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LED集成模块制造技术

技术编号:6669075 阅读:211 留言:0更新日期:2012-04-11 18:40
本实用新型专利技术提供一种LED集成模块,包括:基板和设置于基板上的LED裸芯片,所述LED裸芯片的数量大于等于15,所述LED裸芯片之间采用串联或并联或串并联的方式电连接,每颗所述LED裸芯片的功率小于等于0.25W,所述LED裸芯片的总电流小于等于100mA。在本实用新型专利技术中将单颗LED裸芯片的功率控制在0.25W以下,并且控制了总电流,根据电流值越小发热量越低的原理,在不减少LED集成模块总功率的情况下,使发热量大幅度降低,因此,本实用新型专利技术的LED集成模块应用于LED灯时,与传统的LED集成模块相比,所需的散热部件更小,制作出的LED灯体积更加小巧。(*该技术在2020年保护过期,可自由使用*)

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及一种光源,尤其涉及一种LED (发光二极管)集成模块。
技术介绍
随着LED技术的不断发展,LED灯已有了广泛的应用。其中功率型LED灯已逐渐 进入到照明领域。现有技术的功率型LED照明产品中,最具代表性的是IW功率的单颗LED芯片封装 器件,这种封装器件的基本工作电流为350mA,工作电压为3V左右。功率为2W的单颗LED 芯片封装器件,基本工作电流相应增加到700mA,工作电压仍为3V左右。更大功率的单颗 LED芯片封装器件其基本工作电流会相应增加。在实际的照明应用中,LED封装器件的电流值越大,产生的热量越多,相应地为提 供有效的散热而使用的散热器件也就越大。因此,目前市场上的大功率LED灯其体积都较 大,限制了 LED灯功率的提升。
技术实现思路
本技术的目的在于提供一种LED集成模块,在同等功率下其发热量小于传统 的LED灯,以便可以制作出体积更小的LED灯。根据上述目的,本技术提供的LED集成模块包括基板和设置于基板上的LED 裸芯片,所述LED裸芯片的数量大于等于15,所述LED裸芯片之间采用串联或并联或串并联 的方式电连接,每颗所述LED裸芯片的功率小于等于0. 25W,所述LED裸芯片的总电流小于 等于100mA。在上述LED集成模块中,所述LED裸芯片的数量少于80。在上述LED集成模块中,所述LED裸芯片的数量为50。在上述LED集成模块中,所述LED裸芯片的功率大于等于0. 05W。在上述LED集成模块中,所述LED裸芯片的功率为0. 1W。在上述LED集成模块中,所述LED裸芯片的总电流大于等于10mA。在上述LED集成模块中,在所述LED裸芯片上封装有透光层。如上所述,在本技术中将单颗LED裸芯片的功率控制在0. 25W以下,并且控制 了总电流,根据电流值越小发热量越低的原理,在不减少LED集成模块总功率的情况下,使 发热量大幅度降低,因此,本技术的LED集成模块应用于LED灯时,与传统的LED集成 模块相比,所需的散热部件更小,制作出的LED灯体积更加小巧。附图说明图IA是本技术的LED集成模块的主视图;图IB是本技术的LED集成模块的俯视图;图2是图1中LED集成模块中LED 裸芯片之间的一种电连接关系;3图3是图1中LED集成模块中LED裸芯片之间的另一种电连接关系。具体实施方式请参见图IA和图1B,本技术的LED集成模块包括有基板2和设置于基板2上 的LED裸芯片1。基板2可以采用传统的结构和材质,例如铝基PCB板。LED裸芯片呈有序 或无序状排列安装在基板2上。在LED裸芯片1上封装透光层5。在本技术中,安装在基板2上的LED裸芯片1的数量至少15颗,每颗LED芯 片1的功率不大于0. 25W。至于LED裸芯片1数量的上限,本领域技术人员可以根据需要的 LED集成模块的功率而定,较佳地,上限数量最好控制在80颗以内。在本实施例中,LED裸 芯片1的数量选择为50颗。每颗LED裸芯片1的功率下限亦可以根据需要或者可采购的 情况而定,较佳地,LED芯片1的功率不小于0. 05W。在本实施例中,LED裸芯片1的功率选 择为0. 1W。请参见图2和图3,图2和图3示了图1中的LED裸芯片1之间的电连接关系。如 图2所示,多个LED裸芯片1之间可以采用串联的方式,也可以采用并联的方式,或者采用 如图3所示的串并联(串联后并联)的方式。总的来说,LED裸芯片1的连接方式可以在串 联或并联中选择,只要满足一个条件,即LED裸芯片连接之后的电路两端(正极和负极)3、 4的总电流不大于100mA。至于总电流的下限值,本领域技术人员可以根据需要的LED集成 模块的功率而定,较佳地,下限值设置为10mA。在本实施例中,使用了 50颗功率为0. 1W、工作电流为35mA的LED裸芯片1,采用 图2所示串行的连接方式。得到的LED集成模块的总功率为50*0. 1 = 5W,由于串联连接, 因此,其总电流仍为35mA,工作电压为150V左右。这个5W的LED集成模块其工作电流仅为 35mA,与传统的单颗5W的LED封装器件相比,发热量小了几十倍。权利要求1 一种LED集成模块包括基板和设置于基板上的LED裸芯片,其特征在于,所述LED 裸芯片的数量大于等于15,所述LED裸芯片之间采用串联或并联或串并联的方式电连接, 每颗所述LED裸芯片的功率小于等于0. 25W,所述LED裸芯片的总电流小于等于100mA。2.如权利要求1所述的LED集成模块,其特征在于,所述LED裸芯片的数量少于80颗。3.如权利要求1或2所述的LED集成模块,其特征在于,所述LED裸芯片的数量为50颗。4.如权利要求1所述的LED集成模块,其特征在于,所述LED裸芯片的功率大于等于 0. 05ffo5.如权利要求1或5所述的LED集成模块,其特征在于,所述LED裸芯片的功率为 0. 1W。6.如权利要求1所述的LED集成模块,其特征在于,所述LED裸芯片的总电流大于等于 10mA。7.如权利要求1、2、4或6所述的LED集成模块,其特征在于,在所述LED裸芯片上封装有透光层。专利摘要本技术提供一种LED集成模块,包括基板和设置于基板上的LED裸芯片,所述LED裸芯片的数量大于等于15,所述LED裸芯片之间采用串联或并联或串并联的方式电连接,每颗所述LED裸芯片的功率小于等于0.25W,所述LED裸芯片的总电流小于等于100mA。在本技术中将单颗LED裸芯片的功率控制在0.25W以下,并且控制了总电流,根据电流值越小发热量越低的原理,在不减少LED集成模块总功率的情况下,使发热量大幅度降低,因此,本技术的LED集成模块应用于LED灯时,与传统的LED集成模块相比,所需的散热部件更小,制作出的LED灯体积更加小巧。文档编号F21V17/00GK201866558SQ20102054969公开日2011年6月15日 申请日期2010年9月30日 优先权日2010年9月30日专利技术者戴培钧 申请人:戴培钧本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种LED集成模块包括:基板和设置于基板上的LED裸芯片,其特征在于,所述LED裸芯片的数量大于等于15,所述LED裸芯片之间采用串联或并联或串并联的方式电连接,每颗所述LED裸芯片的功率小于等于0.25W,所述LED裸芯片的总电流小于等于100mA。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员:戴培钧
申请(专利权)人:戴培钧
类型:实用新型
国别省市:31

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