基于SiC的MOSFET的汽车发动机用氧传感器制造技术

本发明专利技术公开了一种基于SiC材料的MOSFET的汽车发动机用氧传感器及其制备方法。利用了碳化硅材料的禁带宽度大、击穿电场高、电子饱和漂移速度高、热导率大等良好特性，将其作为N型沟道MOSFET的P型衬底，满足高温工作的要求。在MOSFET结构中，在原有的栅氧层上在生长一层氧敏薄膜材料(如YSZ)，金属栅电极采用金属Pt，该MOSFET型氧敏传感器的沟道可以是表面沟道也可以是埋型沟道。在该传感器中，氧浓度的变化可转变为栅氧层单位面积电容的变化，从而导致阈值电压的变化。同时，本发明专利技术还给出该SiCMOSFET型氧敏传感器的制作方法。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
１．基于ＳｉＣ的ＭＯＳＦＥＴ结构的汽车发动机用氧传感器，其特征在于：在ＭＯＳＦＥＴ结构的氧化硅层上加一层氧敏感材料，同时在氧敏感材料薄膜上溅射金属铂Ｐｔ作为金属电极，在氧气／铂／氧敏感材料薄膜的三相界面上，使分子状态的氧离解成氧离子Ｏ２－，产生的Ｏ２－在Ｐｔ／氧敏感材料界面处与氧敏感材料晶格中的Ｏ２－进行置换反应，根据氧敏感材料薄膜层单位面积电容ＣＹＳＺ的变化确定ＳｉＣ的阈值电压，通过测量阈值电压的变化获得氧气浓度的变化，从而实现传感器对氧浓度的测量。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：王巍，彭能，罗元，王晓磊，代作海，唐政维，冯世娟，李银国，徐洋，
申请(专利权)人：重庆邮电大学，
类型：发明
国别省市：85