一种系统提供指示存储器装置何时从自刷新退出的信号。因此，与存储器装置退出自刷新基本上同时地(在此之前或之后)，可触发指示符信号以指示存储器装置的正常操作或标准刷新操作和正常存储器访问。存储器控制器可访问该指示符信号以确定存储器装置是否处于自刷新。因此，存储器控制器可更小心地管理将命令发送给存储器装置的时序，同时减少通常与检测自刷新状况相关联的延迟时间。
【技术实现步骤摘要】
一般来说，本专利技术的实施例涉及存储器装置，更具体来说，涉及指示存储器装置从自刷新状态退出。版权声明/许可本专利文献的公开的部分可能包含受到版权保护的素材。版权拥有者不反对任何人复制出现在专利商标局专利档案或记录中的本专利文献或专利公开，但是无论如何却保留所有版权权利。该版权声明适用于下文描述和附图中的所有数据、以及下文描述的任何Copyright 2010, Intel Corporation, All Rights Reserved。
技术介绍
存储器装置在计算装置中的使用无处不在。通常使用动态随机存取存储器(DRAM) 作为计算装置中的工作存储器。工作存储器通常是易失性的(如果对系统中断功率，它便丢失状态)，并且提供对将由系统处理器访问和执行的数据和程序(代码)的临时存储。DRAM有多种类型和变型(一个实例是同步DRAM (SDRAM))。由于具动态性，所以 DRAM需要连续或有规律地刷新存储在存储器装置中的数据位。刷新一般由存储器控制器控制，存储器控制器周期性地访问存储器装置中的数据位。DRAM通常还具有自刷新模式，由此减少存储器装置的功率消耗。在自刷新中，通常关闭存储器装置内的所有内部时钟以及除了 CKE (时钟启用)以外的输入通道，其中CKE在传统上是供存储器控制器用于触发自刷新的单向信号。尽管存储器控制器利用CKE来触发自刷新，但是通常在存储器装置内部控制自刷新，这意味着存储器控制器看不到自刷新实际上何时开始和结束。因此，如果存储器控制器访问存储器装置并且没有得到任何响应，那么存储器控制器在传统上必定会假设存储器装置处于自刷新，并且在发送命令之前等待刷新循环时间(tRFC)加上额外的防护频带时间 (例如，10ns)。对于4(ibit装置，预期tRFC在300ns范围内；但是装置密度加倍时，tRFC也近乎加倍。因此，存储器控制器发送命令的延迟不断增加，并且可能产生不太理想的性能。图1是具有自刷新模式的现有技术的系统的实施例的时序图。图100表示已知系统中存在的各种信号。图100表示存储器装置、具体来说是具有自刷新模式的存储器装置内的信号。图中示出时钟信号(CK)，其中在时钟的上升边沿处示出各种时序点(TO、Tl、 T2...)。时钟启用(CKE)是由存储器控制器触发以指示存储器装置进入自刷新的单向信号。自刷新的进入和退出由存储器装置本身控制；因此，存储器控制器看不到存储器装置何时进入自刷新以及在自刷新多久时间的实际时序。如图所示，命令信号(CMD)在TO时示出nop (无操作)，并且假设在近似Tl时发出自刷新启用(SRE)命令。发出另一个nop，并且存储器装置在自刷新启用时钟计数(tCKSRE) 内进入自刷新。在会造成存储器内的数据丢失的风险的延迟之前，存储器装置将存储器装置带出自刷新。生成自刷新退出(SRX)命令的时间量在自刷新退出时钟计数(tCKSRX)内。 SRX的时序可与存储器控制器密切吻合，以便通过切换CKE来再启用时钟。在SRX(Tcl)之后的第一个命令是nop (TdO)。在时间周期tXS (在TeO示出)之后，可发出有效命令，前提条件是该命令不需要锁定的DLL。tXS的值是(tRFC+防护频带)。 可在自刷新退出之后发出的第一个有效命令在时间周期tXSDLL(在TfO示出)之后。从时间间断可了解，并且一般来说，图100不一定按比例绘制。
技术实现思路
