阵列基板和液晶显示器制造技术

本实用新型专利技术公开了一种阵列基板和液晶显示器，其中该阵列基板，包括衬底基板，所述衬底基板上形成有横纵交叉围设形成多个像素单元的数据线和栅线，每个像素单元中包括像素电极和薄膜晶体管开关元件，所述薄膜晶体管开关元件包括栅电极、源电极、漏电极和有源层，其中：所述栅电极与有源层之间设置有栅绝缘层，所述栅绝缘层包括不透明绝缘层。本实用新型专利技术阵列基板的栅绝缘层包括不透明绝缘层，可以阻止背光照射到有源层上，减小光照漏电流，提高薄膜晶体管开关元件的性能，可以防止背光区域产生漏光，减少彩膜基板上的黑矩阵面积，提高TFT-LCD开口率。（*该技术在2020年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及液晶显示技术，尤其涉及一种阵列基板和液晶显示器。
技术介绍
液晶显示器是目前常用的平板显示器，其中薄膜晶体管液晶显示器(Thin Film Transistor Liquid Crystal Display，简称TFT-LCD)是液晶显示器中的主流产品。图IA为现有典型阵列基板的局部俯视结构示意图，图IB为图IA中沿A-A线的侧 视剖切结构示意图，如图IA和图IB所示，采用现有四次光刻技术，形成的阵列基板包括衬 底基板1 ；衬底基板1上形成有横纵交叉的数据线5和栅线2 ；数据线5和栅线2围设形成 矩阵形式排列的像素单元；每个像素单元包括薄膜晶体管开关元件TFT和像素电极11 ；薄 膜晶体管开关元件TFT包括栅电极3、源电极7、漏电极8和有源层6 ；栅电极3连接栅线2， 源电极7连接数据线5，漏电极8通过钝化层过孔10连接像素电极11，有源层6形成在源 电极7和漏电极8与栅电极3之间，栅电极3和有源层6之间为栅绝缘层4，像素电极11与 漏电极8之间为钝化层9，像素电极11通过钝化层过孔10与漏电极8连通。其中，栅线2、 数据线5、栅电极3、源电极7、漏电极8和像素电极11等图案统称为导电图案，栅绝缘层4 和钝化层9统称为绝缘层。现有的TFT-IXD多为投射式，背光照射到有源层之后，容易出现漏电流(Ioff)现 象，降低显示质量，需要在彩膜基板上采用黑矩阵遮光，开口率低。
技术实现思路
本技术提供一种阵列基板和液晶显示器，以减小光照漏电流，提高开口率。本技术提供一种阵列基板，包括衬底基板，所述衬底基板上形成有横纵交叉 围设形成多个像素单元的数据线和栅线，每个像素单元中包括像素电极和薄膜晶体管开关 元件，所述薄膜晶体管开关元件包括栅电极、源电极、漏电极和有源层，其中所述栅电极与有源层之间设置有栅绝缘层，所述栅绝缘层包括不透明绝缘层。进一步地，所述栅绝缘层还包括透明绝缘层，所述透明绝缘层形成在所述不透明 绝缘层之下。其中，所述不透明绝缘层对应所述数据线、源电极、漏电极设置。优选地，所述不透明绝缘层的面积大于其上层的数据线或有源层的面积。所述不透明绝缘层为黑色树脂绝缘层。再进一步地，所述不透明绝缘层的厚度优选为10000 ~ 20000人。所述透明绝缘层的厚度优选为500 ~ 5000A。本技术还提供一种液晶显示器，包括液晶面板，所述液晶面板包括对盒设置 的彩膜基板和本技术提供的任一所述的阵列基板，所述彩膜基板和阵列基板中夹设有 液晶层。本技术提供的阵列基板和液晶显示器，阵列基板的栅绝缘层包括不透明绝缘层，可以阻止背光照射到有源层上，减小光照漏电流，提高薄膜晶体管开关元件的性能，可 以防止背光区域产生漏光，减少彩膜基板上的黑矩阵面积，提高TFT-IXD开口率。附图说明图IA为现有典型阵列基板的局部俯视结构示意图；图IB为图IA中沿A-A线的侧视剖切结构示意图；图2为本技术实施例一提供的阵列基板的局部侧视结构示意图；图3为本技术实施例二提供的阵列基板的局部侧视结构示意图；图4A为本技术实施例二提供的阵列基板中形成栅线和栅电极的局部侧视结 构示意图；图4B为本技术实施例二提供的阵列基板中沉积透明绝缘层的局部侧视结构 示意图；图4C为本技术实施例二提供的阵列基板中沉积不透明绝缘层的局部侧视结 构示意图；图4D为本技术实施例二提供的阵列基板中沉积有源层薄膜的局部侧视结构 示意图；图5A为本技术实施例二提供的阵列基板中对涂覆在数据线金属薄膜上的光 刻胶曝光显影的结构示意图；图5B为本技术实施例二提供的阵列基板中刻蚀数据线金属薄膜的结构示意图；图5C为本技术实施例二提供的阵列基板中刻蚀有源层薄膜的结构示意图；图5D为本技术实施例二提供的阵列基板中刻蚀不透明绝缘层的结构示意图；图5E为本技术实施例二提供的阵列基板中灰化后的结构示意图；图5F为本技术实施例二提供的阵列基板中刻蚀多余有源层薄膜的结构示意图；图泥为本技术实施例二提供的阵列基板中刻蚀源电极和漏电极的结构示意图；图5H为本技术实施例二提供的阵列基板中刻蚀TFT沟道的结构示意图；图51为本技术实施例二提供的阵列基板中剥离光刻胶的结构示意图。