发光二极管光源模组制造技术

本发明专利技术提供一种发光二极管光源模组，其具有一个电路板，一个光转换层，以及若干个发光二极管。所述若干个发光二极管发出具有一初始颜色的光，所述若干个发光二极管设置在所述电路板上，且通过所述电路板电连接与外部电源。所述光转换层具有一透明基体和分布于所述透明基体中的荧光物质微粒，所述光转换层对应于所述若干发光二极管排成的阵列设置，其厚度由中心向周边递减，使得所述初始颜色的光经过所述光转换层而形成的混合颜色的光均匀。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种发光二极管光源模组，尤其涉及一种白光发光二极管光源模组。
技术介绍
发光二极管(LED)有着体积小、坚固耐震、光学特性佳、省电、寿命长等优点，可参见 Daniel A. Steigerwald等人在文献IEEE Journal on Selected Topics in Quantum Electronics, Vol. 8， No. 2， March/April 2002中的Illumination With Solid State Lighting Technology—文。随着发光二极管发光效率的不断提升，发光二极管越来越多被 应用到照明、显示等领域。例如液晶显示器(LCD Display)中的背光源，慢慢采用发光二 极管来取代传统冷阴极射线管(CCFL)，照明产品也逐渐采用发光二极管取代效率低下的白炽 灯泡等。目前的白光发光二极管光源模组， 一般都采用蓝光发光二极管作为初始光源，其发出的 部分蓝光激发蓝光发光二极管透明封装体中弥散的荧光物质(也称为发光物质即 Luminescence Substance)产生的黄光与剩余蓝光混合产生白光。因此，当白光中蓝光所占 的比例大于黄光的比例时，该白光为偏蓝色的光，反之，则为偏黄色的光。目前很多产品中采用的白光发光二极管光源模组，其采用多个发光二极管成阵列排列构 成一个小面积的光源。由于单个发光二极管发出的光散射，随着光发散角度由0度到90度， 其发出的光强度逐渐递减，因此使得所述多个发光二极管成阵列排列构成一个小面积的光源 所发出的光的强度由出光区域中心向两边递减。所述出光区域为对应于所述多个发光二极管 阵列的区域。因此，当所述多个发光二极管构成的光源发出的光经过荧光物质的光程一致时，所述白 光发光二极管光源模组产生的混合颜色的光在不同区域产生颜色混和不均匀的现象，甚至会 出现出光区域中心和周边的颜色发生明显的偏差。另外，目前白光发光二极管光源模组一般都是将荧光粉掺杂于单色光的发光二极管的透 明封装体内，从制程上来说， 一般是在发光二极管的封装过程中掺杂入荧光粉，该制程繁琐 ，不利于量产。由鉴于此，提供一种能够解决上述问题的适宜于量产的白光发光二极管光源模组十分必
技术实现思路
本专利技术提供一种发光二极管光源模组，其具有一个电路板， 一个光转换(Luminescence Conversion)层，以及若干个发光二极管。所述若干个发光二极管若干个发光二极管，其组 成一个发光二极管阵列。每个发光二极管发出一初始颜色(Original Color)的光，所述光转换层与所述发光二极管阵列分离设置且与该发光二极管阵列光学耦合，所述光 转换层具有一透明基体和均匀分布于所述透明基体中的荧光物质，所述荧光物质将部分所述 初始颜色的光转换成至少一种与初始颜色不同的光，所述至少一种与初始颜色不同的光与剩 余的初始颜色的光混合使得所述发光二极管光源模组发出混合颜色的光(light of mixed colors)。所述所述光转换层对应于所述若干发光二极管阵列的区域的厚度由中心向其周边 递减，使得所述混合颜色的光在所述区域上颜色混合均匀。本专利技术还提供一种发光二极管光源模组，其包括一个基板、若干个发光二极管芯片、一 个透明封装体和一个光转换层，所述基板上形成有金属线路；所述若干个发光二极管芯片组 成一个发光二极管芯片阵列，所述发光二极管芯片阵列设置在所述电路板上，每个发光二极 管芯片用以发出具有一初始颜色的光；所述透明封装体封装所述若干发光二极管芯片；所述 光转换层与所述若干发光二极管芯片光学耦合且设置在所述透明封装体之上，所述光转换层 具有一透明基体和均匀分布于所述透明基体中的荧光物质，且所述光转换层的厚度由中心向 周边递减使得所述初始颜色的光经过所述光转换层而形成均匀混合颜色的光。本专利技术提供的发光二极管光源模组，其具有一含有荧光物质的光转换层，相比现有技术 ，所述光转换层可以单独根据需求进行制作，不需要与发光二极管半导体固体元件一起封装 制造，因此本专利技术的发光二极管光源模组适宜于量产。而且，考虑到所述若干个发光二极管 成阵列均匀设置在所述电路板上，使得其发出的光强度由中心向周边区域递减，因此，设计 所述光转换层厚度由中心向周边区域递减，使得所述发光二极管光源模组发出的混合颜色的 光均匀。出光区域的中心发出的光经过光转换层的光程长(Light path length)大于所述其 周边发出的光所经过的光转换层的光程，使得出光区域的中心发出的光激发的荧光物质多于 其周边发出的光所激发的荧光物质，因此使得中心区域发出的光经过光转换层后的混合光与 其周边发出的光经过光转换层后的混合光一致。附图说明图l是本专利技术第一实施例提供的一种发光二极管光源模组的示意图。 图2是本专利技术第二实施例提供的一种发光二极管光源模组的示意图。 图3是本专利技术第三实施例提供的一种发光二极管光源模组的示意图。5图4是本专利技术第四实施例提供的一种发光二极管光源模组的示意图。 图5是本专利技术第五实施例提供的一种发光二极管光源模组的示意图。 具体实施例方式下面将结合附图对本专利技术作进一步的详细说明。请参阅图l，为本专利技术第一实施例提供的一种发光二极管光源模组10的示意图。 所述发光二极管光源模组10具有一个印制电路板11， 一个光转换层12，以及若干个发光 二极管13。所述若干个发光二极管13分别发出一初始颜色的光，优选地，所述若干发光二极管13为 封装好的蓝光发光二极管，其发出的初始颜色的光为蓝光，所述若干个发光二极管13的发光 光谱的峰值对应的光波长在43(T470nm之间。所述若干个发光二极管13通过所述印制电路板 ll电连接与外部电源。优选地，所述印制电路板ll包括基板和设置在基板上的金属线路，所述基板选择不限， 可以为传统的FR4环氧树脂基板、金属芯印制板(MCPCB)、陶瓷基板或者硅基板等。所述FR4 为美国电子制造协会(NEMA)对含溴原子的环氧树脂基板的编号，其中FR表示该基板中含有不 易着火物质使得所述基板具有难燃性(Flame Retardant)或者抗燃性(Flame Resistant)。上 述基板为印制电路板领域常见的基板类型。所述印制电路板ll的基板上铺设金属线路，所述 若干发光二极管13电连接与所述金属线路以电连接至外部电源。所述印制电路板ll的制作方 法也为传统的印制电路板制作方法。优选地，所述发光二极管光源模组10还进一步具有一反射挡板14，所述反射挡板14成环 形设置在所述电路板ll周边，将所述若干发光二极管13围起。可以理解的是，所述反射挡板 14围成一底面14b为圆形的容置腔14a，将所述若干发光二极管13围在所述容置腔14a内。可 以理解的是，所述底面14b为所述印制电路板ll的一表面。所述若干发光二极管13成阵列均 匀设置在所述底面14b。可以理解的是，所述若干发光二极管13组成一个发光二极管阵列。所述反射挡板14的材质选择不限，可以为反光效果较好的金属、塑胶、陶瓷或者单晶硅 (Silicon)等。所述反射挡板14具有一反射壁141，所述反射壁141具有一定坡度，可以减小所述若干发 光二极管发出的光的发散角度。可以理解的是，所述反射挡板14顶部142围起本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种发光二极管光源模组，其包括：　一个电路板；　若干个发光二极管，其组成一个发光二极管阵列，所述发光二极管阵列设置在所述电路板上，每个发光二极管用以发出具有一初始颜色的光；以及　一个光转换层，其与所述发光二极管阵列分离设置 且与该发光二极管阵列光学耦合，所述光转换层具有一透明基体和均匀分布于所述透明基体中的荧光物质，且所述光转换层的厚度由中心向周边递减使得所述初始颜色的光经过所述光转换层而形成均匀混合颜色的光。

