液晶显示装置用阵列基板及其制造方法制造方法及图纸

液晶显示装置用阵列基板及其制造方法。液晶显示装置用阵列基板包括：基板，具有显示区和包围该显示区的驱动电路区；基板上的第一半导体层，位于显示区中，具有有源区和位于该有源区两侧的源区和漏区；第一半导体层上的栅绝缘层；栅绝缘层上的栅电极，对应于有源区，比栅绝缘层宽；栅电极上的层间绝缘层，具有多个半导体接触孔，所述多个半导体接触孔暴露源区和漏区，其中，该层间绝缘层、栅电极、栅绝缘层以及有源区构成多个第一腔部；层间绝缘层上的源电极和漏电极，通过所述多个半导体接触孔接触源区和漏区；源电极和漏电极上的钝化层，具有暴露漏电极的漏极接触孔；以及钝化层上的像素电极，该像素电极通过漏极接触孔接触漏电极。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及液晶显示(LCD)装置。更具体地，本专利技术涉及具有减小的泄漏电流的 液晶显示(LCD)装置用阵列基板及其制造方法。
技术介绍
通常，多晶硅薄膜晶体管(p-Si TFT)比非晶硅薄膜晶体管(a-Si TFT)具有更高 的场效应迁移率和更低的光电流。因此，作为用于高清晰度液晶显示(LCD)装置和投影系 统的开关器件，P-Si TFT具有优势。另外，因为p-Si TFT具有自对准结构，所以p-Si TFT Ka-Si TFT具有更低的电平偏移电压。此外，因为p-Si TFT具有负(N)型和(P)型，所以 利用P-Si TFT可形成互补型金属氧化物半导体(CMOS)电路。可以直接淀积多晶硅，或者可以通过对由等离子增强化学汽相淀积(PECVD)方法 或由低压化学汽相淀积(LPCVD)方法淀积的非晶硅进行晶化，来形成多晶硅。晶化非晶硅 的方法可以分为固相结晶(SPC)方法、金属诱导结晶(MIC)方法、受激准分子激光器退火 (ELA)方法，以及顺序横向凝固(SLS)方法。在晶化非晶硅的这些各种不同方法中，通常使 用利用由受激准分子激光器生成的紫外(UV)光的ELA方法。在ELA方法中，因为在短时间 段内对非晶硅层进行退火，所以即使在硅的熔化温度下，也不会劣化基板。因此，诸如玻璃 基板的低成本基板可以用于利用多晶硅的LCD装置。当将TFT用作IXD装置的像素区中的开关器件时，要求TFT具有相对低的截止电 流(即，当向栅电极施加使TFT截止的电压时流过漏电极的电流)。因为p-Si TFTKa-Si TFT具有更高的场效应迁移率，所以p-Si TFT Ka-Si TFT具有更高的导通电流(S卩，当向 栅电极施加使TFT导通的电压时流过漏电极的电流)。然而，因为p-Si TFUka-Si TFT在 本征有源区与高掺杂漏区之间的结部(junction)处具有更高的泄漏电流，所以p-Si TFT Ka-Si TFT具有更高的截止电流。因此，p-Si TFT在用作IXD装置的像素区中的开关器 件时具有截止电流方面的缺点。为了减小p-Si TFT的截止电流，在有源区与漏区之间形成了与漏区相比掺有更低 浓度的杂质的轻掺杂漏(LDD)区。图1是例示根据现有技术的液晶显示装置用阵列基板的显示区的横截面图。在 图1中，由多晶硅制成的半导体层13在每一个像素区“P”的开关区“TrA”处形成基板10 上。半导体层13包括有源区13a、位于有源区13a两侧的LDD区1 和13c、以及位于LDD 区1 和13c外侧的源区13d和漏区13e。有源区13a未掺有杂质，以保持为本征硅层。另 外，LDD区1 和13c掺有低浓度杂质，而源区13d和漏区1 掺有高浓度杂质。在半导体 层13上形成有栅绝缘层16，而在栅绝缘层16上形成有栅电极21。在栅电极21上形成有 具有第一半导体接触孔28a和第二半导体接触孔^b的层间绝缘层25。第一半导体接触孔28a和第二半导体接触孔28b分别暴露源区13d和漏区13e。在层间绝缘层25上形成有 源电极30和漏电极32。源电极30通过第一半导体接触孔28a连接至源区13d，而漏电极 32通过第二半导体接触孔28b连接至漏区13e。在源电极30和漏电极32上形成有钝化层 35。钝化层35具有暴露漏电极32的漏极接触孔38。在钝化层35上形成有通过漏极接触 孔38连接至漏电极32的像素电极40。半导体层13分为三个区本征区(有源区13a)，低掺杂区(LDD区1 和13c)，以 及高掺杂区(源区13d和漏区13e)。即使p-Si TFT的泄漏电流因LDD区1 和13c而减 小，也需要针对LDD区1 和13c的附加掩模工序。