一种硅芯定位搭接装置，第一竖方硅芯和第二竖方硅芯端部设有“V”形槽，横方硅芯两端设有凹“V”形槽，两凹“V”形槽分别与第一竖方硅芯和第二竖方硅芯的“V”形槽连接。本实用新型专利技术提供的一种硅芯定位搭接装置，通过在横方硅芯两端设置凹“V”形槽，与设在第一竖方硅芯和第二竖方硅芯端面的“V”形槽卡住并连接，两者有良好的接触面，可以避免因为接触不良出现局部温升过高。而且这种连接，也会将横方硅芯与第一竖方硅芯和第二竖方硅芯互相卡住支撑定位，构成一个稳定的“∏”型导电回路。本实用新型专利技术应用于竖方硅芯越高的生产工艺，其安全、经济效益也更为显著。（*该技术在2020年保护过期，可自由使用*）
【技术实现步骤摘要】
本技术涉及西门子法还原炉生产多晶硅的领域，特别是一种硅芯定位搭接装置。
技术介绍
目前在多晶硅生产中，国内已经大批量采用大型线切割机可以生产的方硅芯及生产装配方法。在中国专利“CN101698480”中，提供了利用方硅芯生产多晶硅的装置及方法。 但是在实际应用中，对于横梁硅芯缺乏有效定位，硅芯横梁安装具有一定的人为主观随意性，实际生产过程中，横梁硅芯容易发生位移抖动引起的横梁硅芯脱落，终止生产，造成损失，也有因此造成“Π”型导电回路演变成“Λ”或“V”型不稳定、不安全的导电回路进行生产。目前也有部分企业采用在硅芯搭接处用钼丝捆绑定位，来防止横梁硅芯滑落，但钼丝会对硅棒生产造成污染，而且在拆炉取棒，硅块产品整理时须分离出钼丝，提高了工作量和工作难度。
技术实现思路
本技术所要解决的技术问题是提供一种硅芯定位搭接装置，可以提高横方硅芯和第一竖方硅芯、第二竖方硅芯构成的“Π”型导电回路的稳定性，确保启炉成功率。为解决上述技术问题，本技术所采用的技术方案是一种硅芯定位搭接装置， 第一竖方硅芯和第二竖方硅芯端部设有“V”形槽，横方硅芯两端设有凹“V”形槽，两凹“V” 形槽分别与第一竖方硅芯和第二竖方硅芯的“V”形槽连接。所述的“V”形槽与第一竖方硅芯和第二竖方硅芯的边平行，凹“V”形槽的宽度等于第一竖方硅芯和第二竖方硅芯的边长。所述的“V”形槽位于第一竖方硅芯和第二竖方硅芯端面的对角线上，凹“V”形槽的宽度等于第一竖方硅芯和第二竖方硅芯端面的的对角线长度。本技术提供的一种硅芯定位搭接装置，通过在横方硅芯两端设置凹“V”形槽， 与设在第一竖方硅芯和第二竖方硅芯端面的“V”形槽卡住并连接，两者有良好的接触面，可以避免因为接触不良出现局部温升过高，这是由于除了在“V”形槽部分接触外，在横方硅芯两端设置的凹“V”形槽内壁与第一竖方硅芯和第二竖方硅芯的端部侧面也具有良好的接触，增加了接触面积。而且这种连接，也会将横方硅芯与第一竖方硅芯和第二竖方硅芯互相卡住支撑定位，构成一个稳定的“Π”型导电回路，从而确保启炉成功率。该Π型导电回路构成的尺寸结构不会因各种工况引起的硅芯颤抖或摇摆造成横梁硅芯搭接位移，甚至滑落。该设计结构有效防止Π型导电回路演变成“Λ”或“V”型不稳定的导电回路。本技术应用于竖方硅芯越高的生产工艺，其安全性和经济效益也更为显著。附图说明以下结合附图和实施例对本技术作进一步说明图1是本技术的主视图。图2是本技术的侧视图。图3是图1的A-A剖视图。图4是本技术的另一优化方案的侧视图。具体实施方式如图1中，一种硅芯定位搭接装置，第一竖方硅芯2和第二竖方硅芯3端部设有 “V”形槽，横方硅芯1两端设有凹“V”形槽，两凹“V”形槽分别与第一竖方硅芯2和第二竖方硅芯3的“V”形槽连接。优化的方案是，如图1、图2和图3中，所述的“V”形槽与第一竖方硅芯2和第二竖方硅芯3的边平行，凹“V”形槽的宽度等于第一竖方硅芯2和第二竖方硅芯3的边长。另一优化的方案是，如图4中，所述的“V”形槽位于第一竖方硅芯2和第二竖方硅芯3端面的对角线上，凹“V”形槽的宽度等于第一竖方硅芯2和第二竖方硅芯3端面的的对角线长度。权利要求1.一种硅芯定位搭接装置，其特征在于第一竖方硅芯(2)和第二竖方硅芯(3)端部设有“V”形槽，横方硅芯(1)两端设有凹“V”形槽，两凹“V”形槽分别与第一竖方硅芯(2)和第二竖方硅芯(3)的“V”形槽连接。2.根据权利要求1所述的一种硅芯定位搭接装置，其特征在于所述的“V”形槽与第一竖方硅芯(2)和第二竖方硅芯(3)的边平行，凹“V”形槽的宽度等于第一竖方硅芯(2)和第二竖方硅芯(3)的边长。3.根据权利要求1所述的一种硅芯定位搭接装置，其特征在于所述的“V”形槽位于第一竖方硅芯(2)和第二竖方硅芯(3)端面的对角线上，凹“V”形槽的宽度等于第一竖方硅芯(2)和第二竖方硅芯(3)端面的的对角线长度。专利摘要一种硅芯定位搭接装置，第一竖方硅芯和第二竖方硅芯端部设有“V”形槽，横方硅芯两端设有凹“V”形槽，两凹“V”形槽分别与第一竖方硅芯和第二竖方硅芯的“V”形槽连接。本技术提供的一种硅芯定位搭接装置，通过在横方硅芯两端设置凹“V”形槽，与设在第一竖方硅芯和第二竖方硅芯端面的“V”形槽卡住并连接，两者有良好的接触面，可以避免因为接触不良出现局部温升过高。而且这种连接，也会将横方硅芯与第一竖方硅芯和第二竖方硅芯互相卡住支撑定位，构成一个稳定的“∏”型导电回路。本技术应用于竖方硅芯越高的生产工艺，其安全、经济效益也更为显著。文档编号C01B33/035GK201990493SQ20102068334公开日2011年9月28日 申请日期2010年12月28日 优先权日2010年12月28日专利技术者张鹏, 胡楚汉, 董先君 申请人:宜昌南玻硅材料有限公司本文档来自技高网...
【技术保护点】
１．一种硅芯定位搭接装置，其特征在于：第一竖方硅芯（２）和第二竖方硅芯（３）端部设有“Ｖ”形槽，横方硅芯（１）两端设有凹“Ｖ”形槽，两凹“Ｖ”形槽分别与第一竖方硅芯（２）和第二竖方硅芯（３）的“Ｖ”形槽连接。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：张鹏，胡楚汉，董先君，
申请(专利权)人：宜昌南玻硅材料有限公司，
类型：实用新型
国别省市：42
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