一种金属陶瓷复合膜真空离子镀膜机制造技术

本实用新型专利技术公开了一种金属陶瓷复合膜真空离子镀膜机，包括真空镀膜室，样品架，机架，所述机架连接所述真空镀膜室底部外壁，所述样品架位于所述真空镀膜室腔内并与真空镀膜室底部内壁固定相接，所述真空镀膜室内配置有金属离子装置和射频磁控溅射装置。本实用新型专利技术结构简单，装配方便，产品成本低廉，效率高，满足人们对金属表面处理工艺的使用要求，高耐磨损度和高耐腐蚀性。（*该技术在2020年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及用于金属表面处理的真空离子镀膜设备，尤其涉及一种金属陶瓷复合膜真空离子镀膜机。
技术介绍
目前，对金属表面处理的方法主要是通过真空离子机对金属表面进行镀膜，以提高金属的耐磨损度和耐腐蚀性，其主要的原理是通过电弧蒸发或磁控溅射在金属的表面形成一层金属膜，但是采取这样的镀膜方式得到的膜结构的抗腐蚀性能仍然满足不了人们的需求。而实验发现，陶瓷和金属混合在一起形成的膜结构，其耐磨损度和耐腐蚀性都有显著的提高，而且呈现透明状，这样的膜结构更加符合人们对膜的使用要求，所以急需一种可以生产出高耐磨损度和高耐腐蚀性，且呈透明状态的金属陶瓷复合膜的真空离子镀膜机。
技术实现思路
为了得到一种可以生产高耐磨损度和高耐腐蚀性，呈透明状态的金属陶瓷复合膜，并且结构简单，成本低廉，组装方便的真空离子镀膜机，本技术提出一个新的技术解决方案，具体内容如下：一种金属陶瓷复合膜真空离子镀膜机，包括真空镀膜室，样品架，机架，所述机架连接所述真空镀膜室底部外壁，所述样品架位于所述真空镀膜室腔内并与真空镀膜室底部内壁固定相接，所述真空镀膜室内配置有电弧靶和射频磁控溅射装置。所述电弧靶位于所述真空镀膜室的一个侧面的内壁上，所述射频磁控溅射装置位于电弧靶所在真空镀膜室侧面的相对面中部。所述电弧靶呈矩形，数量为四，电弧靶互相隔开，其中两个电弧靶位于真空镀膜室侧面上靠近该侧面顶端的位置，另外两个电弧靶则位于所述真空室镀膜室侧面上靠近该侧面底端的位置；所述射频磁控溅射装置数量为一。所述射频磁控溅射装置包括一射频磁控溅射靶和一射频匹配器，所述射频磁控溅射靶呈平面形，其一侧与真空镀膜室相连，另一侧与所述射频匹配器连接。当同时启动电弧靶和射频磁控溅射装置时，就可以在工件上实现金属相和陶瓷相的离子弥散复合。又或者通过直流磁控溅射装置得到金属相的离子，再与射频磁控溅射装置产生的陶瓷相离子复合，该真空离子镀膜机的原理如下：一种金属陶瓷复合膜真空离子镀膜机，包括真空镀膜室，样品架，机架，所述机架连接所述真空镀膜室底部外壁，所述样品架位于所述真空镀膜室腔内并与真空镀膜室底部内壁固定相接，所述真空镀膜室内配置有直流磁控溅射装置和射频磁控溅射装置。所述直流磁控溅射装置包括一个柱型直流磁控溅射靶和一矩形平面直流磁控溅射靶；所述柱型直流磁控溅射靶的一端连接真空镀膜室的顶面中心；所述平面直流磁控溅射靶位于真空镀膜室的前端或后端。-->或者所述直流磁控溅射装置包括一个柱型直流磁控溅射靶和四个圆形平面直流磁控溅射靶；所述柱型直流磁控溅射靶的一端连接真空镀膜室顶面中心；所述四个圆形平面直流磁控溅射靶互相隔开，并位于真空镀膜室的前端或后端。用圆形平面磁控溅射靶的主要有点是靶材选取比较容易，而且体积小方便小样试验，但是镀膜的均匀度就不如矩形平面直流磁控溅射靶好。所述射频磁控溅射装置固定在真空镀膜室前表面内壁中部；所述射频磁控溅射装置包括一射频磁控溅射靶和一射频匹配器，所述射频磁控溅射靶呈平面形，其一侧与真空镀膜室相连，另一侧与所述射频匹配器连接。当同时启动直流磁控溅射装置和射频磁控溅射装置时，就可以在工件上实现金属相和陶瓷相的离子弥散复合。本技术产生如下有益效果：本技术结构简单，装配方便，产品成本低廉，效率高，满足人们对金属表面处理工艺的使用要求，高耐磨损度和高耐腐蚀性。附图说明图1为本技术第一种结构侧视图；图2为本技术第二种结构侧视图；图3为本技术第三种结构侧视图。具体实施方式本技术的第一种结构，如图1所示，主要包括真空镀膜室1、样品架2、机架3、射频磁控溅射装置4、四个矩形电弧靶5。机架3连接真空镀膜室1底部外壁，而样品架2则位于真空镀膜室1腔内并与真空镀膜室1的底部内壁固定相接。四个电弧靶5主要用于产生金属离子，它们位于所述真空镀膜室1的一个侧面的内壁上，各个电弧靶5之间互相隔开，其中两个电弧靶5位于真空镀膜室1侧面上靠近该侧面顶端的位置，另外两个电弧靶则位于所述真空室镀膜室侧面上靠近该侧面底端的位置。而射频磁控溅射装置4就用来产生非金属离子，如陶瓷，它位于电弧靶所在真空镀膜室侧面的相对面中部，它主要包括一个平面射频磁控溅射靶和一个射频匹配器，平面射频磁控溅射靶一侧与真空镀膜室1相连，另一侧就与射频匹配器连接。当同时启动电弧靶5和射频磁控溅射装置4时，就可以在工件上实现金属相和陶瓷相的离子弥散复合。如图2所示，本技术第二种结构主要包括真空镀膜室1、样品架2、机架3、射频磁控溅射装置4、直流磁控溅射装置6。样品架2、机架3在真空镀膜室1内的安装位置与第一种结构相同，而用于产生金属离子的直流磁控溅射装置6就位于真空镀膜室1内，它包括一个柱型直流磁控溅射靶和一矩形平面直流磁控溅射靶；柱型直流磁控溅射靶的一端连接真空镀膜室1的顶面中心；而平面直流磁控溅射靶就位于真空镀膜室1的前端或后端。另外，射频磁控溅射装置4固定在真空镀膜室1的前表面内壁中部，其基本构成与第一种结构中描述的射频磁控溅射装置结构一样。当同时启动直流磁控溅射装置和射频磁控溅射装置时，就可以在工件上实现金属相和陶瓷相的离子弥散复合。如图3所示的本技术第三种结构，它与第二种结构的区别在于用于产生金属-->离子的直流磁控溅射装置6的结构不同，第三种结构中的直流磁控溅射装置6主要包括一个柱型直流磁控溅射靶和四个圆形平面直流磁控溅射靶。柱型直流磁控溅射靶的一端连接真空镀膜室1的顶面中心；而四个圆形平面直流磁控溅射靶则互相隔开后位于真空镀膜室1的前端或后端。用圆形平面磁控溅射靶的主要有点是靶材选取比较容易，而且体积小方便小样试验，但是镀膜的均匀度就不如矩形平面直流磁控溅射靶好，满足不同使用者的不同使用要求。由于利用本技术所产生的复合膜同时具有陶瓷相和金属相的特性，因此具有更耐热、耐磨、耐腐蚀的良好特性。对于本领域的技术人员来说，可根据以上描述的技术方案以及构思，作出其他各种相应的改变以及变形，而所有的这些改变以及变形都应该属于本技术权利要求的保护范围之内。-->本文档来自技高网...