因此，增加了制造成本并降低了生产合格率。此外，在利用多晶硅的IXD装置中，在具有显示区的基板中集成了包括CMOS电路 的驱动电路。图2是例示根据现有技术的液晶显示装置用阵列基板的驱动电路区的横截面图。 在图2中，在驱动电路区“DCA”中形成有具有N型TFT(nTr)和P型TFT(pTr)的CMOS逆变 器。N型TFT (nTr)和P型TFT (pTr)分别包括N半导体层53和P半导体层54。N区(nA) 中的N半导体层53包括N有源区53a、位于N有源区53a两侧的N LDD区5 和53c，以及 位于N LDD区5 和53c外侧的N源区53d和N漏区53e。另外，P区“pA”中的P半导体 层M包括P有源区5 和位于P有源区5 两侧的P源区54b和P漏区Mc。因为对于 CMOS逆变器的制造工序，需要针对高浓度N型杂质(η+)、高浓度P型杂质(ρ+)以及低浓度 N型杂质(η-)的三个掺杂步骤，所以CMOS逆变器的制造工序包括至少三个掩模步骤。掩模 步骤的增加造成制造成本的增加和生产合格率的下降。
技术实现思路
因此，本专利技术致力于提供一种液晶显示装置，其基本上消除了因现有技术的局限 和缺点而造成的一个或更多个问题。本专利技术的一个优点是，提供包括具有减小的泄漏电流的多晶硅薄膜晶体管在内的 液晶显示装置用阵列基板，和制造该阵列基板的方法。本专利技术的另一优点是，提供包括具有多个腔部的多晶硅薄膜晶体管在内的液晶显 示装置用阵列基板，和制造该阵列基板的方法。本专利技术的其它特征和优点将在下面的描述中进行阐述，并且根据该描述将部分地 变得清楚，或者可以通过实施本专利技术而获知。通过在文字说明及其权利要求以及附图中具 体指出的结构，将认识到并实现本专利技术的优点。为了实现这些和其它优点，并且根据本专利技术的目的，如具体实现和广泛描述的，一 种液晶显示装置用阵列基板包括基板，具有显示区和包围该显示区的驱动电路区；基板 上的第一半导体层，位于显示区中，该第一半导体层具有有源区和位于该有源区两侧的源 区和漏区；栅绝缘层，位于第一半导体层上；栅电极，位于栅绝缘层上，并且对应于有源区， 该栅电极比栅绝缘层宽；层间绝缘层，位于栅电极上，具有多个半导体接触孔，所述多个半 导体接触孔暴露源区和漏区，其中，该层间绝缘层、栅电极、栅绝缘层以及有源区构成多个 第一腔部；源电极和漏电极，位于层间绝缘层上，该源电极和漏电极通过所述多个半导体接 触孔接触源区和漏区；钝化层，位于源电极和漏电极上，具有一漏极接触孔，该漏极接触孔暴露漏电极；以及像素电极，位于钝化层上，该像素电极通过漏极接触孔接触漏电极。在另一方面中，一种制造液晶显示装置用阵列基板的方法包括以下步骤在具有 显示区和包围该显示区的驱动电路区的基板上形成第一半导体层，该第一半导体层设置 在显示区中；在第一半导体层上形成栅绝缘层；在栅绝缘层上并且对应于有源区形成栅电 极，该栅电极比栅绝缘层宽；利用栅电极作为掺杂掩模以高浓度杂质来掺杂第一半导体层， 以在第一半导体层的中央部限定有源区，并在该有源区的两侧限定源区和漏区；在栅电极 上形成具有多个半导体接触孔的层间绝缘层，所述多个半导体接触孔暴露源区和漏区，其 中，该层间绝缘层、栅电极、栅绝缘层以及有源区构成多个第一腔部；在层间绝缘层上形成 源电极和漏电极，该源电极和漏电极通过所述多个半导体接触孔接触源区和漏区；在源电 极和漏电极上形成具有一漏极接触孔的钝化层，该漏极接触孔暴露漏电极；以及在钝化层 上形成像素电极，该像素电极通过漏极接触孔接触漏电极。在另一方本文档来自技高网...

【技术保护点】
１．一种液晶显示装置用阵列基板，包括：基板，具有显示区和包围该显示区的驱动电路区；基板上的第一半导体层，位于显示区中，该第一半导体层具有有源区和位于该有源区两侧的源区和漏区；栅绝缘层，位于第一半导体层上；栅电极，位于栅绝缘层上，并且对应于有源区，该栅电极比栅绝缘层宽；层间绝缘层，位于栅电极上，具有多个半导体接触孔，所述多个半导体接触孔暴露源区和漏区，其中，该层间绝缘层、栅电极、栅绝缘层以及有源区构成多个第一腔部；源电极和漏电极，位于层间绝缘层上，该源电极和漏电极通过所述多个半导体接触孔接触源区和漏区；钝化层，位于源电极和漏电极上，具有一漏极接触孔，该漏极接触孔暴露漏电极；以及像素电极，位于钝化层上，该像素电极通过漏极接触孔接触漏电极。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：郭种旭，
申请(专利权)人：乐金显示有限公司，
类型：发明
国别省市：KR