本实用新型专利技术涉及防直接雷击使用的引下线，包括泄流导体、屏蔽圈、支撑于泄流导体和屏蔽圈间的绝缘层，所述泄流导体为铜导体，所述屏蔽圈为紫铜屏蔽圈，所述绝缘层为发泡塑料层，为防止弯曲或撞击时整体绝缘强度的损坏，还在泄流导体上套上第一内护层，在绝缘层上套上第二内护层。本实用新型专利技术的引下线的屏蔽圈能够将通过泄流导体放入地的雷电流产生的电磁辐射屏蔽，让电磁场的能量不辐射出去，使引下线不会产生空间电磁污染，有效保护周边的电子设备。（*该技术在2021年保护过期，可自由使用*）
【技术实现步骤摘要】
本技术涉及防直接雷击的装置，具体涉及一种防直接雷击使用的引下线。
技术介绍
目前，建筑物最基本的防雷要求就是防直接雷击，而防直接雷击的主要措施就是使用接伞器、引下线、接地网等设备。然而，既有的引下线多采用的Φ10的钢材构成，雷电流泄放入地时产生的电磁场能量就全部辐射出去了，周边的电子设备都会淹没在强烈的电磁场辐射中，给设备造成损坏，尤其是离引下线较近的电子设备更为强烈。随着微电子技术的发展，电磁辐射对设备的危害成为最主要的因素。因而有必要对现有技术进行改造，减弱雷击时电磁辐射的能量，保护建筑物内的信息设备。
技术实现思路
本技术的目的在于克服上述现有技术的缺陷，提供一种能减弱电磁辐射的防雷引下线。为实现上述目的，本技术采用如下技术方案一种减弱电磁辐射的防雷引下线，包括泄流导体，还包括屏蔽圈、支撑所述泄流导体和屏蔽圈的绝缘层。作为优化选择，所述泄流导体由截面积大于300mm2的单股或多股导体制成。作为优化选择，所述绝缘层由发泡塑料制成。作为优化选择，所述屏蔽圈由紫铜制成。作为优化方案，还可设第一内护层，所述第一内护层套在泄流导体上。作为优化方案，还可设第二内护层，所述第二内护层套在绝缘层上。作为优化选择，所述第一内护层和第二内护层采用韧性好的绝缘材料制成，厚度控制在Imm以内。作为优化方案，还可设外护层，所述外护层套在屏蔽圈上。作为优化选择，所述外护层为聚乙烯护套。本技术的有益效果是屏蔽圈将通过泄流导体放入地的雷电流产生的电磁辐射屏蔽，让电磁场的能量不辐射出去，使引下线不会产生空间电磁污染，有效保护周边的电子设备。附图说明图1为本技术一种减弱电磁辐射的防雷引下线的结构示意图。具体实施方式以下结合附图和具体实施例子对本技术一种减弱电磁辐射的防雷引下线作进一步详细的描述。请参照图1，本技术一种减弱电磁辐射的防雷引下线包括泄流导体1、屏蔽圈 5、支撑在泄流导体1和屏蔽圈5之间的间隙的绝缘层3。所述泄流导体1是由截面积大于 300mm2的单股或多股导体制成的。所述屏蔽圈5由紫铜制成，厚度为0. 5mm。所述绝缘层3 由发泡塑料制成。防止弯曲或撞击时整体绝缘强度的损坏，在泄流导体1上套上第一内护层2，所述第一内护层2由韧性好的绝缘材料构成，厚度控制在Imm以内。为进一步防止弯曲或撞击时整体绝缘强度的损坏，在绝缘层3上套上第二内护层 4，所述第二内护层4由韧性好的绝缘材料构成，厚度控制在Imm以内。为保护屏蔽圈5，在屏蔽圈5上套上外护层6，所述外护层6是由聚氯乙烯制成的护套。对于本领域的技术人员来说，可根据以上描述的技术方案以及构思，做出其它各种相应的改变以及变形，而所有的这些改变以及变形都应该属于本技术权利要求的保护范围之内。权利要求1.一种减弱电磁辐射的防雷引下线，包括泄流导体，其特征在于还包括屏蔽圈、支撑所述泄流导体和屏蔽圈的绝缘层。2.如权利要求1所述的减弱电磁辐射的防雷引下线，其特征在于所述泄流导体为截面积大于300mm2的金属导体。3.如权利要求1所述的减弱电磁辐射的防雷引下线，其特征在于所述绝缘层为发泡塑料层。4.如权利要求1所述的减弱电磁辐射的防雷引下线，其特征在于所述屏蔽圈为紫铜屏蔽圈。5.如权利要求1所述的减弱电磁辐射的防雷引下线，其特征在于还包括第一内护层， 所述第一内护层套在泄流导体上。6.如权利要求5所述的减弱电磁辐射的防雷引下线，其特征在于还包括第二内护层， 所述第二内护层套在绝缘层上。7.如权利1至6任意一项所述的减弱电磁辐射的防雷引下线，其特征在于还包括外护层，所述外护层套在屏蔽圈上。8.如权利要求7所述的减弱电磁辐射的防雷引下线，其特征在于所述外护层为聚乙烯护套。专利摘要本技术涉及防直接雷击使用的引下线，包括泄流导体、屏蔽圈、支撑于泄流导体和屏蔽圈间的绝缘层，所述泄流导体为铜导体，所述屏蔽圈为紫铜屏蔽圈，所述绝缘层为发泡塑料层，为防止弯曲或撞击时整体绝缘强度的损坏，还在泄流导体上套上第一内护层，在绝缘层上套上第二内护层。本技术的引下线的屏蔽圈能够将通过泄流导体放入地的雷电流产生的电磁辐射屏蔽，让电磁场的能量不辐射出去，使引下线不会产生空间电磁污染，有效保护周边的电子设备。文档编号H01R4/66GK201994436SQ20112007726公开日2011年9月28日 申请日期2011年3月22日 优先权日2011年3月22日专利技术者张远鹏 申请人:广州华炜科技有限公司本文档来自技高网...
【技术保护点】
１．一种减弱电磁辐射的防雷引下线，包括泄流导体，其特征在于：还包括屏蔽圈、支撑所述泄流导体和屏蔽圈的绝缘层。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：张远鹏，
申请(专利权)人：广州华炜科技有限公司，
类型：实用新型
国别省市：81
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