晶圆表面局部定位清洗方法技术

本发明专利技术公开了一种半导体晶圆表面局部定位清洗方法。相对以往的整体浸泡清洗技术，不需要将晶圆整体浸入到大量的化学药剂中以去除杂质，而是提出以微小触头尖端的药剂液滴对晶圆局部进行定位清洗。本发明专利技术特点就是每次清洁过程仅仅需要微升级的药剂量，就能达到清除晶圆表面污染的目的，可以大量减少清洗药剂和纯水的使用量，达到节能减排，降低制造成本的效果。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
１．一种半导体晶圆表面局部定位清洗方法，其特征在于：利用定位清洗触头对晶圆表面进行清洗；清洗步骤如下：（１）清洗前计算机读取晶圆表面污染物的分布区域数据；（２）定位清洗触头输出清洗药剂；（３）药剂对测试到的晶圆表面污染物分布区域进行清洗；（４）边清洗边回收含污染物的液滴；（５）药剂清洗完成后切换成纯水清洗，直到完成整个污染区域的清洗过程；所述定位清洗触头为双层结构，在触头内层结构安装清洗液输出管道和清洗液回收管道；清洗触头安装触头臂上，触头臂依照清洗前测试所得污染分布数据，在清洗开始时移动至污染区域清洗起始位置。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：叶伟清，
申请(专利权)人：叶伟清，
类型：发明
国别省市：31