【技术保护点】
１．一种金属陶瓷复合膜真空离子镀膜机，包括真空镀膜室，样品架，机架，所述机架连接所述真空镀膜室底部外壁，所述样品架位于所述真空镀膜室腔内并与真空镀膜室底部内壁固定相接，其特征在于，所述真空镀膜室内配置有电弧靶和射频磁控溅射装置。

【技术特征摘要】
1.一种金属陶瓷复合膜真空离子镀膜机，包括真空镀膜室，样品架，机架，所述机架连接所述真空镀膜室底部外壁，所述样品架位于所述真空镀膜室腔内并与真空镀膜室底部内壁固定相接，其特征在于，所述真空镀膜室内配置有电弧靶和射频磁控溅射装置。2.如权利要求1所述的一种金属陶瓷复合膜真空离子镀膜机，其特征在于，所述电弧靶位于所述真空镀膜室的一个侧面的内壁上，所述射频磁控溅射装置位于电弧靶所在真空镀膜室侧面的相对面中部。3.如权利要求2所述的一种金属陶瓷复合膜真空离子镀膜机，其特征在于，所述电弧靶呈矩形，数量为四，电弧靶互相隔开，其中两个电弧靶位于真空镀膜室侧面上靠近该侧面顶端的位置，另外两个电弧靶则位于所述真空室镀膜室侧面上靠近该侧面底端的位置；所述射频磁控溅射装置数量为一。4.如权利要求3所述的一种金属陶瓷复合膜真空离子镀膜机，其特征在于，所述射频磁控溅射装置包括一射频磁控溅射靶和一射频匹配器，所述射频磁控溅射靶呈平面形，其一侧与真空镀膜室相连，另一侧与所述射频匹配器连接。5.一种金属陶瓷复合膜真空离子镀膜机，包括真空镀膜室，样品架，机架，...

【专利技术属性】
技术研发人员：黄瑞安，
申请(专利权)人：黄瑞安，
类型：实用新型
国别省市：44