晶片的加工方法技术

本发明专利技术提供一种晶片的加工方法，其能够使晶片的表面不被切屑污染且不会在晶片的外周产生缺损。该晶片在表面具有器件区域和围绕器件区域的外周剩余区域，所述器件区域是在由形成为格子状的分割预定线划分出的区域中形成有多个器件的区域，所述晶片的加工方法的特征在于，其包括：将保护带粘贴于晶片表面的保护带粘贴工序；辅助环形成工序，利用卡盘工作台吸引保持该保护带侧，将切削刀具从晶片的背面定位在该器件区域与该外周剩余区域之间的边界部并对晶片进行切削，从而形成环状的切削槽，并使该外周剩余区域作为辅助环残留；以及背面磨削工序，对晶片的与该器件区域对应的背面和与该外周剩余区域对应的背面进行磨削从而将晶片形成为预定的厚度。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及将晶片分割成一个个器件的。
技术介绍
半导体晶片在表面具有器件区域和围绕器件区域的外周剩余区域，所述器件区域是在由形成为格子状的分割预定线划分出的区域中分别形成有ICGntegrated circuit 集成电路)、LSI (large-scale integration 大规模集成电路)等器件的区域，在对该半导体晶片的背面进行磨削而使其减薄至预定的厚度之后，利用切割装置(切削装置)沿着分割预定线进行切削，由此将半导体晶片分割成一个个器件，分割出的器件广泛利用于移动电话机、个人计算机等各种电气设备。然而，在半导体晶片中，为了防止在半导体晶片的前半部分工艺中晶片破裂或产生灰尘，在晶片的外周形成有倒角部。因此，当对晶片的背面进行磨削而使晶片减薄时，形成于晶片的外周的倒角部形成为锐利的刀刃(knife edge)状，存在晶片变得容易破损且操作者有可能因刀刃而负伤的问题。因此，在日本特许第3515917号公报中提出有在对晶片的背面进行磨削之前除去形成于晶片外周的倒角部的技术。专利文献1 日本特许第3515917号公报但是，如果为了将倒角部从晶片的外周除去而像专利文献1所公开的那样将切削刀具的切削刃定位于晶片的表面来对晶片进行切削，则存在形成于晶片表面的器件被切屑污染的问题。此外，如果将晶片的外周切削成圆形而除去倒角部，则晶片的外周形成为垂直的截面，因此，存在当在磨削工序中对晶片的背面进行磨削时晶片的外周容易受到磨削磨具的冲击而产生缺损的问题。
技术实现思路
本专利技术就是鉴于这种问题而做出的，其目的在于提供一种晶片的表面不会被切屑污染且不会在晶片的外周产生缺损的。根据本专利技术，提供一种如下的，该晶片在表面具有器件区域和围绕所述器件区域的外周剩余区域，所述器件区域是在由形成为格子状的分割预定线划分出的区域中形成有多个器件的区域，所述的特征在于，所述包括以下工序保护带粘贴工序，在该保护带粘贴工序中，将保护带粘贴于晶片的表面；辅助环形成工序，在该辅助环形成工序中，利用卡盘工作台吸引保持所述晶片的所述保护带侧，将切削刀具从晶片的背面定位在所述器件区域与所述外周剩余区域之间的边界部，并对晶片进行切削，从而形成环状的切削槽，并使所述外周剩余区域作为辅助环残留；以及背面磨削工序，在该背面磨削工序中，对晶片的与所述器件区域对应的背面和与所述外周剩余区域对应的背面进行磨削，从而将晶片形成为预定的厚度。根据本专利技术，在将保护带粘贴于晶片的表面之后，将切削刀具从晶片的背面定位在器件区域与外周剩余区域之间的边界部并对晶片进行切削，从而形成环状的切削槽，使器件区域与外周剩余区域分离并使外周剩余区域作为辅助环残留，因此晶片的表面不会被切屑污染。此外，由于在外周剩余区域围绕器件区域地粘贴于保护带的状态下对晶片的背面进行磨削，因此磨削磨具的冲击在晶片的器件区域的外周边缘部分被缓和，不会在晶片的外周产生缺损。附图说明图1是表示保护带粘贴工序的立体图。图2是表示利用卡盘工作台保持晶片的晶片保持工序的立体图。图3是表示利用切削刀具将器件区域与外周剩余区域之间的边界部切削成圆形的辅助环形成工序的立体图。图4是表示辅助环形成工序的剖视图。图5是表示背面磨削工序的立体图。图6是背面磨削工序之后的晶片的剖视图。标号说明10 卡盘工作台；11 半导体晶片；12 切削单元；15 器件；17 器件区域；18 切削刀具；19 外周剩余区域；20 环状切削槽；22 倒角部；23 保护带；24 卡盘工作台；26 磨轮；34 磨削磨具。具体实施例方式以下，参照附图对本专利技术的实施方式进行详细说明。