改良式硅芯片承载装置制造方法及图纸

本实用新型专利技术公开了一种改良式硅芯片承载装置，其包括承载板体及供气单元。所述承载板体具有至少一个钻孔及至少一个导槽，而承载板体与被承载的硅芯片呈真空吸附状态。此外，供气单元设置于承载板体的周围，并提供气流以通过承载板体的钻孔，从而破除承载板体与硅芯片的真空吸附状态。由此，承载板体与硅芯片之间的真空吸附力被解除后，可利用吸附单元快速吸取硅芯片。（*该技术在2020年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及一种硅芯片承载装置，特别是涉及这样一种改良式硅芯片承载装 置，该承载装置中的承载板体具有钻孔，可使供气单元提供的气流通过，以破除硅芯片与承 载板体之间的真空吸附状态。
技术介绍
在太阳能产业中，硅芯片的传送过程在产能的提升或产品合格率及缺陷上均扮演 着举足轻重的角色。换言之，承载硅芯片的承载板体与吸取硅芯片的吸盘之间的配合必须 效率化及最佳化。然而，公知的柏努力吸盘在吸取承载板体上的硅芯片常需耗时10至15 秒。如此一来，不仅对产能有很大的影响，更容易因该公知的承载板体具有定位孔的设计， 而使得硅芯片严重回镀(back-plating)。有鉴于此，本申请的专利技术人提出了一种改良式硅 芯片承载装置，以改善上述问题。
技术实现思路
针对公知技术的问题，本技术的目的就是提供一种改良式硅芯片承载装置， 在该承载装置中，承载板体具有至少一个钻孔以及至少一个导槽，并通过供气单元提供气 流以通过钻孔，从而破除硅芯片与承载板体之间的真空吸附状态。参照本技术的目的，提出一种改良式硅芯片承载装置，其包括承载板体及供 气单元。具体地说，承载板体具有至少一个钻孔，而承载板体与被承载的硅芯片呈真空吸附 状态。供气单元设置在承载板体的周围，并提供气流以通过上述钻孔，从而破除承载板体与 硅芯片之间的真空吸附状态。具体地说，钻孔的数量及形式并不具有局限性，不论是以直钻或是任何形式斜钻 的方式都可以，该斜角在O至90度的范围内，且承载板体由石墨和碳纤聚合材料所组成的 复材板制成。再者，供气单元设置的位置可调整，只要供气单元所提供的气流可顺利地通过 承载板体的钻孔即可。同样，供气单元的气流的大小及方向与钻孔配合，从而可调整。最后， 承载板体与硅芯片之间的真空吸附力被解除后，可利用吸附单元来快速吸取硅芯片。通过上述说明，根据本技术的改良式硅芯片承载装置可具有下述优点(1)依据本技术的改良式硅芯片承载装置，当承载板体与硅芯片之间的真空 吸附状态被破除时，吸附单元可快速吸取硅芯片。所谓快速吸取对本技术而言，被定义 为约0.2秒。(2)依据本技术的改良式硅芯片承载装置，承载板体并未设有定位孔，因而可 改善硅芯片严重回镀的问题。附图说明图1为本技术的改良式硅芯片承载装置的承载板体的示意图。图2为本技术的改良式硅芯片承载装置的示意图。图3为本技术的改良式硅芯片承载装置的供气单元及吸附单元的示意图。主要组件符号说明100:承载板体；110:钻孔；120:导槽;200 硅芯片；300:供气单元；310:气流;400:吸附单元。具体实施方式根据本技术的技术特征，以下将参照相关附图图说明根据本技术的改良 式硅芯片承载装置的实施例，为便于理解，下述实施例中的相同组件以相同的符号标示来 说明。首先，请参阅图1，该图为本技术的改良式硅芯片承载装置的承载板体的示意 图。如图1所示，本技术的改良式硅芯片承载装置的承载板体100具有至少一个钻孔 110及至少一个导槽120，所述钻孔110的斜角在0至90度的范围内，所述斜角是钻孔110 与承载板体100的平面法线的夹角。换言之，本技术的承载板体100上的钻孔110可 以只有一个，当然也可以布满整个承载板体100，且钻孔110不论采用直钻或任何形式斜钻 的方式，皆为本技术所欲主张的技术范围的样态。因此，在图1中举例示出承载板体100具有4个钻孔110及4个导槽120的例子， 且钻孔110及导槽120有共同的几何中心，钻孔110及导槽120都由该几何中心往外呈放 射状排列。其中，导槽120的功能在于将从外部所导入的气流均勻化且可用于释放多余的 气流，以使承载板体100内分布的气流平稳。当然，无论是钻孔110或导槽120的数量或排 列的位置都仅为举例，并不具限制性。值得注意的是，本技术的承载板体100由石墨和 碳纤聚合材料所组成的复材板制成，且承载板体100并未设有定位孔。