触摸感测式液晶显示装置及其制造方法制造方法及图纸

技术编号:6636424 阅读:131 留言:0更新日期:2012-04-11 18:40
触摸感测式液晶显示装置及其制造方法。一种触摸感测式液晶显示装置包括:阵列基板,其包括第一基板、公共电极、像素电极和触摸感测单元;滤色器基板,其包括第二基板,并且面对所述阵列基板;防静电层,其在所述第二基板的外侧上,并且包括无机材料和导电粒子;以及液晶层,其位于所述第一基板与所述第二基板的内侧之间。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及液晶显示(LCD)装置,更具体地说,涉及包括防静电层的。
技术介绍
近来,IXD装置由于其低功耗和便携性已广泛用作下一代技术密集且有附加值的装置。通常,IXD装置使用液晶分子的光学各向异性和偏振特性来产生图像。由于液晶分子的光学各向异性,入射到液晶分子上的光的折射取决于液晶分子的配向(alignment)方向。液晶分子具有能沿特定方向配向的细长形状。能通过施加电场来控制液晶分子的配向方向。因此,液晶分子的配向根据所施加的电场的方向而变化,并且由于光学各向异性,光沿液晶分子的配向方向折射,从而显示图像。由于包括薄膜晶体管(TFT)作为开关元件、被称为有源矩阵LCD(AM-LCD)装置的 IXD装置具有高分辨率和显示运动图像的优异特性,所以AM-IXD装置已被广泛使用。AM-IXD装置包括阵列基板、滤色器基板和插入在这二者之间的液晶层。阵列基板可包括像素电极和TFT,滤色器基板可包括滤色器层和公共电极。AM-IXD装置由像素电极和公共电极之间的电场驱动,以具有优异的透射率和孔径比特性。然而,由于AM-LCD装置使用垂直电场,所以AM-LCD装置具有较差的视角。面内切换(IPS)模式IXD装置或边缘场切换(FFS)模式IXD装置可用于解决上面提到的限制。图1是根据现有技术的IPS模式LCD装置的截面图。如图1所示,阵列基板和滤色器基板分离并互相面对。阵列基板包括第一基板10、公共电极17和像素电极30。尽管未示出,但阵列基板可包括TFT、选通线、数据线等。滤色器基板包括第二基板9、滤色器层(未示出)等。液晶层11插入在第一基板10与第二基板9之间。由于公共电极17和像素电极30在同一水平面上形成在第一基板10上,所以在公共电极17与像素电极30之间产生水平电场“L”。液晶层11的液晶分子由水平电场驱动,使得IPS模式LCD装置具有宽视角。图2A和图2B是示出根据现有技术的IPS模式LCD装置的开启/关闭状态的截面图。如图2A所示,当电压施加到IPS模式IXD装置时,公共电极17和像素电极30上方的液晶分子Ila不变。但是公共电极17与像素电极30之间的液晶分子lib由于水平电场“L” 而水平排列。由于液晶分子通过水平电场来排列,所以IPS模式LCD装置具有宽视角的特性。图2B示出当电压未施加到IPS模式LCD装置时的状况。因为公共电极17与像素电极 30之间没有产生电场,所以液晶分子11的排列没有改变。在FFS模式LCD装置中,像素电极和公共电极中的一个在像素区具有板形,并且像素电极和公共电极中的另一个具有开口。像素电极和公共电极形成在下基板上。结果,液晶分子由像素电极与公共电极之间的边缘场驱动。遗憾的是,由于在IPS模式IXD装置或FFS模式IXD装置的上基板上不存在由导电材料形成的公共电极,所以在上基板的外侧上需要由诸如铟锡氧化物(ITO)和铟锌氧化物(IZO)的透明导电材料形成的防静电层,以防止由于静电所导致的问题。通常,防静电层具有约200埃(A)的厚度,以及约500欧姆每平方(Ω/sq)的薄层电阻。因为防静电层的薄层电阻与金属材料的薄层电阻基本相同,所以由于防静电层,静电不会对装置造成损坏。IPS模式IXD装置或FFS模式IXD装置用于电视、投影仪、移动电话、PDA等。近来,移动装置包括触摸传感器,使得能通过触摸来操作该装置。遗憾的是,即使电容覆盖式触摸传感器被包含在IPS模式IXD装置或FFS模式IXD 装置的单元(cell)中,但是由于IPS模式LCD装置或FFS模式LCD装置的由诸如铟锡氧化物(ITO)和铟锌氧化物(IZO)的透明导电材料形成的防静电层,导致不能检测由触摸产生的电容变化。也就是说,不能通过触摸传感器来操作现有技术的IPS模式LCD装置或FFS 模式IXD装置。更具体地说,当用户将他的手指触摸到IPS模式IXD装置或FFS模式IXD装置上时,在手指与IPS模式IXD装置或FFS模式IXD装置的防静电层之间产生电容。该电容通过防静电层放电到外部空间,使得不能通过电容覆盖式触摸传感器来检测用户的触摸。如果为了触摸感测而去除防静电层,则静电会造成损坏。
