发光器件、发光器件封装以及照明系统技术方案

本发明专利技术涉及发光器件、发光器件封装以及照明系统。公开了一种发光器件。发光器件包括：发光结构层，该发光结构层包括第一半导体层、有源层、以及第二半导体层；电极，该电极被电气地连接到第一半导体层；电极层，该电极层在发光结构层下面；以及导电支撑构件，该导电支撑构件在电极层下面。导电支撑构件包括从至少一个边缘凸出的突出部。

【技术实现步骤摘要】

本公开涉及发光器件、发光器件封装、以及照明系统。
技术介绍
在物理和化学特性方面，III-V族氮化物半导体已经被广泛地用作诸如发光二极管(LED)和激光二极管(LD)的发光器件的核心材料。通常，III-V族氮化物半导体包括具有^！…脚^-力(其中0彡χ彡1，0彡y彡1，并且0彡x+y彡1)的组成式的半导体材料。LED是下述半导体器件，其通过使用化合物半导体的特性将电变成红外线或者光以传输/接收信号。并且LED还被用作光源。使用氮化物半导体材料的LED或LD主要被用于提供光的发光器件。例如，LED或 LD被用作诸如蜂窝电话的键区的发光部分、电子标识牌、以及照明装置的各种产品的光源。
技术实现思路
实施例提供实施例提供一种发光器件，该发光器件包括能够提高光提取效率。实施例提供实施例提供一种发光器件，该发光器件包括从发光结构层下面的支撑构件的边缘凸出的突出部。实施例提供一种发光器件，该发光器件包括从支撑构件的横向表面向内凹陷的凹陷部分。实施例提供具有发光器件的发光器件封装和照明系统。根据实施例，发光器件包括发光结构层，该发光结构层包括第一半导体层、有源层、以及第二半导体层；电极，该电极被电气地连接到第一半导体层；发光结构层下面的电极层；以及导电支撑构件，该导电支撑构件在电极层下面，并且包括从其至少一个边缘凸出的突出部。根据实施例，发光器件包括发光结构层，该发光结构层包括第一半导体层、有源层、以及第二半导体层；电极，该电极被电气地连接到第一半导体层；电极层，该电极层在发光结构层下面；以及导电支撑构件，该导电支撑构件在电极层下面，并且包括从其至少一个边缘凸出的突出部和从其至少一个横向表面向内凹陷的凹陷部分。附图说明图1是示出根据第一实施例的发光器件的截面图；图2至图12是示出图1的发光器件的制造工艺的截面图；图13是示出根据第二实施例的发光器件的截面图；图14是示出具有图1的发光器件的发光器件封装的截面图；图15是示出根据实施例的显示装置的图；图16是示出根据实施例的另一显示装置的图；以及图17是示出根据实施例的照明装置的图。具体实施例方式在实施例的描述中，将会理解的是，当层(或膜)、区域、图案或结构被称为在另一基板、另一层(或者膜)、另一区域、另一垫、或者另一图案“上”或者“下”时，它能够“直接地”或者“间接地”在另一基板、层(或者膜)、区域、垫、或者图案上，或者还可以存在一个或者多个中间层。已经参考附图描述该种层的位置。出于便于描述和清晰的目的，附图中每层的厚度或者尺寸可以被夸大、省略、或示意性示出。此外，元件的尺寸没有完全反映实际尺寸。图1是根据第一实施例的发光器件100的截面图。参考图1，发光器件100包括发光结构层135、第一电极171、沟道层140、电极层 150、导电支撑构件160、第一突出部201、以及第二突出部203。发光器件100是包括多个化合物半导体层的半导体发光器件。半导体发光器件包括LED (发光二极管)，并且LED可以包括发射蓝色、红色、或者绿色的光的彩色LED或者UV LED。发光结构层135包括多个化合物半导体层。例如，发光结构层135包括第一半导体层110、有源层120、以及第二半导体层130。第一半导体层110可以包括被掺杂有第一导电类型掺杂物的III-V族元素的化合物半导体。例如，第一半导体层110可以包括具有hxAlyGai_x_yN(0彡X彡1，0彡y彡1， 0 ^ x+y ^ 1)的组成式的半导体材料。例如，第一半导体层110可以包括从由GaN、A1N、 AlGaN, InGaN, hN、hAlfeiN、AUnN、AlGaAs、GaP、GaAs、GaAsP、以及 AlGaInP 组成的组中选择的一个。