一种MOS管驱动电路制造技术

本实用新型专利技术公开了一种MOS管驱动电路，包括MOS管、产生驱动信号以控制所述MOS管的变压器，所述驱动电路还包括整流滤波电路和MOS管驱动模块，其中，所述变压器的第一输出端通过整流滤波电路、MOS管驱动模块与MOS管依次相连，所述变压器的第二输出端通过所述MOS管驱动模块与所述MOS管相连。本实用新型专利技术采用了变压器次级整流滤波结合MOS管驱动模块中推拉式电路的方式来驱动MOS的导通，缩短了驱动信号的上升时间，减小了上升的过冲，从而降低MOS管的功耗，减少MOS管的发热量。（*该技术在2020年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及驱动电路
，尤其涉及一种MOS管驱动电路。
技术介绍
目前，在许多电器设备的电源电路中，会使用到M0S(metal oxid semiconductor, 金属一氧化物一半导体)场效应晶体管驱动电路。一般在MOS管的栅极施加一个可调节的驱动信号，通过调节驱动信号的占空比来控制MOS管的导通和关断时间，从而输出可调节、 可控制的的电压。但传统的MOS管驱动电路中，MOS管驱动信号的驱动上升边沿上升时间长且有较高的过冲，使得被驱动的MOS管功耗增大、发热严重，使MOS管寿命缩短，甚至损坏。
技术实现思路
本技术公开了一种MOS管驱动电路，可有效的缩短驱动信号的上升沿，降低上升的过冲，从而降低MOS管的功耗，减少MOS管的发热量。为了达到上述专利技术目的，本技术提供了一种MOS管驱动电路，包括MOS管、产生驱动信号以控制所述MOS管的变压器，所述驱动电路还包括整流滤波电路和MOS管驱动模块，其中，所述变压器的第一输出端通过整流滤波电路、MOS管驱动模块与MOS管依次相连，所述变压器的第二输出端通过所述MOS管驱动模块与所述MOS管相连。所述整流滤波电路由二极管与电容串联组成。所述MOS管驱动模块包括推拉式电路，该推拉式电路是由两个三极管推挽相连组成。所述两个三极管分别为NPN型三极管和PNP型三极管。所述整流滤波电路中的二极管与变压器的第一输出端相连，电容的两端分别与所述推拉式电路中的两个三极管的集电极相连。所述MOS管驱动模块还包括第一电阻、第二电阻和第三电阻，其中，所述变压器的第二输出端通过第一电阻分别与所述推拉式电路中两个三极管的基极相连，所述两个三极管的发射极通过第二电阻与所述MOS管的栅极相连，所述第三电阻跨接在MOS管的栅极与接地端之间构成放电通路。本技术实施例的有益效果如下本技术公开的MOS管驱动电路，采用了变压器次级整流滤波结合推拉式电路的方式来驱动MOS管的导通，其中，采用整流滤波的方式可将驱动信号上升沿过冲所产生的尖峰能量吸收转化为直流电压来驱动MOS管；另外，采用推拉式电路可加速MOS管的导通。采用以上技术，缩短了驱动信号的上升时间，减小了上升的过冲，从而降低MOS管的功耗，减少MOS管的发热量。附图说明图1是本技术实施例的MOS管驱动电路原理框架图；图2是本技术第一实施例的MOS管驱动电路原理图；图3是本技术第二实施例的MOS管驱动电路原理图。具体实施方式下面将结合本技术实施例中的附图，对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本技术保护的范围。参见图1，是本技术实施例的MOS管驱动电路原理框架图，如图所示，MOS管驱动电路，包括产生驱动信号以控制所述MOS管的变压器11、整流滤波电路12、M0S管驱动模块13、M0S管14，所述变压器11的第一输出端通过整流滤波电路12、M0S管驱动模块13与 MOS管14依次相连，所述变压器11的第二输出端通过MOS管驱动模块13与MOS管14相连。变压器11的第一输出端输出的驱动信号通过整流滤波电路12产成直流电压通过 MOS管驱动模块13来驱动MOS管；变压器11的第二输出端输出的驱动信号可控制MOS管驱动模块13来加速MOS的导通。其中整流滤波电路12由二极管与电容串联组成，MOS管驱动模块13包括推拉式电路，该推拉式电路是由两个三极管推挽相连组成。