发光器件、发光器件封装、发光器件的制造方法及照明系统技术方案

本发明专利技术提供了一种发光器件、发光器件封装、发光器件的制造方法及照明系统。根据实施例的发光器件包括：导电支撑构件；在导电支撑构件上的发光结构，该发光结构包括第一导电半导体层、第二导电半导体层、以及在第一和第二导电半导体层之间的有源层；以及在发光结构上的保护器件。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及发光器件、发光器件的制造方法以及发光器件封装。
技术介绍
发光二极管(LED)是将电流转换为光的半导体发光器件。LED能够产生具有高亮度的光，使得LED已经被广泛地用作用于显示装置、车辆或者照明设备的光源。另外，LED能够通过采用荧光体或者组合具有各种颜色的LED而表现出具有优异的光效率的白色。为了提高LED的亮度和性能，已经进行各种尝试来改进光提取结构、有源层结构、 电流扩展、电极结构、以及发光二极管封装的结构。
技术实现思路
实施例提供具有新颖的结构的发光器件、发光器件的制造方法、以及发光器件封装。实施例提供能够提高耐受电压特性的发光器件，以及发光器件的制造方法。根据实施例的发光器件包括导电支撑构件；在导电支撑构件上的第二导电半导体层；在第二导电半导体层上的有源层；在有源层上的第一导电半导体层；以及在第一导电半导体层上的保护器件。一种发光器件的制造方法可以包括下述步骤通过在硅衬底上顺序地堆叠第一导电半导体层、有源层、以及第二导电半导体层来形成发光结构；在发光结构上形成导电支撑构件；通过选择性地去除硅衬底来形成保护器件的主体；将第一导电掺杂物注入保护器件的主体中；通过将第二导电掺杂物注入主体的下部来形成掺杂部分；以及在主体和掺杂部分中的至少一个上形成电极。实施例能够提供具有新颖的结构的发光器件、发光器件的制造方法、以及发光器件封装。实施例能够提供能够提高耐受电压特性的发光器件，以及发光器件的制造方法。 附图说明图1是根据第一实施例的发光器件的截面图；图2是根据第一实施例的发光器件的平面图；图3是示出图1的发光器件的保护器件的操作原理的电路图；图4至图11是示出根据第一实施例的发光器件的制造方法的截面图；图12是根据第二实施例的发光器件的截面图；图13是根据第三实施例的发光器件的截面图；图14是根据第四实施例的发光器件的截面图；图15是示出根据实施例的包括发光器件的发光器件封装的截面图；图16是示出根据实施例的包括发光器件或者发光器件封装的背光单元的分解透视图；以及图17是示出根据实施例的包括发光器件或发光器件封装的的照明单元的透视图。具体实施例方式在实施例的描述中，将会理解的是，当层(或膜)、区域、图案或结构被称为处于另一衬底、另一层(或膜)、另一区域、另一焊盘或另一图案“上”或者“下”时，它能够“直接地”或者“间接地”在另一衬底、层(或膜)、区域、焊盘或者图案上，或者也可以存在一个或多个中间层。已经参考附图描述了这样的层的位置。为了便于描述和清楚起见，在附图中示出的每层的厚度和尺寸被夸大、省略、或示意性绘制。另外，元件的尺寸没有完全反映真实尺寸。在下文中，将会参考附图描述根据实施例的发光器件、发光器件的制造方法、发光器件封装以及照明系统。图1是示出根据第一实施例的发光器件100的截面图，并且图2是发光器件100 的平面图。参考图1和图2，发光器件100包括导电支撑构件160、在导电支撑构件160上的附着层158、在附着层158或者导电支撑构件160的顶表面的外围部分上的保护构件155、 在附着层158上的反射层157、在反射层157上的欧姆接触层156、在欧姆接触层156和保护构件155上的发光结构145、在发光结构145上的第一电极170、以及在发光结构145上的保护器件115。发光结构145至少包括第一导电半导体层130、在第一导电半导体层130下面的有源层140、以及在有源层140下面的第二导电半导体层150。第一导电半导体层130、有源层140、以及第二导电半导体层150构成产生光的结构。导电支撑构件160支撑发光结构145，并且和第一电极170 —起向发光器件100提供电力。