图1所示的半导体晶片11例如由厚度为700 μ m的硅晶片构成，在其表面Ila呈格子状地形成有多条分割预定线(间隔道)13，并且，在由所述多条分割预定线13划分出的多个区域中分别形成有IC、LSI等器件 15。以这种方式构成的晶片11具备形成有器件15的器件区域17 ；和围绕器件区域 17的外周剩余区域19。并且，在晶片11的外周形成有作为表示硅晶片的结晶方位的标记的凹口 21。在本专利技术的晶片加工方法中，为了保护在晶片11的表面Ila形成的器件15，如图 1所示在晶片11的表面Ila粘贴保护带23。该保护带23是具有通过照射紫外线而粘接力下降的粘接层的保护带、即紫外线硬化型保护带。接着，实施辅助环形成工序，在该辅助环形成工序中，如图2所示，利用切削装置的卡盘工作台10吸引保持保护带23侧，并对器件区域17与外周剩余区域19之间的边界部进行切削，从而形成环状的切削槽。在该辅助环形成工序中，由于如图3所示地利用卡盘工作台10吸引保持保护带23 侧，因此晶片11的背面lib露出。在以能够旋转的方式收纳于切削单元12的主轴箱14中的主轴16的末端装配有切削刀具18，切削刀具18通过未图示的电动机而朝箭头A方向高速旋转。然后，将高速旋转的切削刀具18定位在与晶片11的器件区域17和外周剩余区域19之间的边界部对应的晶片11的背面11b，一边使卡盘工作台10朝箭头B方向低速旋转， 一边如图4所示地将器件区域17与外周剩余区域19之间的边界部切削至到达保护带23 的深度，从而形成环状的切削槽20，并使外周剩余区域19作为辅助环残留(辅助环形成工序)。在图4中标号22表示倒角部。在利用切削刀具18将晶片11的器件区域17与外周剩余区域19之间的边界部切削成圆形的辅助环形成工序中，晶片的切屑会飞散，但是，由于晶片11的表面Ila被保护带 23保护，因此晶片11的表面不会被切屑污染。在实施辅助环形成工序之后，实施使用磨削装置对晶片11的背面lib进行磨削的背面磨削工序。即，如图5所示，利用磨削装置的卡盘工作台M吸引保持保护带23侧，使形成有环状切削槽20的晶片11的背面lib露出。在图5中，在磨削装置的主轴28的末端部固定有磨轮安装座(Wheelmoimt)30， 磨轮沈利用螺钉31装配于该磨轮安装座30。磨轮沈通过在环状基座32的自由端部紧固多个磨削磨具；34而构成，该磨削磨具34通过利用陶瓷结合剂等固定例如粒径为0. 3 1. Ομπι的金刚石磨粒而形成。在该背面磨削工序中，使卡盘工作台M朝箭头a方向以例如300rpm的转速旋转， 并同时使磨轮26朝与卡盘工作台M的旋转方向相同的方向、即箭头b方向以6000rpm的转速旋转，并且使未图示的磨削单元进给机构工作以使磨削磨具34与晶片11的背面lib 接触。然后，使磨轮沈以预定的磨削进给速度(例如3 5 μ m/秒)朝下方进行预定量的磨削进给，对晶片11的与器件区域17和外周剩余区域19对应的背面lib进行磨削。一边利用未图示的接触式厚度测量计测量晶片11的厚度，一边将晶片11精加工至期望的厚度、例如50 μ m。背面磨削结束后的状态的晶片11的剖视图如图6所示。在本实施方式的背面磨削工序中，在将外周剩余区域19粘贴于保护带23的状态下完成磨削，因此磨削磨具34所抵靠的外周剩余区域19的边缘部分容易受到冲击而产生缺损，但是，在器件区域17的边缘部分，由于存在外周剩余区域19，磨削磨具34的冲击被缓和，从而不会在器件区域17的外周产生缺损。如果晶片11被磨削得很薄，则倒角部22如标号2 所示地形成为刀刃形状而容易产生缺口，但是，本文档来自技高网...

【技术保护点】
１．一种晶片的加工方法，该晶片在表面具有器件区域和围绕所述器件区域的外周剩余区域，所述器件区域是在由形成为格子状的分割预定线划分出的区域中形成有多个器件的区域，所述晶片的加工方法的特征在于，所述晶片的加工方法包括以下工序：保护带粘贴工序，在该保护带粘贴工序中，将保护带粘贴于晶片的表面；辅助环形成工序，在该辅助环形成工序中，利用卡盘工作台吸引保持所述晶片的所述保护带侧，将切削刀具从晶片的背面定位在所述器件区域与所述外周剩余区域之间的边界部，并对晶片进行切削，从而形成环状的切削槽，并使所述外周剩余区域作为辅助环残留；以及背面磨削工序，在该背面磨削工序中，对晶片的与所述器件区域对应的背面和与所述外周剩余区域对应的背面进行磨削，从而将晶片形成为预定的厚度。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：台井晓治，
申请(专利权)人：株式会社迪思科，
类型：发明
国别省市：JP