本实施例公开的MOS管驱动电路，采用整流滤波的方式可将驱动信号上升沿过冲所产生的尖峰能量吸收转化为直流电压来驱动MOS管；另外，采用MOS管驱动模块13来加速MOS管的导通。采用以上技术，缩短了驱动信号的上升时间，减小了上升的过冲，从而降低MOS管的功耗，减少MOS管的发热量。需要说明的是，本实施例的MOS管驱动电路中整流滤波电路12、MOS管驱动模块 13,MOS管14的数量均可为一个或多个，详细将在下文的实施例中进行一一介绍。参见图2，是本技术第一实施例的MOS管驱动电路原理图，如图所示，MOS管驱动电路包括变压器T1、二极管D1、电容Cl、三个电阻Rl、R2、R3，两个三极管Ql、Q2、以及MOS 管Q3。请同时结合图1，二极管Dl和电容Cl串联组成了图1中的整流滤波电路12 ；电阻 RU R2、R3和两个三极管Ql、Q2组成了图1中的MOS管驱动模块13，其中，两个三极管Q1、 Q2推挽相连组成推拉式电路，可加速MOS管Q3的导通，图2中三极管Ql为NPN型三极管， Q2为PNP型三极管。具体地，变压器Tl的次级绕阻即第一输出端与二极管Dl相连，电容Cl的正负极分别与推拉式电路中的两个三极管Q1、Q2的集电极相连，所述两个三极管Q1、Q2的发射极通过电阻R2与所述MOS管Q3的栅极相连。变压器Tl的次级绕阻即第二输出端通过电阻 Rl分别与三极管Ql、Q2的基极相连，所述两个三极管Ql、Q2的发射极通过电阻R2与所述 MOS管Q3的栅极相连，电阻R3跨接在MOS管Q3的栅极与接地端之间构成放电通路。该驱动电路的工作原理如下当变压器Tl的初级绕阻电压为上正下负时，其次级绕阻感应电压也为上正下负， 输出的电压一方面通过二极管Dl给电容Cl冲电，在电容Cl上得到直流电压；另一方面通过电阻Rl给推拉式电路中三极管Ql、Q2提供一个高电平，使三极管Ql导通，三极管Q2截止，电容Cl上的直流电压通过三极管Q1、电阻R2开通MOS管Q3。反之易然，当变压器Tl产生上负下正的感应电压时，同上述的分析方法，不再赘述。本实施例，通过整流滤波电路中的电容Cl可将驱动信号上升沿过冲所产生的尖峰能量吸收转化为直流电压来驱动MOS管Q3，通过推拉式电路，可加速MOS管Q3的导通。 相比传统的驱动电路，本实施例缩短了驱动信号的上升时间，减小了上升的过冲，从而降低 MOS管Q3的功耗，减少MOS管Q3的发热量。参见图3，是本技术第二实施例的MOS管驱动电路原理图，如图所示，变压器 T2的初、次级绕组L1、L2、L3构成信号的隔离传递模块；电阻R1、R2、R3及三极管Q3、Q4组成MOS管Ql的驱动模块；R4、R5、R6及三极管Q5、Q6组成MOS管Q2的驱动模块；二极管Dl 和电容C2、二极管D2和电容C3分别组成整流滤波电路；MOS管Ql、Q2，电容Cl、变压器Tl 组成能量传递模块。以上涉及变压器T2与Ql的驱动模块、二极管Dl和电容C2组成的整流滤波电路、 MOS管Ql等之间的连接关系；变压器T2与Q2的驱动模块、二极管D2和电容C3组成的整流滤波电路、MOS管Q2等之间的连接关系请参考图2所示的实施例中的描述，此处不再详述。其工作原理如下当变压器T2的初级绕阻Ll电压为上正下负时，第一次级绕阻L2感应电压也为上正下负，输出的电压一方面通过二极管Dl给电容C2冲电，在电容C2上得到直流电压，另一方面通过电阻Rl给推拉式电路中的三极管Q3、Q4提供一个高电平，使三极管Q3导通，Q4 截止，电容上的电压通过三极管Q3、电阻R3开通MOS管Ql。与此同时，第二次级本文档来自技高网...

【技术保护点】
１．一种ＭＯＳ管驱动电路，包括ＭＯＳ管、产生驱动信号以控制所述ＭＯＳ管的变压器，其特征在于，所述驱动电路还包括整流滤波电路和ＭＯＳ管驱动模块，其中，所述变压器的第一输出端通过整流滤波电路、ＭＯＳ管驱动模块与ＭＯＳ管依次相连，所述变压器的第二输出端通过所述ＭＯＳ管驱动模块与所述ＭＯＳ管相连。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：伍小林，尹朝飞，张保鑫，
申请(专利权)人：惠州三华工业有限公司，
类型：实用新型
国别省市：44