一种多晶硅太阳能电池的表面催化制绒方法技术

本发明专利技术公开了一种多晶硅太阳能电池的表面催化制绒方法，该方法包括：碱性溶液蚀刻除去多晶硅片表面的机械损伤层；采用表面喷涂的方法把具有催化作用的金属纳米颗粒喷涂在多晶硅片的一表面；酸性溶液蚀刻多晶硅表面形成蜂窝状形貌的绒面结构；碱性溶液蚀刻去除含金属粒子的污染层。该方法的优点是：多晶硅片表面形成的蜂窝状绒面结构完整、均匀，对太阳光的反射率明显降低，制成电池的相对效率提高5％，而且工艺简单，易于工业生产。催化金属颗粒采用水基溶液，成本低，工艺过程简单，表面喷涂的涂层易控制。采用低压喷涂有效防止硅片破损。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及多晶硅太阳能电池的制备方法，具体是指一种多晶硅太阳能电池的表 面催化制绒方法。
技术介绍
晶体硅太阳能电池表面的绒面结构，对于减少入射太阳光的反射，增加光吸收有 重要的意义，是提高晶体硅太阳能电池效率的重要因素之一。目前绒面结构的制备方法主 要有机械开槽，反应离子蚀刻和化学蚀刻。然而，机械开槽和反应离子蚀刻不适合大面积 生产。对于单晶硅<100>晶面，化学蚀刻中的碱性溶液各向异性蚀刻是非常有效的，可以形 成随机分布的金字塔结构，并已广泛应用于单晶硅太阳能电池的制造。对于多晶硅而言，由 于碱性溶液对于不同晶面的蚀刻程度不同，会在表面产生阶梯分布，对其后的丝网应刷工 艺不利。因此，多晶硅太阳能电池绒面制作主要采用酸性溶液各向同性蚀刻，但酸性溶液优 先蚀刻晶界和缺陷，而且容易蚀刻掉绒面锥形尖端，另外在蚀刻过程中形成的气泡附着在 硅表面，使酸性腐蚀液无法完全与晶片表面接触，造成绒面结构的不完整和不均勻。这是多 晶硅太阳能电池转换效率低于单晶硅太阳能电池的一个重要原因。中国专利技术专利申请号200410064831. 1，公开了一种制备多晶硅绒面方法，酸性腐 蚀液采用氧化剂CrO3或K2Cr2O7和HF酸混合液。中国专利技术专利申请号201010129489. 4，公 开了一种降低多晶硅制绒反射率的方法，先用酸性腐蚀形成单面腐蚀坑，再用碱性腐蚀形 成金字塔绒面结构，但是上述专利对于金字塔绒面结构的形貌和绒面均勻性的问题都没有 很好解决。
技术实现思路
基于已有的多晶硅太阳能电池制绒方法存在的缺点和不足，本专利技术的目的是提出 。本专利技术的，其步骤如下§ 1碱性溶液蚀刻除去多晶硅片表面的机械损伤层；§ 2采用表面喷涂的方法把具有催化作用的金属纳米颗粒喷涂在多晶硅片的一表 面；§ 3酸性溶液蚀刻多晶硅表面，使其形成蜂窝状形貌的绒面结构；§ 4碱性溶液蚀刻去除含金属粒子的污染层。所述的步骤§ 1，去除多晶硅片表面的机械损伤层的碱性溶液为NaOH溶液，其浓 度为 10% -20%。所述的步骤§ 2，具有催化作用的金属纳米颗粒为99. 9% -99. 99%的高纯Ag、Pt 或Pd金属，金属颗粒的大小为10-40nm。表面喷涂的步骤为(1)将Ag、Pt或Pd的纳米金属颗粒和去离子水以质量比为1 5 10的比例混 合，搅拌均勻；3(2)用低压喷枪将上述混合液均勻喷涂在多晶硅片表面，涂层厚度以刚好喷湿表 面为准；(3)室温或100°C _25°C低温烘干，使表面均勻附着Ag、Pt或Pd的纳米金属颗粒。金属颗粒催化作用在于增大酸性溶液与硅的反应速度，在金属颗粒分布的地方快 速形成腐蚀坑，没有金属颗粒的地方蚀刻速度慢，因而加快绒面形成，降低了绒面锥顶的蚀 刻。金属颗粒的分布决定了腐蚀坑的分布，从而决定了绒面的均勻性。所述的步骤§ 3，酸性溶液为10 % HF溶液或10 % HF 30% H2O2的混合溶液，混 合溶液配比为10 1。蚀刻时间5-10分钟。所述的步骤§ 4，碱性溶液的浓度为1 % -5 %的NaOH溶液，蚀刻时间为10_20分 钟。NaOH溶液起到去除酸性蚀刻表面含残余金属颗粒污染层的作用。本专利技术的优点在于1.多晶硅片表面以催化反应为主，所形成的蜂窝状绒面结构完整、均勻，对于太阳 光的反射率明显降低，制成电池相对效率提高5%，而且工艺简单，易于工业生产。2.催化金属颗粒采用水基溶液，成本低，工艺过程简单，表面喷涂的涂层易控制， 涂层薄而且均勻，水基溶剂去除后，催化金属颗粒是弥散分布而不是形成致密的一层。3.采用低压喷涂有效防止硅片破损。