主要附图标记1-衬底基板；2-栅线；3-栅电极；4-栅绝缘层；5-数据线；6-有源层；7-源电极；8-漏电极；9-钝化层；10-钝化层过孔；11-像素电极；17-光刻胶；19-TFT 沟道；41-不透明绝缘层；42--透明绝缘层50-数据线金属薄膜60-有源层薄膜)具体实施方式为使本技术实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本实用新 型实施例中的附图，对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描 述的实施例是本技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本技术中的实施 例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本技术保护的范围。实施例一图2为本技术实施例一提供的阵列基板的局部侧视结构示意图，如图2所示， 该阵列基板包括衬底基板1，衬底基板1上形成有横纵交叉围设形成多个像素单元的数据 线5和栅线(图中未示)，每个像素单元中包括像素电极11和薄膜晶体管开关元件，薄膜晶 体管开关元件包括栅电极3、源电极7、漏电极8和有源层6，其中栅电极3与有源层6之 间设置有栅绝缘层，栅绝缘层包括不透明绝缘层41。本实施例阵列基板的栅绝缘层包括不透明绝缘层，可以阻止背光照射到有源层 上，减小光照漏电流，提高薄膜晶体管开关元件的性能，可以防止背光区域产生漏光，减少 彩膜基板上的黑矩阵面积，提高TFT-IXD开口率。实施例二图3为本技术实施例二提供的阵列基板的局部侧视结构示意图，如图3所示， 该阵列基板包括衬底基板1，衬底基板1上形成有横纵交叉围设形成多个像素单元的数据 线5和栅线(图中未示)，每个像素单元中包括像素电极11、栅电极3、源电极7、漏电极8 和有源层6，其中栅电极3与有源层6之间设置有栅绝缘层，栅绝缘层包括不透明绝缘层41。进一步地，栅绝缘层还可以包括透明绝缘层42，透明绝缘层42形成在不透明绝缘 层41之下。其中，栅线与栅电极3连接，数据线5与源电极7连接，不透明绝缘层41对应数据 线5、源电极7、漏电极8设置，这样数据线5之下可以包括不透明绝缘层41和透明绝缘层42。优选地，不透明绝缘层的面积可以大于其上层的数据线或有源层的面积。不透明 绝缘层41可以为黑色树脂绝缘层。例如采用与彩膜基板上的黑矩阵相同的黑色树脂材 料。其中，该黑色树脂绝缘层的厚度优选为10000 ~20000人。其中，透明绝缘层42的厚度优选为5OO ~ 5000人。上述阵列基板的制造方法可以包括以下步骤步骤101、在衬底基板1上可以采用磁控溅射等方法沉积一层栅金属薄膜，光刻后 形成栅线(图中未示)和栅电极3，具体可以参见图4A，图4A为本技术实施例二提供 的阵列基板中形成栅线和栅电极的局部侧视结构示意图；步骤102、在形成上述图案的衬底基板1上，采用等离子增强化学气相沉积 (Plasma Enhanced Chemical vapor d印osition，简称 PECVD)法本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种阵列基板，包括衬底基板，所述衬底基板上形成有横纵交叉围设形成多个像素单元的数据线和栅线，每个像素单元中包括像素电极和薄膜晶体管开关元件，所述薄膜晶体管开关元件包括栅电极、源电极、漏电极和有源层，其特征在于：　　所述栅电极与有源层之间设置有栅绝缘层，所述栅绝缘层包括不透明绝缘层。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：谢振宇，
申请(专利权)人：北京京东方光电科技有限公司，
类型：实用新型
国别省市：11