导电支撑构件160可以包括Ti、Cr、Ni、Al、Pt、Au、W、Cu、Mo以及掺杂有杂质的半导体衬底中的至少一个。附着层158可以形成在导电支撑构件160上。附着层158是结合层以提高导电支撑构件160和发光结构145之间的界面结合强度。附着层158可以包括Ti、Au、Sn、Ni、Cr、Ga、h、Bi、Cu、Ag以及Ta中的至少一个。另外，附着层158可以具有包括多个异质层的多层结构。导电支撑构件160能够通过镀工艺或者沉积工艺形成。如果导电支撑构件160具有充分的附着特性，那么可以省略附着层158。保护构件155能够形成在附着层158或者导电支撑构件160的顶表面的外围部分上。保护构件155能够防止发光结构145和导电支撑构件160之间的电气短路。保护构件155可以包括具有电气绝缘特性的材料。例如，保护构件155可以包括从由 Si02、Six0y、Si3N4、SixNy、Si0xNy、Al203、Ti02、IT0、AZ0 以及 ZnO 组成的组中选择的至少一个。反射层157能够形成在附着层158上。反射层157反射从发光结构145入射的光，以提高发光器件100的发光效率。反射层157可以包括具有高反射率的材料。例如，反射层157能够通过使用包括从由Ag、Ni、Al、Rh、Pd、Ir、Ru、Mg、ai、Pt、Au以及Hf组成的组中选择的至少一个的金属或者金属合金而形成。另外，反射层157能够通过使用上述金属或者金属合金，以及诸如ΙΖ0、 ΙΖΤ0、ΙΑΖ0、IGZO、IGTO、AZO或者ATO的透射导电材料而被制备为多层。例如，反射层可以具有包括IZ0/Ni、AZ0/Ag、IZ0/Ag/Ni或者AZO/Ag/Ni的堆叠结构。设置反射层157以提高光效率，并且可以不必须要求反射层157。欧姆接触层156形成在反射层157上。欧姆接触层156形成欧姆接触，使得电流能够在反射层157和发光结构145之间流动。如果反射层157形成相对于发光结构145的欧姆接触，那么可以省略欧姆接触层 156，但是实施例不限于此。欧姆接触层156可以包括从由11"0、慰、？仏11~、诎和48组成的组中选择的至少一个，但是实施例不限于此。欧姆接触层156可以选择性地采用透射导电层和金属。欧姆接触层156能够通过使用从由ITO(铟锡氧化物)、IZO(铟锌氧化物)、ΙΖΤ0(铟锌锡氧化物)、 IAZO (铟铝锌氧化物)、IGZO (铟镓锌氧化物)、IGTO (铟镓锡氧化物)、AZO (铝锌氧化物)、 ATO (锑锡氧化物)、GZO (镓锌氧化物)、IrOx、RuOx, RuOx/1 TO, Ni、Ag、Ni/IrOx/Au、以及 Ni/ IrOx/Au/ITO组成的组中选择的至少一个而制备为单层或者多层。发光结构145可以形成在欧姆接触层156和保护构件155上。发光结构145包括多个半导体层以产生光。例如，发光结构145至少包括第一导电半导体层130、在第一导电半导体层130下面的有源层140、以及在有源层140下面的第二导电半导体层150。例如，第二导电半导体层150可以包括ρ型半导体层。P型半导体层可以包括具有 InxAlyGa1^yN(0彡χ彡1，0彡y彡1，0彡x+y彡1)的组成式的半导体材料。例如，ρ型半导体层可以包括掺杂有诸如Mg、Zn、Ca、Sr、或者Ba的ρ型掺杂物的IniUGaN、GaN, AlGaN, hGaN、AlN 或者 InN。有源层140形成在第二导电半导体层150上。有源层140通过经由第一本文档来自技高网...

【技术保护点】
１．一种发光器件，包括：导电支撑构件；发光结构，所述发光结构在所述导电支撑构件上，并且包括第一导电半导体层、第二导电半导体层、以及在所述第一导电半导体层和所述第二导电半导体层之间的有源层；以及保护器件，所述保护器件在所述第一导电半导体层上。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：丁焕熙，李尚烈，宋俊午，崔光基，
申请(专利权)人：LG伊诺特有限公司，
类型：发明
国别省市：KR