低温加热用半导体陶瓷正温度系数热敏电阻器制造技术

低温加热用半导体陶瓷正温度系数热敏电阻器，它包括半导体电阻陶瓷基片(1)、电极(2)、引线(3)、导电胶(4)、涂封层(5)、铜板(6)，陶瓷基片(1)通过导电胶(4)与铜板(6)粘连并位于铜板(6)中部，二根引线(3)中的一根与瓷基片(1)焊接并引出，二根引线(3)中的另一根与铜板(6)焊接并引出，与陶瓷基片(1)相粘连的铜板(6)的表面采用涂封层(5)将陶瓷基片(1)和引线(3)覆盖。本实用新型专利技术采用正温度阶跃特征低相变点且最小电足率处于-40℃左右的BaTiO3-SrTiO3材料的运用器件，它具有结构简单，性能稳定，响应时间快；可靠性高，自动控温且寿命较长等优点。（*该技术在2020年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及一种热敏电阻器，更具体地说它是一种低温加热用半导体陶瓷正 温度系数热敏电阻器。
技术介绍
一些元器件受工作环境温度制约，不能保证其基本的功能状态在低温条件下的稳 定输出(如液晶、IC芯片，模块等)，通过采用热敏电阻器辅助定温加热可为其创造一个适 宜工作的温度环境，从而提高了其基本功能的适宜性范围。一般情况下陶瓷正温度系数热敏电阻器通电发热时，流过的电流将产生热量使其 本体温度上升，当温度超过一定的温度(居里温度)时，其电阻值随着温度的升高呈阶跃性 的增大，电流则减小，而当平衡温度下降时，电阻值随之减少进而电流上升，形成的负反馈 作用，从而达到动态热平衡而不会产生过热实现其自动控制温度的作用。而非本半导体陶瓷正温度系数热敏电阻器作为加热元件的如电阻丝，发热膜，大 功率晶体管等，由于不具有BaTi03-SrTi03材料的正温度阶跃特征，设计和使用增加了一 些环节(如成本)，通常同时需兼顾控温方案，以避免产生过热或温度失控现象，运用起来 相对麻烦。
技术实现思路
本技术的目的在于克服上述现有
技术介绍
的不足，而提供一种低温加热用半 导体陶瓷正温度系数热敏电阻器。为了实现上述目的，本技术采用以下技术方案低温加热用半导体陶瓷正温 度系数热敏电阻器，它包括半导体电阻陶瓷基片、电极、引线、导电胶、涂封层、铜板，其特征 在于陶瓷基片通过导电胶与铜板粘连并位于铜板中部，二根引线中的一根与瓷基片焊接并 引出，二根引线中的另一根与铜板焊接并引出，与陶瓷基片相粘连的铜板的表面采用涂封 层将陶瓷基片和引线覆盖，涂封层为有机硅胶涂封层。在上述技术方案中，所述陶瓷基片系按照典型电子陶瓷元件流程工艺制造的 BaTiO3-SrTiO3系组份材料制造的陶瓷基片。在上述技术方案中，所述陶瓷基片，其电阻率P :35 180 0側，在-401 士 10°C最低，且随温度增加呈单调阶跃上升，P 50Γ / P -40Γ> 150倍。本技术采用正温度阶跃特征低相变点且最小电足率处于-40°C左右 的BaTi03-SrTi03材料的运用器件。基于本技术结构简单，其无须像电热丝应考 虑增加防过热等影响，除器件自身热容量外，结构性热阻较小，响应时间快；另外由于 BaTi03-SrTi03材料的固有特性作用，它还具有可靠性高，自动控温且寿命较长等优点。附图说明图1为本技术侧面剖视状态的结构示意图。图2为本技术俯视状态的结构示意图(含局部剖视)。图中1.陶瓷基片(或半导体电阻陶瓷基片)，2.电极，3.引线，4.导电胶，5.涂封 层，6.铜板。具体实施方式以下结合附图详细说明本技术的实施情况，但它们并不构成对本技术的 限定，仅作举例而已。同时通过说明本技术的优点将变得更加清楚和容易理解。参阅图1、图2可知本技术低温加热用半导体陶瓷正温度系数热敏电阻器， 它包括半导体电阻陶瓷基片1、电极2、引线3、导电胶4、涂封层5、铜板6，其特征在于陶瓷 基片1通过导电胶4与铜板6粘连并位于铜板6中部，二根引线3中的一根与瓷基片1焊 接并引出，二根引线3中的另一根与铜板6焊接并引出，与陶瓷基片1相粘连的铜板6的表 面采用涂封层5将陶瓷基片1和引线3覆盖，涂封层5为有机硅胶涂封层。