裂断，通过此取出芯片等的制品的方法(例如专利文献1等)。例如，图5表示使用激光束于平台22上的基板21形成刻划线的情形的立体图，沿着刻划预定线通过扫描机构25扫描激光光学系统23的激光点，接着紧接着于后一刻从冷却机构24的嘴24a喷射冷媒，通过此利用基板内的热应力分布形成刻划线S。在该刻划形成步骤之后，通过从与形成有刻划线的面相反侧的面以辊或下刃(break bar 裂断杆)等按压与刻划线相对的部分，以使脆性材料基板挠曲，通过弯矩(bending moment)沿着刻划线予以裂断。在对脆性材料基板沿着刻划线施加弯矩予以裂断时，为了使弯矩有效地产生，较佳为以3点弯曲方式进行。图6表示一般的3点弯曲方式的裂断步骤，跨越基板W的待分断的刻划线S1,配置接触于其左右位置的一对上刃16 (break bar 裂断杆)、以及在与设有刻划线的面相反侧的面接触于与刻划线S1相对的部分的下刃15(break bar 裂断杆)，将下刃或上刃的任一者按压于基板W，通过此使其产生弯矩。此外，亦可采用使用辊的按压的3点弯曲方式，以取代裂断杆(break bar)(参照专利文献1的图3)。专利文献1 日本特开平08-175837号公报
技术实现思路
在沿着形成于半导体晶圆等的基板的刻划线，以上述3点弯曲方式赋予弯矩进行裂断时，为了使弯矩充分地产生作用，必需预先将刻划线的左右的上刃16的间隔设定在 100 μ m以上，较佳为200 μ m以上，更佳为500 μ m以上(亦即与中央的刻划线S1的间隔为 50 μ m以上，较佳为100 μ m以上，更佳为250 μ m以上)，因此若单侧距离L变小时，则会产生难以裂断等的问题。另一方面，在基板W的上面，除了刻划线S1的左右的附近部分(亦称为缓冲区域)， 形成有微细的电子电路等。若上刃16接触至该电子电路形成部分，则有产生电路切断等的损伤的可能。因此，在裂断时置放上刃16的位置必需设在待分断的刻划线S1附近的未形成有电子电路的缓冲区域。至目前为止的工艺中，由于形成于基板的电子电路的图案，设置成以刻划线S1为中心形成宽度为500 μ m以上的缓冲区域，在刻划线S1附近可将一对上刃16所接触的间隔2L扩展至500 μ m以上，因此并无问题而可进行裂断。然而，近年来，一直期望集成度高的电子电路，而要求制品(芯片)的进一步小型化。又，基于降低制造成本的观点，而要求增加每片基板的制品个数，因此逐渐产生了将刻划线附近的未形成有电子电路的区域(缓冲区域)的间隔缩小至极限的必要。在刻划线附近若将未形成有电子电路的缓冲区域的间隔限制在500μπι以下，则已经无法将一对上刃 16的间隔2L确保在500 μ m以上，导致以3点弯曲方式的分断变得困难。因此，本专利技术以提供一种分断方法为目的，其即使在刻划线附近的未形成有电子电路的区域(缓冲区域)的间隔被限制在宽度为500 μ m以下，进一步为200 μ m以下，尤其 100 μ m以下时，亦不会对电子电路形成部分造成损伤，可通过3点弯曲方式进行裂断加工。为了达成上述目的，本专利技术采取以下技术手段。亦即，本专利技术的基板分断方法，包含在将多条刻划线形成于脆性材料基板上之后，配置跨越待分断的刻划线且抵接于其左右位置的基板上的一对上刃、及在与设有待分断的刻划线的面相反侧的面抵接于与刻划线相对的部分的下刃，将该下刃或上刃按压于基板，通过此利用3点弯矩将脆性材料基板沿着刻划线予以裂断的步骤；在该裂断步骤，将该左右的上刃配置成在与待分断的刻划线平行地相邻的左右的刻划线之间，且在该左右的刻划线附近抵接于容许上刃接触的缓冲区域。根据本专利技术的分断方法，在裂断步骤，由于将左右的上刃配置成在与待分断的刻划线平行地相邻的左右的刻划线之间，且抵接于该左右的刻划线附近，因此可将左右的上刃的间隔扩展至与待分断的刻划线相邻的左右的刻划线的附近。