【技术实现步骤摘要】
本技术涉及光电
，特别是以蓝宝石为基板的氮化物基半导体装置。
技术介绍
近年来，以氮化镓GaN、氮化铟镓InGaN、氮化铝镓AlGaN等为代表的GaN系化合物半导体作为用于蓝色发光二极管和激光二极管的材料而被广泛关注。目前大多数的GaN系化合物半导体材料主要是外延生长在蓝宝石A1203基板上，一般采用金属有机化合物化学气相淀积MOCVD的方法来外延生长氮化物材料。然而，由于蓝宝石基板与GaN系材料之间晶格常数及热膨胀系数的不同，在氮化物材料外延生长过程中，由于应力的作用容易引起蓝宝石基板的翘曲，严重时会由于衬底应力的不平均，而造成蓝宝石基板的破裂，从而造成后续工艺过程的复杂，增加了工艺难度。目前，业内熟知的方法是在蓝宝石基板上，暂时在低温生长GaN或AlN的缓冲层， 低温生长的缓冲层让晶格形变缓和之后，再在其上生长高质量的GaN系半导体材料。中国专利公开号为CN 1123937C的专利提出了在蓝宝石基板上下两面分别形成一厚度相近的氮化镓薄膜层，可让上下氮化镓薄膜层形成的应力互相抵消，从而可以预防蓝宝石基板破裂的可能性。但上述方法需要在蓝宝石基板上下两面分别外延GaN材料，增加了外延生长的复杂性，同时也使生产成本陡增。
技术实现思路
为了克服上述现有技术存在的不足，本技术的目的是提供一种以蓝宝石为基板的氮化物基半导体装置。它在蓝宝石基板的下表面形成一金属层，从而避免或者减小在蓝宝石基板上表面外延氮化物材料时产生翘曲的几率，预防蓝宝石基板破裂的可能性，具有工艺简单，成本不高的特点。为了达到以上目的，本技术的技术方案以如下方式实现以蓝宝石为基板的氮化物基半...
【技术保护点】
１．以蓝宝石为基板的氮化物基半导体装置，它包括蓝宝石基板（１０）和蓝宝石基板（１０）上方的氮化物外延层（１２），其特征在于，所述蓝宝石基板（１０）的下表面置有金属层（１１）。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：李志翔，吴东海，
申请(专利权)人：同方光电科技有限公司，
类型：实用新型
国别省市：11
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