多层引线框封装及其制备方法技术

本发明专利技术提供了一种多层引线框封装及其制备方法，本发明专利技术提出了一种引线框封装，具有第一、第二、第三和第四导电结构，一对半导体晶片设置在它们之间，限定了一个堆栈式结构。第一和第二结构与第一结构分离开来，并重叠。半导体就设置在第一和第二结构之间。半导体晶片具有电连接到第一和第二结构的接头。一部分第三结构与一部分第二结构位于同一平面内。第三结构耦合到半导体晶片上。一个额外的半导体晶片连接到第一和第二结构的其中之一上。第四结构与额外的半导体晶片电接触。设置成型混料，将一部分所述的封装与设置在体积中的成型混料的子部分密封起来。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术主要涉及半导体封装，更确切地说是涉及。
技术介绍
现有的引线框组装技术采用一块金属合金带有多个单元结构，每个单元结构都通过晶片连接工艺，接收一个或指定数量的芯片。最常见的情况是，通常由金(Au)铝(Al)或铜(Cu)制备的金属线，连接到一个或多个半导体晶片的顶部衬垫以及引线框的引线垫上方，以便将来自引线框封装外部的信号和/或功率，传递到内部晶片，反之亦然。近年来，已经引入连接晶片和引线框的金属平板和/或夹片，用于功率半导体封装，以省略引线接合工艺并降低导通电阻。然而，现有的夹片/平板组装工艺所使用的夹片连接过程，是以一个接一个的顺序拾取并放下每个晶片的夹片。但这会减少产量输出。因此，有必要提供具有所需工作性能的功率半导体封装。
技术实现思路
本专利技术提出了一种引线框封装，其特点是具有第一结构，该第一结构是导电的；一个分离出来第二结构，与第一结构重叠，该第二结构是导电的；一个设置在第一和第二结构之间的半导体晶片，第二结构的一部分与半导体晶片分离，半导体晶片限定了一个体积，并具有一个直通路径，在第二结构的对边之间延伸，该直通路径与体积成流体连通，半导体晶片具有与第一和第二结构电接触的接头；以及设置的成型混料，用于将一部分封装和设置在体积中的成型混料的子部分密封在一起。在另一个实施例中，提出了第三结构，即与一部分第二结构共处一个公共平面的部分。该第三结构是导电的，并与半导体晶片电连通。然而，在另一个实施例中，一个额外的半导体晶片与第一和第二结构的其中之一重叠，并连接在一起。一个第四结构与额外的半导体晶片重叠，该第四结构是导电的，并与额外的半导体晶片电连通。本专利技术的这些及其他方面还将在下文中详细论述。一个引线框封装，其特点是，该封装包含—个第一引线框，该第一引线框是导电的；一个第二引线框，与该第一引线框重叠，该第二引线框的一部分与该第一引线框分离开来，该第二引线框是导电的；一个设置在该第一和第二引线框之间的第一半导体晶片，该第一半导体晶片具有电连接到该第一和第二引线框上的接头；一个第二半导体晶片，接合并电连接到该第二引线框；一个第三引线框，与该第一和第二引线框重叠，是导电的，并与该第二半导体晶片电接触；以及，所设置的成型混料，用于密封一部分该封装。一个引线框封装，其特点是，该封装包含一个第一结构，该第一结构是导电的；一个第二结构，与该第一结构重叠，该第二结构的一部分与该第一结构分离开来， 该第二结构是导电的；一个设置在该第一和第二结构之间的半导体晶片，该半导体晶片具有电连接到该第一和第二结构上的接头；并且所设置的成型混料，用于密封一部分封装，其中每个该第一结构和第二结构都还含有在相互垂直方向上延伸的拉杆。一种用于制备引线框封装的方法，其特点是，该方法包含制备一个第一引线框；将第一半导体晶片固定在第一引线框上；将第二引线框固定在所述的第一半导体晶片上，该第一半导体晶片设置在所述的第一和第二引线框之间；将第二半导体晶片固定在所述的第二引线框上，该第二引线框设置在该第一和第二半导体晶片之间，并将该第一半导体晶片上的接头电连接到该第二半导体晶片上的接头上；将第三引线框固定在该第二半导体晶片上，该第二半导体晶片设置在该第二和第三引线框之间；将该半导体晶片密封在非导电的成型混料中；并且分离该封装。一种半导体封装，其特点是，该封装包含—个第一结构，该第一结构是导电的；一个第二结构，与该第一结构分离开来，并重叠，该第二结构是导电的；一个第一半导体晶片，设置在该第一和第二结构之间，该第一半导体晶片具有电连接到该第一和第二结构的接头；一个第二半导体晶片，连接到该第二结构上，使第二结构位于第一和第二半导体晶片之间，并且电连接到第一和第二半导体晶片上；以及一个第三结构，与该第二结构分离开来，并重叠，该第三结构是导电的，并与该第二半导体晶片电接触。