本专利技术涉及一种方法，包括存储器装置从自刷新状态变为标准刷新状态，其中所述自刷新状态禁用所述存储器装置内的时钟以便临时暂停对所述存储器装置的访问操作；以及响应从所述自刷新状态变为所述标准刷新状态，触发所述存储器装置的自刷新状态指示符。本专利技术涉及一种设备，包括用于存储数据的存储器资源；用于接收时钟信号的输入控制线；以及耦合到所述存储器资源的存储器资源控制逻辑，所述控制逻辑用于从自刷新状态变为标准刷新状态，其中所述自刷新状态禁用所述存储器资源内的时钟以便临时暂停对所述存储器资源的访问操作；以及响应从所述自刷新状态变为所述标准刷新状态，切换自刷新状态指示符。本专利技术涉及一种方法，包括检查动态随机存取存储器(DRAM)的自刷新状态指示符；通过确定所述自刷新状态指示符是否指示所述DRAM处于自刷新来确定是否访问所述DRAM，其中自刷新禁用所述存储器装置内的时钟以便临时暂停对所述DRAM的访问操作；如果所述DRAM处于自刷新，那么选择自刷新等待时间；否则选择防护频带等待时间；其中所述自刷新等待时间指示在再次检查所述自刷新指示符之前存储器控制器应当等待的时间量，并且所述防护频带等待时间指示在从存储器控制器发送给所述DRAM 的命令之间的最少时间；以及在所述防护频带等待时间结束时发送命令。本专利技术涉及一种系统，包括存储器装置，具有用于存储数据的多个存储器资源；用于接收时钟信号的输入控制线；以及耦合到所述存储器资源的存储器资源控制逻辑，所述控制逻辑用于从自刷新状态变为标准刷新状态，其中所述自刷新状态禁用所述存储器资源内的时钟以便临时暂停对所述存储器资源的访问操作；并响应从所述自刷新状态变为所述标准刷新状态而切换自刷新状态指示符；以及 用于管理对存储在所述存储器装置上的数据的访问的存储器控制器，所述存储器控制器用于通过确定所述自刷新状态指示符是否指示所述存储器装置处于自刷新状态来确定是否访问所述存储器装置；如果所述存储器装置处于所述自刷新状态，那么选择自刷新等待时间；否则，选择防护频带等待时间；其中所述自刷新等待时间指示在再次确定所述自刷新状态指示符是否指示所述存储器装置处于自刷新状态之前存储器控制器应当等待的时间量，并且所述防护频带等待时间指示在从存储器控制器发送给所述存储器装置的命令之间的最少时间；以及在所述防护频带等待时间结束时发送命令。附图说明以下描述包括对各图的论述，这些图具有举例给出的对本专利技术的实施例的实现的图示。应当将这些图理解为是举例而非限制性地。如本文所使用，提到一个或多个“实施例”时应理解为是描述在本专利技术的至少一个实现中所包含的特定特征、结构或特性。因此， 在本文出现的诸如“在一个实施例中”或“在备选实施例中”的短语描述本专利技术的各种实施例和实现，并且不一定都指相同的实施例。但是，它们也不一定相互排斥。图1是具有自刷新模式的现有技术的系统的实施例的时序图。图2是包括自刷新状态指示符的具有自刷新模式的系统的实施例的时序图。图3是具有带自刷新状态指示符的存储器装置的系统的实施例的框图。图4是响应自刷新模式状态改变触发自刷新状态指示符的过程的实施例的流程图。图5是基于自刷新状态指示符确定是否访问存储器装置的过程的实施例的流程图。接下来是对某些细节和实现的描述，包括对可描绘以下描述的一些或所有实施例的各图的描述，并且论述本文介绍的专利技术概念的其它可能实施例或实现。下文提供本专利技术的实施例的概述，然后参考附图提供更详细的描述。具体实施例方式如本文所描述，一种系统允许提供指示自刷新状态改变的自刷新指示符信号。另外，通过使用该信号，可改善存储器装置从自刷新退出的时间。自刷新指示符信号是由存储器装置本身产生的信号，并且提供对应于自刷新状态改变的指示。因此，控制自刷新状态改变的存储器装置产生可由存储器控制器检测的自刷新状态指示符。存储器装置的自本文档来自技高网...
【技术保护点】
１．一种方法，包括：存储器装置从自刷新状态变为标准刷新状态，其中所述自刷新状态禁用所述存储器装置内的时钟以便临时暂停对所述存储器装置的访问操作；以及响应从所述自刷新状态变为所述标准刷新状态，触发所述存储器装置的自刷新状态指示符。
【技术特征摘要】
...
【专利技术属性】
技术研发人员：K·S·拜因斯，
申请(专利权)人：英特尔公司，
类型：发明
国别省市：US
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