附图说明图1为本专利技术的工艺流程图；图2为金属纳米在多晶硅片表面的分布示意图；图3为催化金属颗粒在蚀刻坑底的腐蚀坑示意图；图4为多晶硅表面的蜂窝状绒面结构示意具体实施例方式下面结合附图，以一个具体的实施例详细说明本专利技术的技术方案，但是本专利技术不 局限于此，可以根据实际情况进行调整。硅片表面预处理采用丙酮、酒精等有机溶剂清洗多晶硅片表面的有机污染物，再 将硅片浸泡在15%的NaOH溶液腐蚀，浸泡时间根据硅片表面切割损伤决定，然后去离子水 冲洗除去多晶硅片表面的机械损伤层，见图1。表面喷涂Ag纳米颗粒步骤为(1)将直径为20-40nm的金属Ag纳米颗粒与去离 子水以质量比为1 5 10的比例混合，搅拌均勻；(2)用低压喷枪将混合液体均勻喷涂 在多晶硅片表面，涂层厚度以刚好喷湿表面为宜；(3)室温下烘干，使硅片表面均勻附着金 MAg纳米颗粒，如图2所示。酸性溶液处理将表面附着Ag钠米颗粒的多晶硅片浸泡在10% HF溶液或10% HF 30% H2O2 (10 1)的混合溶液中，时间5-10分钟，然后去离子水冲洗，形成表面具有 蜂窝状腐蚀坑的绒面结构，如图3所示。碱性溶液处理将具有蜂窝状腐蚀坑绒面结构的硅片浸入-5% NaOH溶液中， 时间10-20分钟，去离子水冲洗，目的是去除附着Ag钠米颗粒的污染层，蜂窝腐蚀坑的结构 完整，绒面分布均勻，如图4所示。4 上述工艺过程是在室温下进行的，如果高于室温或低于室温将要调整化学反应时 间，如NaOH溶液加热到60°C左右，反应时间将缩短至10分钟以下。权利要求1.，其特征在于步骤如下§A采用碱性溶液蚀刻除去多晶硅片表面的机械损伤层；§B采用表面喷涂方法把具有催化作用的金属纳米颗粒喷涂在多晶硅片的一表面；§ C采用酸性溶液蚀刻多晶硅片表面，使其表面形成蜂窝状形貌的绒面结构，蚀刻时间 为5-10分钟；§ D碱性溶液蚀刻去除含金属粒子的污染层，蚀刻时间为10-20分钟。2.根据权利要求1的，其特征在于所述 的步骤§ A中的碱性溶液为NaOH溶液，其浓度为10 % -20 %。3.根据权利要求1的，其特征在于所述 的步骤§ B中的金属纳米颗粒为99. 9% -99. 99%的高纯Ag、Pt或Pd金属，颗粒的大小为 10-40nm。4.根据权利要求1的，其特征在于所述 的步骤§B中的表面喷涂方法的步骤为(a)将Ag、Pt或Pd的金属纳米颗粒和去离子水以质量比为1 5 10的比例混合， 搅拌均勻；(b)用低压喷枪将上述混合均勻的金属纳米颗粒溶液喷涂在多晶硅片表面，涂层厚度 以刚好喷湿硅片表面为准；(c)室温或100°C_25°C低温烘干，使硅片表面均勻附着Ag、Pt或Pd的纳米金属颗粒。5.根据权利要求1的，其特征在于所述 的步骤§ C中的酸性溶液为10% HF溶液或10% HF 30% H2O2的混合溶液，混合溶液配 比为10 1。6.根据权利要求1的，其特征在于所述 的步骤§ D中碱性溶液为NaOH溶液，其浓度为-5%。全文摘要本专利技术公开了，该方法包括碱性溶液蚀刻除去多晶硅片表面的机械损伤层；采用表面喷涂的方法把具有催化作用的金属纳米颗粒喷涂在多晶硅片的一表面；酸性溶液蚀刻多晶硅表面形成蜂窝状形貌的绒面结构；碱性溶液蚀刻去除含金属粒子的污染层。该方法的优点是多晶硅片表面形成的蜂窝状绒面结构完整、均匀，对太阳光的反射率明显降低，制成电池的相对效率提高5％，而且工艺简单，易于工业生产。催化金属颗粒采用水基溶液，成本低，工艺过程简单，表面喷涂的涂层易控制。采用低压喷涂有效防止硅片破损。文档编号C23F1/24GK102130205本文档来自技高网...

【技术保护点】
１．一种多晶硅太阳能电池的表面催化制绒方法，其特征在于步骤如下：§Ａ采用碱性溶液蚀刻除去多晶硅片表面的机械损伤层；§Ｂ采用表面喷涂方法把具有催化作用的金属纳米颗粒喷涂在多晶硅片的一表面；§Ｃ采用酸性溶液蚀刻多晶硅片表面，使其表面形成蜂窝状形貌的绒面结构，蚀刻时间为５－１０分钟；§Ｄ碱性溶液蚀刻去除含金属粒子的污染层，蚀刻时间为１０－２０分钟。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：褚君浩，张传军，窦亚楠，李钊明，
申请(专利权)人：上海太阳能电池研究与发展中心，
类型：发明
国别省市：31