附图说明图1表示依据本专利技术的第一实施例，一种半导体晶片封装的俯视图；图IA表示图1所示的半导体晶片封装的第一引线框的俯视图；图IB表示图1所示的半导体晶片封装的半导体晶片的俯视图；图IC表示安装在图1所示的半导体晶片封装的第一引线框上方的半导体晶片的俯视图；图ID表示图1所示的半导体晶片封装的第二引线框的俯视图；图2表示图1所示的封装沿线2-2的剖面图；图3表示图1所示的封装沿线3-3的剖面图；图4表示图1-3所示的接触窝点和直通路径的详细视图5A表示图1所示封装的侧视图；图5B表示图5A所示的封装旋转90度的侧视图；图6A和6B分别表示图5所示封装的仰视图和俯视图；图7表示依据本专利技术的第二实施例，一种半导体晶片封装的俯视图；图8表示图7所示的封装沿线8-8的剖面图；图9表示带有成型材料的类似于图1所示封装的俯视图；图10表示带有成型材料的类似于图1所示封装的仰视图；图11表示依据本专利技术的第三实施例，一种半导体晶片封装的俯视图；图12表示图11所示的封装沿线12-12的剖面图；图13表示图11所示的封装沿线13-13的剖面图；图14表示图11所示的封装沿线14-14的剖面图；图15表示图11-14所示的接触窝点和直通路径的详细视图；图16表示带有成型材料的类似于图11所示封装的俯视图；图17表示依据本专利技术的一个可选实施例，带有成型材料的类似于图11所示封装的俯视图；图18表示依据本专利技术的一个可选实施例，带有成型材料的类似于图7所示封装的俯视图；图19表示依据本专利技术的另一个可选实施例，带有成型材料的类似于图7所示封装的俯视图；图20表示依据本专利技术的第四实施例，一种半导体晶片封装的俯视图；图21表示带有成型材料的类似于图20所示封装的俯视图；图22表示与图20所示的半导体晶片有关的电路图的示意图；图23表示依据本专利技术的第五实施例，一种半导体晶片封装的俯视图；图M表示图23所示的封装沿线24-M的剖面图；图25表示与图23所示的半导体晶片有关的电路图的示意图；图沈表示依据本专利技术的另一个实施例，一种半导体晶片封装的俯视图；图2队表示图沈所示封装的底部引线框的俯视图；图26B表示安装在图沈所示封装的底部引线框上的第一半导体晶片的俯视图；图26C表示图沈所示封装的中间引线框的俯视图；图26D表示安装在图沈所示封装的第一半导体晶片和底部引线框上的中间引线框的俯视图；图26E表示安装在图沈所示封装的中间引线框上的第二半导体晶片的俯视图；图^F表示图沈所示封装的顶部引线框的俯视图；图27表示图沈所示的封装沿线27-27的剖面图；图28表示图沈所示的封装沿线28-28的剖面图；图四表示图沈所示的封装沿线29- 的剖面图；图30表示用于组装图1所示封装的批量处理技术的透视图；图31表示组装的一批图30所示封装的透视图；图32表示图31所示的校准孔和校准突起的侧面剖面图33表示用于类似于图31所示的引线框结构的第二半导体晶片的俯视图；图34表示用于类似于图31所示的引线框结构的顶部引线框的俯视图；图35表示用于类似于图26-34所示的引线框结构的校准孔和校准突起的侧面剖面图；图36表示制备类似于图沈所示封装的工艺流程图。 具体实施例方式参见图1至6B，一种多层引线框封装10包含第一和第二导电引线框12和14。第一引线框12含有三个分隔开的结构15、16和17。第二引线框14含有两个分隔开的结构 1本文档来自技高网...

【技术保护点】
１．一个引线框封装，其特征在于，该封装包含：一个第一引线框，所述的第一引线框是导电的；一个第二引线框，与所述的第一引线框重叠，所述的第二引线框的一部分与所述的第一引线框分离开来，所述的第二引线框是导电的；一个设置在所述的第一和第二引线框之间的第一半导体晶片，所述的第一半导体晶片具有电连接到所述的第一和第二引线框上的接头；一个第二半导体晶片，接合并电连接到所述的第二引线框；一个第三引线框，与所述的第一和第二引线框重叠，是导电的，并与所述的第二半导体晶片电接触；以及，所设置的成型混料，用于密封一部分所述的封装。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：鲁军，孙明，何约瑟，刘凯，石磊，
申请(专利权)人：万国半导体股份有限公司，
类型：发明
国别省市：US