请同时参阅图2和图3，图2和图3分别为本技术的改良式硅芯片承载装置的 示意图及本技术的改良式硅芯片承载装置的供气单元及吸附单元的示意图。如图2及 图3所示，承载板体100用于承载至少一个硅芯片200，而承载板体100与被承载的硅芯片 200之间呈真空吸附状态。也就是说，当承载板体100在传送的过程中，每一片硅芯片200 与承载板体100都通过真空吸附而彼此紧密贴合。在此强调，上述承载板体100位于所承 载的硅芯片200处都包括至少一个钻孔110及至少一个导槽120，当然本技术的承载板 体100也可承载多个硅芯片200。总之，本技术的承载板体100在对应每个硅芯片200 处都包含至少一个钻孔110及至少一个导槽120，以利于破除硅芯片200与承载板体100之 间的真空吸附状态。此外，本技术还包括供气单元300，其设置于承载板体100的周围， 该供气单元300可提供气流310以通过上述钻孔110，并以此破除硅芯片200与承载板体 100之间的真空吸附状态，使得承载板体100与硅芯片200得以分离。由此，可以了解的是 本技术的主要技术特征在于可通过外在的供气单元300提供气流310，并将气流310吹 向承载板体100的钻孔110，从而使承载板体100与硅芯片200之间的真空吸附力被解除。4从而，供气单元300设置的位置能够被调整，只要供气单元位于承载板体100的周围以使得 供气单元300所提供的气流310可顺利地通过承载板体100的钻孔110即可。虽然图3示 出了供气单元300设置于承载板体100下方，但值得注意的是，这仅是举例性的示意，而非 为限制性表示。也就是说，供气单元300的气流310的大小及方向与钻孔110配合。举例来说，供 气单元300可设置于承载板体100的钻孔110的下方，所以供气单元300的气流310可往 上轻易地吹至上方的承载板体100的钻孔110，并以此解除承载板体100与被承载的硅芯片 200之间的真空吸附状态；然而，这仅为举例，并非具有限制性，只要供气单元300设置的位 置可使气流310通过承载板体100上的钻孔110，并以此解除承载板体100与被承载的硅芯 片200之间的真空吸附状态即可。如果供气单元300离承载装置100较远时，即可调整放 大该气流310的流量。反之，供气单元300离承载装置100较近时，可调整减低该气流310 的流量。总之，供气单元300的气流310的大小及方向可调整，在生产在线的使用非常具有 便利性。总的来说，本技术的承载板体100与硅芯片200之间的真空吸附力被解除后， 可利用吸附单元400快速吸取硅芯片200。对于本技术而言，所谓快速吸取的定义为约 0. 2秒。也就是说，供气单元300解除该真空吸附力所耗时相当短，吸附单元400不需在硅 芯片200上停留太久的时间，因而可增大生产线的产能并提高硅芯片200的合格率。另外， 所述吸附单元400为符合柏努力定律的吸盘，在供气单元300强制破除真空后，以快速有效 率的方式吸取硅芯片200，同时可减少破坏硅片发生的机率。上述描述仅为举例性，而非为限制性。任何未脱离本技术的精神与范畴，而对 其进行的等效修改或变更，均应落入本申请的专利范围中。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种改良式硅芯片承载装置，其特征在于该装置包括：　　承载板体，具有至少一个钻孔；以及　　供气单元，设置于所述承载板体的周围，该供气单元提供气流，该气流通过所述至少一个钻孔，以破除所述承载板体与被承载的硅芯片之间所呈现的真空吸附状态。

【技术特征摘要】
1.一种改良式硅芯片承载装置，其特征在于该装置包括 承载板体，具有至少一个钻孔；以及供气单元，设置于所述承载板体的周围，该供气单元提供气流，该气流通过所述至少一 个钻孔，以破除所述承载板体与被承载的硅芯片之间所呈现的真空吸附状态。2.如权利要求1所述的改良式硅芯片承载装置，其特征在于该装置还包括吸附单元， 当所述承载板体与所述硅芯片之间的真空吸附状态被破除时，该吸附单元用于吸取所述硅芯片。3.如权利要求1所述的改良式硅芯片承载装置，其特征在于所述供气单元被设置于所 述承载板体的下方。...

【专利技术属性】
技术研发人员：杨新兴，张育升，张颢骞，叶耿伟，陈威有，林俊良，
申请(专利权)人：茂迪股份有限公司，
类型：实用新型
国别省市：71