芯片测试方法及锂电池保护芯片的测试电路技术

一种芯片测试方法及锂电池保护芯片的测试电路，所述芯片具有地管脚，所述芯片包括第一芯片单元和第二芯片单元，所述第一芯片单元与所述地管脚连接，所述第二芯片单元不与所述地管脚连接，所述芯片测试方法包括如下步骤：先使所述地管脚悬空；再采用共地源测试装置对所述第二芯片单元进行测试。所述芯片测试方法可以采用共地源测试装置对第二芯片单元进行测试，降低了芯片测试的成本且简单易于实现。所述锂电池保护芯片的测试电路简单且易于实现，减小了测试成本。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及芯片测试领域，特别涉及一种芯片测试方法及锂电池保护芯片的测试电路。
技术介绍
随着集成电路产业的发展，对集成电路进行测试也显得越来越重要。就目前而言集成电路的测试一般采用专用测试仪器和通用测试仪器。由于专用测试仪器的局限性、非标准性及专用测仪器的开发周期过长等问题使得专用测试仪器的使用受到了较大的限制。 而通用测试仪器(ATE=Automatic test equipment)则以它的通用性、标准性、便捷性以及开放性迅速成为了集成电路测试行业的主流。在低成本的ATE中，无论是进口还是国产的，如LTX-CREDENCE的ASL1000及 ACC0TEST的STS8107测试机，其DC测试装置，一般而言主要就是电压/电流(V/I)源，大部分都工作在共地模式。所谓共地模式是指测试源或被测芯片其电压参考电位是相对于大地的，电路的回流点也是大地。对于大部分的单个芯片而言，由于其电压参考电位均相对于大地而言，因此采用共地源测试装置就可以对其进行测试，且采用共地源测试装置进行测试， 测试成本低。然而，目前的集成电路(IC)大部分都不会仅由一个芯片封装而成，例如对于 “两芯合一”的锂电池保护IC而言，其内部除了包含充放电控制芯片外，还包括了将2个金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET，Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor)集成在一个芯片，此时如果仍然采用共地源测试装置对IC内部的MOSFET芯片进行测试的话，会导致无法测试MOSFET芯片的某些参数，如源漏极击穿电压、漏极饱和电流等。若采用浮地源测试装置测试的话，又会导致测试成本的增加。而对于其他的“两芯合一”的芯片而言，当封装在其内的芯片所在回路的参考电位不为地时，即其所在的电路为浮地电路时，无法直接使用共地源测试装置来测试所述芯片的相关参数。公开号为101750580A的中国专利申请公开了一种集成电路中功能模块芯片的测试方法，但是对于上述问题并未涉及。
技术实现思路
本专利技术解决的是现有技术中芯片电路为浮地电路时，无法用共地源测试装置对所述芯片进行测试的问题。为解决上述问题，本专利技术提供一种芯片测试方法，所述芯片管脚包括地管脚，所述芯片包括第一芯片单元和第二芯片单元，所述第一芯片单元与所述地管脚连接，所述第二芯片单元不与所述地管脚连接，所述芯片测试方法包括如下步骤先使所述地管脚悬空；再采用共地源测试装置对所述第二芯片单元进行测试。可选的，所述采用共地源测试装置对所述第二芯片单元进行测试包括根据所述第二芯片单元的待测参数来设置相应的芯片管脚的电位。可选的，所述芯片为锂电池保护芯片，所述芯片管脚还包括电源管脚、检测电流/ 电压输入管脚、公共漏极管脚和电源负极/负载输入管脚，所述第一芯片单元包括充放电控制芯片，所述第二芯片单元包括MOS管，其中，所述充放电控制芯片与所述电源管脚、地管脚、检测电流/电压输入管脚相连，所述充放电控制芯片包括充电开关控制端；所述MOS管的栅极与所述充放电控制芯片的充电开关控制端连接，漏极与公共漏极管脚连接，源极与电源负极/负载输入管脚连接。可选的，采用共地源测试装置对所述MOS管进行测试包括采用共地源测试装置测试所述MOS管的源漏极击穿电压或漏极饱和电流。可选的，所述采用共地源测试装置测试所述MOS管的源漏极击穿电压包括将所述锂电池保护芯片的电源管脚、检测电流/电压输入管脚及地管脚相连并将所述电源管脚悬空或置零，将电源负极/负载输入管脚接地，通过共地源测试装置向公共漏极管脚提供电流以测试所述MOS管的源漏极击穿电压。