第一半导体层110是N型半导体，并且第一导电掺杂物包括诸如Si、Ge、Sn、Se、 或者Te的N型掺杂物。第一半导体层110可以具有单层结构或者多层结构。如果第一半导体层110具有多层结构，那么至少一个层可以包括未掺杂的层。第一电极171被形成在第一半导体层110上，并且具有具有预定的形状的焊盘和 /或图案的形式。第一电极171可以被设置在第一半导体层110的上部分的外部或者中心部分处。第一电极171可以具有圆形或者多边形的外观。第一电极171可以进一步包括臂图案。第一电极171可以被布置在除了第一半导体层110的上部之外的其他区域处，并且可以被电气地连接到第一半导体层110。第一电极171可以具有包括从由Ti、Al、In、Ta、Pd、Co、Ni、Si、Ge、Ag以及Au组成的组中选择的一个的多层结构或者单层结构。有源层120可以被插入在第一半导体层110和第二半导体层130之间，并且可以包括单量子阱结构、多量子阱结构、量子线结构以及量子点结构中的至少一个。有源层120可以具有包括由III-V族元素的化合物半导体组成的阱和阻拦层的堆叠结构。例如，有源层120可以具有InGaN阱/GaN阻拦层、InGaN阱/AWaN阻拦层、或者 InGaN阱/InGaN阻拦层的堆叠结构，但是实施例不限于此。阻拦层的带隙可以高于阱层的带隙。导电包覆层可以被形成在有源层120上面和/或下面。导电包覆层可以包括GaN 基半导体。导电包覆层的带隙可以高于阻拦层的带隙。第二半导体层130被形成在有源层120下面，并且可以包括被掺杂有第二导电类型掺杂物的III-V族元素的化合物半导体。例如，第二半导体层130可以包括具有 InxAlyGa1^yN(0彡χ彡1，0彡y彡1，以及0彡x+y彡1)的组成式的半导体材料。例如，第二半导体层 130 可以包括从由 feiN、A1N、AlfeiN、InGaN, InN, InAlGaN, AlInN, AlGaAs, GaP, GaAs,GaAsP,以及AlfetInP组成的组中选择的一个。如果第二导电类型是P型半导体，那么第二导电类型掺杂物包括诸如Mg、或者Si的P型掺杂物。第二半导体层130可以具有单层结构或者多层结构，但是实施例不限于此。如果第二半导体层130具有多层结构，那么至少一个层可以包括未掺杂的层。第一半导体层110、有源层120、以及第二半导体层130可以被定义为发光结构层 135。另外，具有与第一导电层相反的极性的半导体层可以被形成在第二半导体层130 上，其中，半导体层被形成在N型半导体层中。第一半导体层110可以包括P型半导体层， 并且第二半导体层130可以包括N型半导体层。发光结构层135可以包括N-P结结构、P-N 结结构、N-P-N结结构、以及P-N-P结结构中的至少一个。沟道层140可以被形成在发光结构层135的下面。沟道层140的内部可以被设置在发光结构层135的下部的外围部分处，并且沟道层140的外部可以延伸到发光结构层135 的横向表面之外。沟道层140可以以带状、环形、或者具有多边形或者圆形的框架形状被形成在第二半导体层130的下面。沟道层140可以包括透射绝缘层或者透射导电层。例如，沟道层140可以包括从由 SiO2、Si0x、Si0xNy、Si3N4、A1203、TiO2、ITO (铟锡氧化物)、IZO (铟锌氧化物)、IZTO (铟锌锡氧化物)、IAZO (铟铝锌氧化物)、IGZO (铟镓锌氧化物)、IGT本文档来自技高网...

【技术保护点】
１．一种发光器件，包括：发光结构层，所述发光结构层包括第一半导体层、有源层、以及第二半导体层；电极，所述电极被电气地连接到所述第一半导体层；电极层，所述电极层在发光结构层的下面；以及导电支撑构件，所述导电支撑构件在所述电极层下面，其中，所述导电支撑构件包括从其至少一个边缘凸出的突出部。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：郑畴溶，郑泳奎，
申请(专利权)人：LG伊诺特有限公司，
类型：发明
国别省市：KR