【技术实现步骤摘要】
【技术保护点】
一种Ge或SiGe纳米线场效应晶体管的制备方法,包括以下步骤:1)在衬底上先形成一绝缘层,再淀积一多晶硅薄膜,并对该多晶硅薄膜进行掺杂,然后光刻和刻蚀形成多晶硅栅;2)在多晶硅栅上采用高K材料形成栅介质层;3)在栅介质层上淀积一SiGe薄膜;4)对SiGe薄膜进行源漏掺杂;5)光刻定义出源漏区图形,并各向异性干法刻蚀SiGe薄膜,在多晶硅栅两侧形成SiGe侧墙,同时在栅长方向上SiGe侧墙的两头分别形成源区和漏区;6)对SiGe侧墙进行氧化,然后去掉表面形成的氧化层,得到Ge纳米线或Ge含量提高了的SiGe纳米线。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员:艾玉杰,黄如,郝志华,浦双双,樊捷闻,孙帅,王润声,安霞,
申请(专利权)人:北京大学,
类型:发明
国别省市:11
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