通过此，具有以下效果，亦即在各刻划线附近容许上刃接触基板的缓冲区域的间隔即使是狭窄的情况下，在裂断时亦可宽广地确保接触于基板的一对上刃的间隔，使按压时的弯矩充分地产生作用，以确实地将基板予以分断。在形成于该脆性材料基板上的各刻划线，容许上刃接触于基板的缓冲区域的间隔以刻划线为中心单侧250 μ m以下亦可。即使在此种情况下，亦可将左右的上刃的间隔，确保相当于各刻划线间的间隔的约二个分的大小的宽度，以使弯矩有效地产生作用。附图说明图1为表示在本专利技术的分断方法所使用的裂断装置的一实施形态的剖面图；图2为表示将加工对象的LTCC基板安装在黏着膜上的状态的俯视图；图3 (a)、(b)为表示裂断步骤的动作的一例；图4(a)、(b)为表示裂断步骤的另一动作的一例；图5为表示刻划步骤的一例的立体图；图6为表示现有通过3点弯矩来裂断基板的状态。主要元件符号说明S1待分断的刻划线S2, S3 与待分断的刻划线左右相 邻的刻划线1LTCC 基板2基板支承板3切割框4弹性膜5下刃6a, 6b 上刃 具体实施例方式以下，根据表示一实施形态的图式，详细地说明本专利技术的分断方法的详细。此处， 以将一体形成有多个电子零件的LTCC基板(低温烧成陶瓷基板)予以裂断以取出电子零件的情形为例加以说明。图1是在实施本专利技术的分断方法时所使用的裂断装置的剖面图，图2表示将作为分断对象的LTCC基板安装在贴附于切割框的黏着膜上的状态的俯视图。首先，针对加工对象的LTCC基板1与其支承方法加以说明。如图2所示，由于多个电子零件P排列成纵横一体形成的LTCC基板1是方形，因此基板支承板2于中央部设有较LTCC基板1大的方形开口部7。基板支承板2以覆盖方形的开口部7的方式载置弹性膜 4。该弹性膜4以贴于直径较基板支承板2还大的切割框3的状态固定于周围。此外，LTCC 基板1以黏着性物质固定于弹性膜4的上面。切割框3设置成通过搬送机构(未图示)移动于左右。此例中，虽为了在较切割框3接近于LTCC基板1的位置支承弹性膜4而设有基板支承板2，不过亦可不设基板支承板2，而仅以切割框3来支承弹性膜4。尤其，在基板为晶圆状(圆形)的情况下，亦可于中央部设置设有圆形的开口部的基板支承板，或者设置成不设基板支承板，而仅以切割框3来支承弹性膜。于LTCC基板1，形成有与下刃5 (参照图1)的对准用标记(对准标记)8，以设置于上方的摄影装置(未图标)对LTCC基板1的表面进行摄影，通过此即可参照所拍摄的对准用标记8，进行裂断位置的定位。此例中，虽参照对准用标记8进行裂断位置的定位，不过亦可参照刻划线本身来进行裂断位置的定位。于LTCC基板1，在裂断步骤前进行刻划步骤，并通过例如图5所示的激光刻划法， 形成多条刻划线11 (参照图1)。接着，以各刻划线11为中心线于左右以距离L的宽度形成有缓冲区域。具体而言，将在左右宽度各250 μ m，亦即宽度5本文档来自技高网...

【技术保护点】
１．一种脆性材料基板的分断方法，包含在将多条刻划线形成于脆性材料基板上之后，配置跨越待分断的刻划线且抵接于其左右位置的基板上的一对上刃、及在与设有刻划线的面相反侧的面抵接于与刻划线相对的部分的下刃，将该下刃或上刃按压于基板，通过利用３点弯矩将脆性材料基板沿着该待分断的刻划线予以裂断的步骤；在该裂断步骤，将该左右的上刃配置成在与待分断的刻划线平行地相邻的左右的刻划线之间，且在该左右的刻划线附近抵接于容许上刃接触的缓冲区域。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：村上健二，武田真和，
申请(专利权)人：三星钻石工业股份有限公司，
类型：发明
国别省市：JP