一种选择性发射极太阳能电池开槽方法技术

本发明专利技术公开了一种选择性发射极太阳能电池开槽方法，其特征在于，它是把蚀刻浆印刷在电池片被去除物质位置的衬底上，然后把蚀刻浆和衬底一起加热，并把衬底放在去离子化的洁净水中清洗，最后进行干燥。本发明专利技术清洗过程中不需要有机洗涤剂，不含氟化物/氯气，可以用在选择性发射集的硅片上，银电极的遮光面积也可以减小。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及电池
，更具体的是涉及。
技术介绍
太阳能电池是一种利用光生伏打效应把光能转换成电能的器件，又叫光伏器件。 将太阳光能转换成电能的固体半导体器件，又称太阳能电池或光电池，是太阳电池阵电源 系统的重要元件。太阳能电池主要有单晶硅电池和单晶砷化镓电池等。
技术实现思路
本专利技术的目的就是为了解决现有技术之不足而提供的一种设备投资少，方法简 单，不需要有机洗涤剂，不含氟化物、氯气的选择性发射极太阳能电池开槽方法。本专利技术是采用如下技术解决方案来实现上述目的一种选择性发射极太阳能电池 开槽方法，其特征在于，它是把蚀刻浆印刷在电池片被去除物质位置的衬底上，然后把蚀刻 浆和衬底一起加热，并把衬底放在去离子化的洁净水中清洗，最后进行干燥。作为上述方案的进一步说明，印刷前把硅片加热至在300至350度，用生产线上使 用的印刷机将蚀刻浆印刷到进行过PECVD的硅片上，网版取230-250目，耐酸乳胶膜，线径 为20-25um，乳胶膜厚度20um，印刷速度为110-150 mm/s。为了银浆印刷更好对准，深扩 散部分的线宽可以加大。最后使用去离子水进行清洗。本专利技术采用上述技术解决方案所能达到的有益效果是本专利技术清洗过程中不需要有机洗涤剂，不含氟化物，氯气，对覆盖在制绒硅片上70纳 米厚度氮化硅的蚀刻分辨率量级为80微米，可以用在选择性发射集的硅片上。银电极的遮 光面积也可以减小。具体实施例方式本专利技术，它把蚀刻浆印刷在被去除物质位 置的衬底上，接着把蚀刻浆和衬底一起加热，只有覆盖蚀刻浆的部位会被蚀刻掉；然后把衬 底放在去离子化的洁净水中清洗，被蚀刻的物质和蚀刻浆会被清洗出去；最后进行干燥。印 刷前把硅片加热至在300至350度，用生产线上使用的印刷机将蚀刻浆印刷到进行过PECVD 的硅片上，网版取230-250目，耐酸乳胶膜，线径为20-25um，乳胶膜厚度20um，印刷速度 为110-150 mm/s。为了银浆印刷更好对准，深扩散部分的线宽可以加大。最后使用去离子 水进行清洗。以上所述的仅是本专利技术的优选实施方式，应当指出，对于本领域的普通技术人员 来说，在不脱离本专利技术创造构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本专利技术 的保护范围。权利要求1.，其特征在于，它是把蚀刻浆印刷在电池片 被去除物质位置的衬底上，然后把蚀刻浆和衬底一起加热，并把衬底放在去离子化的洁净 水中清洗，最后进行干燥。2.根据权利要求1所述的选择性发射极太阳能电池开槽方法，其特征在于，印刷前把 硅片加热至在300至350度，用生产线上使用的印刷机将蚀刻浆印刷到进行过PECVD的硅 片上，网版取230-250目，耐酸乳胶膜，线径为20-25um，乳胶膜厚度20um，印刷速度为 110-150 mm/s 。全文摘要本专利技术公开了，其特征在于，它是把蚀刻浆印刷在电池片被去除物质位置的衬底上，然后把蚀刻浆和衬底一起加热，并把衬底放在去离子化的洁净水中清洗，最后进行干燥。本专利技术清洗过程中不需要有机洗涤剂，不含氟化物/氯气，可以用在选择性发射集的硅片上，银电极的遮光面积也可以减小。文档编号H01L31/18GK102097538SQ20101059419公开日2011年6月15日 申请日期2010年12月18日 优先权日2010年12月18日专利技术者蒋和奕 申请人:广东爱康太阳能科技有限公司本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种选择性发射极太阳能电池开槽方法，其特征在于，它是把蚀刻浆印刷在电池片被去除物质位置的衬底上，然后把蚀刻浆和衬底一起加热，并把衬底放在去离子化的洁净水中清洗，最后进行干燥。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：蒋和奕，
申请(专利权)人：广东爱康太阳能科技有限公司，
类型：发明
国别省市：44