可选的，所述采用共地源测试装置测试所述MOS管的漏极饱和电流包括将所述锂电池保护芯片的电源管脚、检测电流/电压输入管脚及地管脚相连并将所述电源管脚悬空或置零，将电源负极/负载输入管脚接地，通过共地源测试装置向公共漏极管脚提供电压以测试所述MOS管的漏极饱和电流。与现有技术相比，上述芯片测试方法具有以下优点通过先将芯片的地管脚悬空使得共地的第一芯片单元停止工作，在很大程度上降低了测试过程中第一芯片单元对第二芯片单元的影响，然后可以采用共地源测试装置对浮地的第二芯片单元进行测试，无需在现有通用测试仪器的基础上增加浮地源测试装置，降低了芯片测试的成本。在芯片的地管脚悬空的前提下，采用共地源测试装置对第二芯片单元进行测试时，仅需设置所述芯片的相应管脚的电位来完成对第二芯片单元参数的测试，方法简单，容易实现。为解决上述问题，本专利技术还提供一种锂电池保护芯片的测试电路，所述锂电池保护芯片的管脚包括电源管脚、地管脚、检测电流/电压输入管脚、电源负极/负载输入管脚、 公共漏极管脚，所述测试电路包括第一开关单元、第二开关单元、第三开关单元、第四开关单元、第一共地源测试装置，其中，所述地管脚通过第一开关单元与大地连接，通过第三开关单元与所述电源管脚连接，以及通过第三开关单元、第四开关单元与所述检测电流/电压输入管脚连接；所述电源管脚悬空；所述电源负极/负载输入管脚通过第二开关单元与大地连接；所述公共漏极管脚与第一共地源测试装置连接。可选的，所述第一共地源测试装置适于向公共漏极管脚提供电流或电压。为解决上述问题，本专利技术还提供一种锂电池保护芯片的测试电路，所述锂电池保护芯片的管脚包括电源管脚、地管脚、检测电流/电压输入管脚、电源负极/负载输入管脚、 公共漏极管脚，所述测试电路包括第一开关单元、第二开关单元、第三开关单元、第四开关单元、第一共地源测试装置和第二共地源测试装置，其中，所述地管脚通过第一开关单元与大地连接，通过第三开关单元与所述电源管脚连接，以及通过第三开关单元、第四开关单元与所述检测电流/电压输入管脚连接；所述电源管脚与所述第二共地源测试装置连接，所述第二共地源测试装置适于向所述电源管脚提供OV电压；所述电源负极/负载输入管脚通过第二开关单元与大地连接；所述公共漏极管脚与第一共地源测试装置连接。 可选的，所述第一共地源测试装置适于向公共漏极管脚提供电流或电压。与现有技术相比，上述锂电池保护芯片的测试电路具有以下优点可以先通过第一开关单元将锂电池保护芯片的地管脚与大地断开连接以使共地的充放电控制芯片及放电开关停止工作，由此减小了在对浮地的充电开关测试时，充放电控制芯片及放电开关对充电开关的影响，通过使锂电池电源管脚悬空或置零，以及采用第一共地源测试装置向锂电池保护芯片的公共漏极管脚提供电流或电压来实现对充电开关的参数测试，减小了测试成本，且测试电路简单易于实现。附图说明图1是锂电池保护芯片的原理图；图2是本专利技术实施方式的芯片测试方法流程图；图3是本专利技术实施例一的锂电池保护芯片的测试电路图；图4是本专利技术实施例一的锂电池保护芯片的测试流程图；图5是本专利技术实施例二的“二芯合一”的芯片测试电路图。具体实施例方式目前ATE正以它的通用性、标准性、便捷性以及开放性逐渐成为集成电路测试行业的主流。一般而言，ATE的DC测试装置大都工作在共地模式，即为共地源测试装置。因此，当遇到待测芯片所在回路为浮地电路时，就无法直接采用共地源测试装置对所述待测芯片的相关参数进行测试，而且如果采用浮地源测试装置对所述待测芯片进行测试的话， 又会导致整个测试成本的增加。随着集成电路产业的迅猛发展，本文档来自技高网...

【技术保护点】
１．一种芯片测试方法，所述芯片管脚包括地管脚，所述芯片包括第一芯片单元和第二芯片单元，所述第一芯片单元与所述地管脚连接，所述第二芯片单元不与所述地管脚连接，其特征在于，所述芯片测试方法包括如下步骤：先使所述地管脚悬空；再采用共地源测试装置对所述第二芯片单元进行测试。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：王洋，
申请(专利权)人：南通富士通微电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：32