【技术实现步骤摘要】
本技术属于硅单晶制备设备
，具体涉及一种直拉式硅单晶生长炉用 导流筒。
技术介绍
硅单晶是制造集成电路和太阳能电池的主要原料，硅单晶的生长主要利用直拉式 硅单晶生长炉，将硅多晶原材料放入坩埚中，通过加热器将硅多晶原材料熔化，然后，通过 籽晶引导、向上提拉的方法生长出理想的硅单晶。在连续向上提拉的硅单晶生长工艺过程 中，工艺气体(高纯氩气)从硅单晶生长炉顶部充入，为了保证硅单晶的稳定快速生长和挥 发物的及时排除，在坩埚上面安装有导流筒，氩气经过导流筒和保温罩的内壁，再通过真空 泵从硅单晶生长炉下部抽气口排出。但是，在硅单晶生长过程中，硅单晶棒与导流筒下端之 间形成环形的缝隙，当氩气流经导流筒下端时，根据流体力学原理，一旦硅单晶棒与导流筒 下端不同心，硅单晶棒和导流筒下端之间就会产生宽度不均勻的缝隙，不均勻的氩气流动 就会引起硅单晶棒晃动，从而影响硅单晶的正常生长。
技术实现思路
本技术的目的是提供一种结构简单、使用方便的直拉式硅单晶生长炉用导流 筒，能有效改变硅单晶棒与导流筒下端之间的气体流动模型，以避免硅单晶棒的晃动，进而 提高了生产效率。本技术所采用的技术方案是，一种直拉式硅单晶生长炉用导流筒，包括导流 筒本体，导流筒本体为上大下小的锥形筒状结构，导流筒本体的下端部呈环状分布均勻开 有多个分流槽。分流槽的纵向截面为拱形、矩形、梯形、圆弧形或三角形。安装有本技术直拉式硅单晶生长炉用导流筒的直拉式硅单晶生长炉在工作 时，氩气从直拉式硅单晶生长炉的上部进入后，通过导流筒本体的聚流，再经过分流槽的分 流，就改变了硅单晶棒与导流筒下端部之间的氩气流动模型，改善...
【技术保护点】
１．一种直拉式硅单晶生长炉用导流筒，其特征在于，包括导流筒本体（１），所述导流筒本体（１）为上大下小的锥形筒状结构，所述导流筒本体（１）的下端部呈环状分布均匀开有多个分流槽（２）。
【技术特征摘要】
1.一种直拉式硅单晶生长炉用导流筒，其特征在于，包括导流筒本体(1 )，所述导流筒 本体(1)为上大下小的锥形筒状结构，所述导流筒本体(1)的下端部呈环状分 ...
【专利技术属性】
技术研发人员：李留臣，
申请(专利权)人：江苏华盛天龙光电设备股份有限公司，
类型：实用新型
国别省市：32
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