一种半导体浪涌保护器件制造技术

本实用新型专利技术公开了一种半导体浪涌保护器件，包括壳体和从壳体伸出的第一引脚和第二引脚；在所述的壳体内设置有由电压抑制型材料组成的电压抑制器和由降容二极管材料组成的降容器，所述的电压抑制器和降容器电连接，电压抑制器和降容器的另外一端分别与第一引脚和第二引脚电连接。本实用新型专利技术所述的一种半导体浪涌保护器件，是一种低电压寄生电容值极低，过电保护响应速度极快，抑制过电压能力极强，安全保护电压水平极高，能在高频数据通迅线路中起过电保护的一种理想的半导体浪涌保护器件。（*该技术在2020年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及电路中的浪涌保护领域，特别涉及信号工作电压低传输速率高的 电路中使用的一种半导体浪涌保护器件。
技术介绍
传统单独的采用硅材料所制作的低电压半导体浪涌保护器件，电容值都在上百皮 法甚至上好几千皮法以上，由于寄生电容值大，若应用在高频数据通迅线路路中是很容易 对数据线路的信号传输起到信号衰减作用，致使设备无法进行正常的信号传输工作，因而 也就很难直接应用在高频数据通迅线路中来起过电压浪涌保护作用；而若采用较高电压的 半导体保护器件，虽可起到让电容值大大降低的可能性，但在过电浪涌防护时，由于动作起 保护作用时所产生的安全电全值大大超过被保护电路的安全耐压水平而致使后级电路受 到损伤而没起到保护作用。由于现在通迅产品，信号工作电压越来越低、传输速率越来越高，自我防护能力表 现越来越脆弱，常易受静电、人为操作浪涌过电压、雷击浪涌过电压受损，因而要有一种低 电压而且具有极低电容值的半导体保护器件来起保护作用优为重要。
技术实现思路
本技术的目的是提供一种低压低电容值的过电压浪涌半导体保护器件应用 于高频通迅线路中起过电压浪涌保护作用。本技术为了实现其技术目的所采用的技术方案是一种半导体浪涌保护器 件，包括壳体和从壳体伸出的第一引脚和第二引脚；在所述的壳体内设置有由电压抑制型 材料组成的电压抑制器和由降容二极管材料组成的降容器，所述的电压抑制器和降容器电 连接，电压抑制器和降容器的另外一端分别与第一引脚和第二引脚电连接。进一步的，上述的一种半导体浪涌保护器件中所述的电压抑制器为电压抑制二 级管或者稳压管。更进一步的，上述的一种半导体浪涌保护器件中所述的电压抑制二级管为瞬态 电压抑制二级管。可以是单向瞬态电压抑制二级管。也可以是双向瞬态电压抑制二级管。更进一步的，上述的一种半导体浪涌保护器件中所述的电压抑制器为晶闸管电 涌限制器。所述的降容器为低电容硅二极管芯片。本技术所述的一种半导体浪涌保护器件，是一种低电压寄生电容值极低，过 电保护响应速度极快，抑制过电压能力极强，安全保护电压水平极高，能在高频数据通迅线 路中起过电保护的一种理想的半导体浪涌保护器件。附图说明图1为本技术半导体浪涌保护器件示意图(一)；图2为本技术半导体浪涌保护器件示意图(二)；图3为本技术半导体浪涌保护器件示意图(三)；图中1、壳体，2、第一引脚，3、第二引脚、4、电压抑制器，5、降容器。具体实施方式实施例1如图1所示，本实施例是一种低压低电容值的过电压浪涌半导体保护器 件，包括壳体1有时也称保护器本体，和从壳体1伸出的第一引脚2和第二引脚3 ；在所述 的壳体1内设置有由电压抑制型材料组成的电压抑制器4和由降容二极管材料组成的降容 器5，所述的电压抑制器4和降容器5电连接，电压抑制器4和降容器5的另外一端分别与 第一引脚2和第二引脚3电连接。本实施例中电压抑制器4和降容器5通过打导电线或焊 料或可焊的导体进行连接，外面用树脂固化而露出可焊接的端电极即第一引脚2和第二引 脚3。本实施例中，电压抑制型材料的电压抑制器4为具有限压特性或开关特性并具有 非线性特征的硅材料，为限压或开关特性的非线性材料是为对过电压比较敏感且具有较强 抑制电压能力的瞬态电压抑制二级管(TVS)，也可以使用晶闸管电涌限制器(TSS)、稳压管 等其它硅芯片。降容二极管材料组成的降容器5为具有较低电容值且具有正向导通反向截 止功能的低电容硅二极管芯片。如图1所示，本实施例中瞬态电压抑制二级管TVS采用双 向的TVS，其一端接本实施例的浪涌保护器壳体1上的第一引脚2，另一端与由两个降容硅 二极管芯片反向并联后的端连接，两个降容硅二极管芯片反向并联后的另一端浪涌保护器 壳体1上的第二引脚3。本实施例采用双向电压抑制型材料与分立型的降容二极管材料结 合，而达到低电压低电容低残压高可靠性的双向过电压浪涌保护功能。实施例2，如图2所示，该实施例与实施例1相比主要差别是本实施例使用的是单 向TVS和一个降容硅二极管芯串连后与第一引脚2和第二引脚3电连接。本实施例采用单 向电压抑制型材料与分立型的降容二极管材料结合，而达到低电压低电容低残压高可靠性 的过电压浪涌保护功能，噍一的缺点就是只能进行单向保护。实施例3，如图3所示，与实施例2相比，本实施例的主要区别是采用了两个单向 TVS和降容硅二极管芯串连后再并联的电路，与第一引脚2和第二引脚3电连接。本实施例 的结构是在符合实施例1的思想结构下把具有双向电压抑制型材料调整为二颗具有单向 抑制型材料而所设计的一种具有双向功能的半导体浪涌保护器件。由以上所述，本专利技术阐述了如何通过降低电容值而实现的一种半导体浪涌过压保 护器件，并达到了抑制过电压能力更强，安全保护电压水平更高，且能有效的在高频数据通 迅线路中起过电保护的一种理想的低电容半导体浪涌保护器件设计方法。本文档来自技高网...

【技术保护点】
１．一种半导体浪涌保护器件，包括壳体（１）和从壳体（１）伸出的第一引脚（２）和第二引脚（３）；其特征在于：在所述的壳体（１）内设置有由电压抑制型材料组成的电压抑制器（４）和由降容二极管材料组成的降容器（５），所述的电压抑制器（４）和降容器（５）电连接，电压抑制器（４）和降容器（５）的另外一端分别与第一引脚（２）和第二引脚（３）电连接。

【技术特征摘要】
1.一种半导体浪涌保护器件，包括壳体(1)和从壳体(1)伸出的第一引脚(2)和第二 引脚(3)；其特征在于在所述的壳体(1)内设置有由电压抑制型材料组成的电压抑制器 ⑷和由降容二极管材料组成的降容器(5)，所述的电压抑制器⑷和降容器(5)电连接， 电压抑制器(4)和降容器(5)的另外一端分别与第一引脚( 和第二引脚(3)电连接。2.根据权利要求1所述的一种半导体浪涌保护器件，其特征在于所述的电压抑制器 (4)为电压抑制二级管。3.根据权利要求2所述的一种半导体浪涌保护器件，其特征在于所述的电压抑制二 级管为瞬态电压抑制二级管...

【专利技术属性】
技术研发人员：周云福，
申请(专利权)人：百圳君耀电子深圳有限公司，
类型：实用新型
国别省市：94