晶体管基底及其制造方法技术

本发明专利技术公开了一种晶体管基底和制造该晶体管基底的方法。该晶体管基底包括：半导体层，布置在基层上；第一层，布置在半导体层上并具有第一透光率；源电极和漏电极，源电极布置在半导体层的第一侧上并延伸到第一层的第一部分上，漏电极布置在半导体层的相对的第二侧上并延伸到第一层的第二部分上并且与源电极分开；第二层，布置在第一层与源电极和漏电极之间且具有低于第一透光率的第二透光率；栅极绝缘层，布置在第一层上；栅电极，布置在栅极绝缘层上。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种。
技术介绍
将具有精细图案的掩模转印到包括薄膜晶体管(TFT)和导线的晶体管基底，以在晶体管基底上形成精细的结构图案。利用掩模转印图案的工艺使用了利用光掩模的光刻工艺。根据光刻工艺，在基底上均勻地涂覆光致抗蚀剂，将具有图案的光掩模与基底对准，并利用诸如步进曝光机之类的曝光装置将基底曝光。基底经历包括将曝光的光致抗蚀剂(例如，正型光致抗蚀剂)显影、通过使用剩余的光致抗蚀剂图案来蚀刻图案以形成期望的图案以及将光致抗蚀剂的剩余部分去除在内的一系列工艺。由于利用光掩模形成图案的一系列工艺是复杂的，所以制造成本和制造时间随着利用光掩模的工艺的数量的增加而增加。此外，需要将基底和光掩模精确地对准来形成精细的图案。
技术实现思路
本专利技术提供了一种能够减少光掩蔽工艺的数量和/或将基底光掩模精确地对准的晶体管基底以及制造该晶体管基底的方法。根据本专利技术的一方面，提供了一种晶体管基底，该晶体管基底包括半导体层，布置在基层上；第一层，布置在所述半导体层上并具有第一透光率；源电极和漏电极，所述源电极布置在所述半导体层的第一侧上并延伸到所述第一层的第一部分上，所述漏电极布置在所述半导体层的与第一侧相对的第二侧上并延伸到所述第一层的第二部分上并且与所述源电极分开；第二层，布置在所述第一层与所述源电极和漏电极之间且具有低于所述第一透光率的第二透光率；栅极绝缘层，布置在所述第一层上；栅电极，布置在所述栅极绝缘层上。所述第一层可包含相对于所述源电极和漏电极以及所述第二层具有蚀刻选择性的材料。所述源电极和漏电极的内侧与所述第二层的内侧可布置在同一平面上。所述源电极和漏电极的外侧与所述半导体层的外侧可布置在同一平面上。所述第一层的外侧与所述第二层的外侧可布置在同一平面上。所述源电极和漏电极可直接接触所述半导体层。所述第一透光率可大于50 %且小或等于100 %，所述第二透光率可大于0 %且小或等于50 %。所述第一层可包含氧化硅或氮化硅，所述第二层可包含选自于由非晶硅和掺杂的非晶硅组成的组中的材料。所述源电极和漏电极可包括多个欧姆接触层以及布置在所述欧姆接触层上的金属层。所述半导体层的其上没有布置所述第一层的一部分包含杂质。所述晶体管基底还可包括与所述半导体层分开并包括第三层的对准键，所述第三层包含与所述第二层的材料相同的材料。所述对准键还可包括布置在所述第三层下面并包含与所述第一层的材料相同的材料的第四层。根据本专利技术的另一方面，提供了一种制造晶体管基底的方法，该方法包括以下步骤通过利用第一光掩蔽工艺将第一层和第二层图案化使得所述第一层和所述第二层的外侧布置在同一平面上来在基层上顺序地形成半导体层、所述第一层和所述第二层，其中，所述第一层具有第一透光率，第二层具有低于所述第一透光率的第二透光率；通过在所述第一光掩蔽工艺的所得结构上沉积用于源电极和漏电极的材料并通过第二光掩蔽工艺将所沉积的材料图案化来形成源电极和漏电极，其中，所述源电极连接到所述半导体层的第一侧并延伸到所述第二层的第一部分上，所述漏电极连接到所述半导体层的与第一侧相对的第二侧并延伸到所述第二层的第二部分上并且与所述源电极分开，其中，所述源电极和漏电极的内侧与所述第二层的内侧布置在同一平面上；通过在所述第二光掩蔽工艺的所得结构上沉积绝缘层然后沉积用于栅电极的材料，然后通过第三光掩蔽工艺将用于栅电极的所述材料图案化，而在与半导体层对应的位置处形成栅电极。所述方法还可包括与所述半导体层分开并在所述基层的角落处形成对准键，所述对准键包括与所述第二层有着相同材料的第三层。所述对准键还可包括布置在所述第三层下面并包含与所述第一层的材料相同的材料的第四层。