铜板6的一面 作为传热面，被涂封的另一面则直接与其中一条引线4相连通。陶瓷基片系按照典型电子陶瓷元件流程工艺制造的BaTiO3-SrTiO3系组份材料制 造的陶瓷基片。陶瓷基片1，其电阻率P :35 180 0(^，在-401士101最低，且随温度增加呈单 调阶跃上升，P 50Γ / P -40Γ> 150倍。本技术涉及一种钛酸钡系半导体陶瓷正温度系数热敏电阻器瓷片，该瓷片主 要作为发热源元件加以运用，所形成的加热器件为非绝缘型，适用于直流安全电压值下，对 小面积元器件或局部区域做定温辅助性加热。本新型实用将适合与一般温度条件(-10°C 55°C )，而需要在低温条件下 (_20°C _55°C )工作，但又不能充分实现功能特性输出的产品营造一个满意的气候环境， 从而保证其固有特性能克服因温度过低后会形成制约的影响。陶瓷基片1为BaTi03_SrTi03系正温度系数PTC材料，其使用温度在(_55°C 85°C )，最小电阻率 P (_5trc _35γ ) :50 150 Ω · cm, P 50Γ / P ΜΙΝ > 150 (倍)，导电胶 4 铅笔 硬度3 6B，铜板6(T2/y2紫铜板)厚度0. 5士0. 05mm。形成的加热用陶瓷正温度系数热敏电阻器为非绝缘型，应在不超过安全电压下工 作。使用时，将被需要加热的器件部位与铜板6紧接触，如粘贴，机械固定的方式即可，通过 选择一定的工作电压，改变输入功率大小，能将被加热体在低温环境条件下工作时，其自身 温度稳定在-10°C 55°C。权利要求1.低温加热用半导体陶瓷正温度系数热敏电阻器，它包括半导体电阻陶瓷基片(1)、 电极O)、引线(3)、导电胶G)、涂封层(5)、铜板(6)，其特征在于陶瓷基片⑴通过导电 胶(4)与铜板(6)粘连并位于铜板(6)中部，二根引线(3)中的一根与瓷基片(1)焊接并 引出，二根引线⑶中的另一根与铜板(6)焊接并引出，与陶瓷基片⑴相粘连的铜板(6) 的表面采用涂封层(5)将陶瓷基片⑴和引线(3)覆盖，涂封层(5)为有机硅胶涂封层。2.根据权利要求1所述的低温加热用半导体陶瓷正温度系数热敏电阻器，其特征在于 电阻陶瓷基片(1)，其电阻率P :35 180 0(^，在-401 士 10°C最低，且随温度增加呈单调 阶跃上升，P5trc/P _4crc>150 倍。专利摘要低温加热用半导体陶瓷正温度系数热敏电阻器，它包括半导体电阻陶瓷基片(1)、电极(2)、引线(3)、导电胶(4)、涂封层(5)、铜板(6)，陶瓷基片(1)通过导电胶(4)与铜板(6)粘连并位于铜板(6)中部，二根引线(3)中的一根与瓷基片(1)焊接并引出，二根引线(3)中的另一根与铜板(6)焊接并引出，与陶瓷基片(1)相粘连的铜板(6)的表面采用涂封层(5)将陶瓷基片(1)和引线(3)覆盖。本技术采用正温度阶跃特征低相变点且最小电足率处于-40℃左右的BaTiO3-SrTiO3材料的运用器件，它具有结构简单，性能稳定，响应时间快；可靠性高，自动控温且寿命较长等优点。文档编号H01C7/02GK201877233SQ20102052310公开日2011年6月22日 申请日期2010年9月9日 优先权日2010年9月9日专利技术者代汉钢, 周法宁, 顾民辉 申请人:武汉海创电子股份有限公司本文档来自技高网...

【技术保护点】
１．低温加热用半导体陶瓷正温度系数热敏电阻器，它包括半导体电阻陶瓷基片（１）、电极（２）、引线（３）、导电胶（４）、涂封层（５）、铜板（６），其特征在于陶瓷基片（１）通过导电胶（４）与铜板（６）粘连并位于铜板（６）中部，二根引线（３）中的一根与瓷基片（１）焊接并引出，二根引线（３）中的另一根与铜板（６）焊接并引出，与陶瓷基片（１）相粘连的铜板（６）的表面采用涂封层（５）将陶瓷基片（１）和引线（３）覆盖，涂封层（５）为有机硅胶涂封层。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：顾民辉，周法宁，代汉钢，
申请(专利权)人：武汉海创电子股份有限公司，
类型：实用新型
国别省市：83