技术实现思路
因此,本专利技术致力于基本上消除了由于现有技术的限制和缺点所导致的一个或更多个问题的触摸感测式LCD装置及其制造方法。本专利技术的附加特征和优点将在以下的说明书中进行阐述,并且将根据说明书而部分地变得明显,或者可以通过对本专利技术的实践来了解。可以通过书面的说明书及其权利要求书以及附图中具体指出的结构来实现和获得本专利技术的目的和其它优点。为了实现这些和其它优点,根据本专利技术的目的,如这里具体实施和广泛描述的,一种触摸感测式液晶显示装置包括阵列基板,其包括第一基板、公共电极、像素电极和触摸感测单元;滤色器基板,其包括第二基板,并且面对所述阵列基板;防静电层,其在所述第二基板的外侧上,并且包括无机材料和导电粒子;以及液晶层,其位于所述第一基板与所述第二基板的内侧之间。在本专利技术的另一方面中,一种制造触摸感测式液晶显示装置的方法包括在第一基板上形成选通线、数据线、薄膜晶体管、公共电极、像素电极和触摸感测单元;在第二基板的外侧上形成防静电层,所述防静电层包括无机材料和导电粒子;以及接合所述第一基板和所述第二基板,所述第一基板与所述第二基板之间插入有液晶层。在本专利技术的另一方面中,一种制造触摸感测式液晶显示装置的方法包括在第一基板上形成选通线、数据线、薄膜晶体管、公共电极、像素电极和触摸感测单元;将第二基板接合到所述第一基板,以形成液晶面板,其中所述液晶面板具有第一厚度;蚀刻所述第一基板和所述第二基板中的每一个的外侧,使得所述液晶面板具有比所述第一厚度小的第二厚度;以及在所述第二基板的外侧上形成防静电层,所述防静电层包括无机材料和导电粒子。应该理解,本专利技术前面的一般描述和下面的具体描述都是示例性和说明性的,并且旨在对要求保护的本专利技术提供进一步说明。附图说明附图被包括进来以提供对本专利技术进一步的理解,并被并入本说明书且构成本说明书的一部分,附图例示了本专利技术的实施方式,并且与描述一起用于解释本专利技术的原理。图1是根据现有技术的IPS模式IXD装置的截面图。图2A和图2B是示出根据现有技术的IPS模式LCD装置的开启/关闭状态的截面图。图3是根据本专利技术的用于触摸感测式LCD装置的阵列基板的示意性平面图。图4是示出根据本专利技术的用于触摸感测式LCD装置的阵列基板的一部分的平面图。图5是沿图4的线V-V截取的截面图。图6是沿图4的线VI-VI截取的截面图。图7A至图7D是示出根据本专利技术实施方式的触摸感测式LCD装置的制造工艺的截面图。图8A至图8E是示出根据本专利技术实施方式的触摸感测式LCD装置的制造工艺的截面图。具体实施例方式现在将详细参照优选实施方式,附图中例示了其示例。图3是根据本专利技术的用于触摸感测式LCD装置的阵列基板的示意性平面图。如图3所示,在阵列基板上限定多个触摸块TB。此外,在各触摸块TB中限定第一区Al、第二区A2和第三区A3。第二区A2被设置在第一区Al与第三区A3之间。触摸块TB 是触摸感测的单位区域。在第一区Al、第二区A2和第三区A3中的每一个中限定多个像素区P。多条选通线119沿第一方向(即,X方向)延伸,多条数据线1本文档来自技高网
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【技术保护点】
1.一种触摸感测式液晶显示装置,该触摸感测式液晶显示装置包括:阵列基板,其包括第一基板、公共电极、像素电极和触摸感测单元;滤色器基板,其包括第二基板,并且面对所述阵列基板;防静电层,其在所述第二基板的外侧上,并包括无机材料和导电粒子;以及液晶层,其位于所述第一基板与所述第二基板的内侧之间。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员:吴锦美安龙秀南敬真李汉锡
申请(专利权)人:乐金显示有限公司
类型:发明
国别省市:KR

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