一种过流过压保护IC芯片制造技术

一种过流过压保护IC芯片，涉及一种半导体器件的制造技术领域，在P-区的两面局部分别矩阵设置P扩散区，在所述P-区及P扩散区的另一面分别设置N扩散区，在所述N扩散区的外侧分别设置玻璃钝化区，在所述N扩散区表面局部分别设置P+扩散区，在部分所述P+扩散区的另一面分别设置镀膜区，在所述设置有镀膜区的P+扩散区的外侧、其余P+扩散区的外表面及N扩散区的外表面分别设置PN结平面SiO2保护区。本实用新型专利技术的结电容低，漏电流控制小，保护电压可由扩散条件调节和控制，拓宽了产品材料电阻率的使用范围，有效解决了保护电压对材料电阻率的依赖，降低了生产成本。（*该技术在2020年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及一种半导体器件的制造
，特别是一种特种结构的保护IC 芯片的制备

技术介绍
当今保护IC芯片制造中较先进的技术是采用一种N型的抛光外延片进行制备，其 工艺步骤为氧化、清洗、隔离、光刻、扩散、表面保护、蒸发、合金、测试、减薄、划片。该方法 的不足之处为产品所用材料为外延抛光片，价格昂贵，生产成本高；生产工艺中采用的是 平面生产工艺，产品的结电容大；保护电压由所选材料的电阻率决定，不可调节；对于器件 信号端输入的信号是负信号，方能进行线路的保护，而很多线路给出的告警信号是正信号， 因此，为了实现保护功能，线路中必须增加相应的元器件，使得生产成本增加，线路变得复ο
技术实现思路
本技术的目的是提供一种漏电流小、结电容低的、信号端是正极性的质量稳 定可靠的保护器件芯片。本技术在P-区的两面局部分别矩阵设置P扩散区，在所述P-区及P扩散区 的另一面分别设置N扩散区，在所述N扩散区的外侧分别设置玻璃钝化区，在所述N扩散区 表面局部分别设置P+扩散区，在部分所述P+扩散区的另一面分别设置镀膜区，在所述设置 有镀膜区的P+扩散区的外侧、其余P+扩散区的外表面及N扩散区的外表面分别设置PN结 平面SiO2保护区。本技术在P-区的两面局部分别矩阵设置P扩散区，减少大电流的冲击，提高 导通的响应速度；P-区及P扩散区的另一面分别设置N扩散区，产品的电压由扩散条件决 定，有效的解决了保护电压对材料电阻率的依赖性，可以通过调节，大幅度拓宽了对材料电 阻率的使用范围，降低了产品的生产成本；N扩散区内局部分别设置P+扩散区，以形成触发 及信号告警端口 ；在P扩散区的外侧分别设置玻璃钝化区，有效的降低了产品的结电容，产 品的漏电流小。附图说明图1为本技术结构示意图。具体实施方式图1中，1为P-区，2、3、4、5为P扩散区、6、7为N扩散区、8、9、10、11为P+扩散区， 12、13、14、15为玻璃钝化区，16、17、18为镀膜区，19、20、21、22、23为SiO2保护区。如图1所示，本技术在P-区1的两面局部分别矩阵设置P扩散区2、3、4、5，在 P-区1及P扩散区2、3、4、5的另一面分别设置N扩散区6、7，在N扩散区6、7的外侧分别设置玻璃钝化区12、13、14、15。 在N扩散区6、7表面分别设置P+扩散区8、9、10、11，在P+扩散区8、9、11及N扩 散区7的另一面分别设置镀膜区16、17、18，在P+扩散区8、9的外侧、P+扩散区10的表面 及N扩散区6、7的表面分别设置PN结平面SiO2保护区19、20、21、22、23。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种过流过压保护ＩＣ芯片，其特征在于在Ｐ－区的两面局部分别矩阵设置Ｐ扩散区，在所述Ｐ－区及Ｐ扩散区的另一面分别设置Ｎ扩散区，在所述Ｎ扩散区的外侧分别设置玻璃钝化区，在所述Ｎ扩散区表面局部分别设置Ｐ＋扩散区，在部分所述Ｐ＋扩散区的另一面分别设置镀膜区，在所述设置有镀膜区的Ｐ＋扩散区的外侧、其余Ｐ＋扩散区的外表面及Ｎ扩散区的外表面分别设置ＰＮ结平面ＳｉＯ２保护区。

【技术特征摘要】
1. 一种过流过压保护IC芯片，其特征在于在P-区的两面局部分别矩阵设置P扩散区， 在所述P-区及P扩散区的另一面分别设置N扩散区，在所述N扩散区的外侧分别设置玻璃 钝化区，在所述N扩散...

【专利技术属性】
技术研发人员：周明，申云，
申请(专利权)人：南通明芯微电子有限公司，
类型：实用新型
国别省市：32