所述源电极和漏电极可被图案化成使得所述源电极和漏电极的外侧与所述半导体层的外侧布置在同一平面上。所述第一层可包含相对于所述源电极和漏电极以及所述第二层具有蚀刻选择性的材料。所述方法还可包括通过沉积用于欧姆接触层的材料然后在所述第二光掩蔽工艺过程中将用于所述欧姆接触层的所述材料图案化来形成欧姆接触层。所述第二光掩蔽工艺还可包括在图案化用于所述欧姆接触层的材料的同一过程中蚀刻所述第二层。附图说明当结合附图来考虑时，通过参照下面的详细描述，对本专利技术的更完整的理解以及本专利技术的许多附带的优点将变得显而易见并且更易于理解，附图中相同的标号表示相同或相似的组件，其中图1至图8是示意性地示出根据本专利技术第一实施例的晶体管基底和制造该晶体管基底的方法的剖视图和平面图；图9至图15是示意性地示出晶体管基底和制造晶体管基底的方法的剖视图；图16和图17是示意性地示出根据本专利技术第二实施例的晶体管基底和制造该晶体管基底的方法的剖视图；图18是根据本专利技术第三实施例的晶体管基底的一部分的示意性剖视图。 具体实施例方式现在将参照附图更充分地描述本专利技术，在附图中示出了本专利技术的示例性实施例。现在参照图1至图8，图1至图8是示意性地示出根据本专利技术第一实施例的晶体管基底和制造该晶体管基底的方法的剖视图和平面图。参照图1，缓冲层11和层12沉积在基层10上，层12包含后面将要用来形成半导体层22的材料。基层10可由包含作为主要成分的SiA的透明玻璃材料制成。基层10还可由不透明材料或者诸如塑性材料之类的其他材料制成。缓冲层11沉积在基层10上。缓冲层11包含SiA和/或SiNx来提高基层10的平滑性并防止杂质元素从基层10渗透。之后，层12沉积在缓冲层11上。可利用包括等离子体增强化学气相沉积(PECVD)、大气压CVD (APCVD)、低压 CVD(LPCVD)等在内的各种沉积技术来沉积缓冲层11和层12。用于层12的将用来形成半导体层22的材料可以是非晶硅或多晶硅。这里，可以使非晶硅结晶来形成多晶硅。可以利用包括快速热退火(RTA)、固相结晶(SPC)、准分子激光退火(ELA)、金属诱导结晶(MIC)、金属诱导横向结晶(MILC)、顺序横向固化(SLS)等在内的各种技术使非晶硅结晶。参照图2，包含将用来形成第一层23的材料的层13以及包含将用来形成第二层 24的材料的层14以所述顺序在层12上顺序地沉积。这里，当层12被图案化来制造半导体层22时，第一层23将起到蚀刻停止层的作用(随后将对此进行描述)，第二层M对于在基底的角落形成对准键30是重要的(随后也将对此进行描述)。可将诸如氧化硅或氮化硅之类的具有高透光率的材料用作层13的材料，当图案化层13时，层13将变成第一层23。例如，可将透光率大于50%且小或等于100%的材料用作制造第一层23的材料。关于何种材料可以用来制造第一层23的另一限制在于，在之后蚀刻并图案化层12来制造半导体层22时该材料必须起到蚀刻停止件的作用，这将在随后进行描述。可将透光率低于第一层23的透光率的材料用作层14中的用来制造第二层M的材料。例如，可将透光率大于0%且小或等于50%的材料用作形成第二层对的材料。例如， 可将与半导体层22类型相同的硅基材料用作第二层M的材料。例如，可将非晶硅或离子杂质掺杂的非晶硅用作第二层M的材料。离子杂质可以是n+型或ρ+型杂质。在层14上涂覆第一光致抗蚀剂层“P1”，利用具有阻光部分“Mia”和透光部分 “Mlb”的第一光掩模“Ml”来执行第一光掩蔽工艺。利用曝光装置(未示出)将第一光本文档来自技高网...

【技术保护点】
１．一种晶体管基底，所述晶体管基底包括：半导体层，布置在基层上；第一层，布置在所述半导体层上并具有第一透光率；源电极和漏电极，所述源电极布置在所述半导体层的第一侧上并延伸到所述第一层的第一部分上，所述漏电极布置在所述半导体层的与第一侧相对的第二侧上并延伸到所述第一层的第二部分上并且与所述源电极分开；第二层，布置在所述第一层与所述源电极和漏电极之间且具有低于所述第一透光率的第二透光率；栅极绝缘层，布置在所述第一层上；栅电极，布置在所述栅极绝缘层上。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：朴荣焕，
申请(专利权)人：三星移动显示器株式会社，
类型：发明
国别省市：KR