生产碳化硅的去杂质沉降池制造技术

本实用新型专利技术涉及一种生产碳化硅的去杂质沉降池，其特征是：主要由储料池，搅拌机和支架构成，所述储料池形状呈六方体，所述储料池主要由水泥池体和保护层构成整体，所述保护层沿池的底部、内壁、池台口及外壁包覆至整个储料池表面，所述池体上方设有支架，支架上固定搅拌机。有益效果：六方体形状的储料池采用蜂窝状排布，占地面积减小，厂房使用率提高。在储料池内外表面设有玻璃钢层或PVC层，防止因洗料溶液腐蚀储料池体造成池体破损，使水泥渣进入池内污染物料。（*该技术在2020年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及水法生产碳化硅设备，尤其涉及一种生产碳化硅的去杂质沉降池。
技术介绍
碳化硅用于3-12英寸的单晶硅、多晶硅、砷化钾、石英晶体的线切割。是太阳能光伏产业、半导体产业、压电晶体产业的工程性加工材料。JIS#800、JIS#1000、JIS1200、 JSS#1500、JIS#2000满足不同线切割设备、不同线切割材质，不同线切割材料直径、不同线切割线径的个性化要求。由于市场上的销售的碳化硅的初级产品中含有碳，氧化铁，氧化铝等杂质。在进行水法分选碳化硅微粉工艺前必须用酸碱等溶液对来料进行清洗、过滤去杂质提纯。目前去杂质工艺一般采用特制塑料桶，将来料放入塑料桶内加入水利用带有搅拌轴的搅拌机进行搅拌，沉降一段时间，将上面悬浮杂质捞出，再依次加入酸溶液，分别将碳， 氧化铁，氧化铝等杂质去掉，捞出，再放入碱进行中和。如此多的工序耗费时间很多。不利于大批量生产。在产量较大的情况下，特制塑料桶的用量也较多，占地面积大，生产环境混乱。
技术实现思路
本技术所要解决的技术问题是，克服现有技术中存在的不足，提供一种可以节省空间、提高工作效率的生产碳化硅的去杂质沉降池。本技术是通过以下技术方案予以实现一种生产碳化硅的去杂质沉降池，其特征是主要由储料池，搅拌机和支架构成，所述储料池形状呈六方体，所述储料池主要由水泥池体和保护层构成整体，所述保护层沿池的底部、内壁、池台口及外壁包覆至整个储料池表面，所述池体上方设有支架，支架上固定搅拌机。所述搅拌机的搅拌轴和搅龙设有PVC防护层。所述保护层采用玻璃钢层或PVC层。所述储料池由若干个储料池排列呈蜂窝状排布。有益效果六方体形状的储料池采用蜂窝状排布，占地面积减小，厂房使用率提高。在储料池内外表面设有玻璃钢层或PVC层，防止因洗料溶液腐蚀储料池体造成池体破损，使水泥渣进入池内污染物料。附图说明图1是本技术的结构示意图。图中1.储料池，2.搅拌机，3.支架，4.水泥池体，5.保护层，6.防护层7. 电机，8.搅拌轴，9.搅龙。具体实施方式为了使本
的人员更好地理解本技术方案，以下结合附图和实施方式对本技术作进一步的详细说明。如图1所示，一种生产碳化硅的去杂质沉降池，主要由储料池1，搅拌机2和支架3 构成，所述储料池主要由水泥池体4和保护层5构成整体，所述保护层沿池的底部、内壁、池台口及外壁包覆至整个储料池表面，所述池体上方设有支架，支架上固定搅拌机。所述储料池形状呈六方体。所述储料池由若干个储料池排列呈蜂窝状排布。所述保护层采用玻璃钢层或PVC层。所述搅拌机的搅拌轴和搅龙设有PVC防护层6。工作时，将物料放置于储料池内，倒入清水打开搅拌机的电机7，电机带动搅拌轴 8和搅龙9对物料搅拌，搅拌一段时间后放置，液体表面便析出碳，将析出碳滤出，再重复搅拌放置，滤出剩余碳。将碳去除后，再加入酸碱等液体，通过上述工序，去除氧化铁，氧化铝等杂质。六方体形状的储料池采用蜂窝状排布，占地面积减小，厂房使用率提高。在储料池内外表面设有玻璃钢层或PVC层，防止因洗料溶液腐蚀储料池体造成池体破损，使水泥渣进入池内污染物料。搅拌机的搅拌轴和搅龙设有PVC防护层防止洗料液腐蚀，避免物料的污染。以上所述仅是本技术的优选实施方式，应当指出，对于本
的普通技术人员来说，在不脱离本技术原理的前提下，还可以做出若干改进和润饰，这些改进和润饰也应视为本技术的保护范围。本文档来自技高网...

【技术保护点】
１．一种生产碳化硅的去杂质沉降池，其特征是：主要由储料池，搅拌机和支架构成，所述储料池形状呈六方体，所述储料池主要由水泥池体和保护层构成整体，所述保护层沿池的底部、内壁、池台口及外壁包覆至整个储料池表面，所述池体上方设有支架，支架上固定搅拌机。

【技术特征摘要】
1.一种生产碳化硅的去杂质沉降池，其特征是主要由储料池，搅拌机和支架构成，所述储料池形状呈六方体，所述储料池主要由水泥池体和保护层构成整体，所述保护层沿池的底部、内壁、池台口及外壁包覆至整个储料池表面，所述池体上方设有支架，支架上固定搅拌机。2.根据权利要求1所述的生...

【专利技术属性】
技术研发人员：徐祥国，
申请(专利权)人：天津市明祥科技发展有限公司，
类型：实用新型
国别省市：12