【技术特征摘要】
权利要求1一种发光二极管光源模组，其包括一个电路板；若干个发光二极管，其组成一个发光二极管阵列，所述发光二极管阵列设置在所述电路板上，每个发光二极管用以发出具有一初始颜色的光；以及一个光转换层，其与所述发光二极管阵列分离设置且与该发光二极管阵列光学耦合，所述光转换层具有一透明基体和均匀分布于所述透明基体中的荧光物质，且所述光转换层的厚度由中心向周边递减使得所述初始颜色的光经过所述光转换层而形成均匀混合颜色的光。2 如权利要求l所述的发光二极管光源模组，其特征在于，所述发 光二极管光源模组进一步包括一反射挡板，其环绕设置在所述电路板周边，该反射挡板、电 路板及光转换层围成一容置腔以容置所述若干发光二极管。3 如权利要求2所述的发光二极管光源模组，其特征在于，所述反 射挡板具有一连接该电路板及光转换层且位于所述容置腔内的反射内壁，所述反射内壁具有 一定坡度。4 如权利要求l所述的发光二极管光源模组，其特征在于，所述光 转换层具有一第一表面和与所述第一表面相对的一第二表面，该第一表面及第二表面正对该 发光二极管阵列，且所述第一表面为平面，第二表面为一相对于第一表面的凸面。5 如权利要求l所述的发光二极管光源模组，其特征在于，所述光 转换层具有一第一表面和与第一表面相对的一第二表面，该第一表面及第二表面正对该发光 二极管阵列，且所述第一表面和第二表面分别为朝向该光转换...

【专利技术属性】
技术研发人员：王君伟，徐弘光，
申请(专利权)人：富士迈半导体精密工业上海有限公司，沛鑫半导体工业股份有限公司，
类型：发明
国别省市：31[中国|上海]