一种氩弧焊引弧电路制造技术

本发明专利技术涉及一种引弧电路，尤其涉及并公开了一种氩弧焊引弧电路，包括高频升压变压器T1、高频耦合器T2，所述的高频升压变压器T1的次级与高频耦合器T2的初级之间连接有整流滤波电路与高压放电回路，所述的高压放电回路包括可控硅V2、可控硅触发电路，可控硅保护电路。本发明专利技术所述的一种氩弧焊引弧电路，由可控硅触发电路控制可控硅的通断代替原有的火花塞提供高频耦合器T2的初级电流通路，使高频耦合器T2的初级电压比较稳定，增强了起弧的一致性和稳定性，大大降低了对主电路的干扰。同时，也避免了火花塞方式的引弧效果一致性差，粉尘堆积导致不易起弧等问题。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种引弧电路，尤其涉及一种氩弧焊引弧电路。
技术介绍
氩弧焊技术是在普通电弧焊的原理的基础上，利用氩气对金属焊材的保护，通过高电流使焊材在被焊基材上融化成液态形成溶池，使被焊金属和焊材达到冶金结合的一种焊接技术，由于在高温熔融焊接中不断送上氩气，使焊材不能和空气中的氧气接触，从而防止了焊材的氧化，因此可以焊接铜、铝、合金钢等有色金属。TIG焊电源作为有色金属和不锈钢的主要焊接设备，有着焊接过程稳定、收弧控制容易的优点。而长期困扰TIG焊电源发展的瓶颈之一就是引弧问题。引弧性能的好坏直接影响到焊接过程能否顺利进行。TIG焊引弧方式一般分为接触式引弧和非接触式引弧两大类。传统的手工划弧的接触式引弧方式容易造成钨极的烧损、工件表面擦伤以及焊缝夹钨等现象，一般不宜采用。目前TIG焊中广泛应用的是非接触式引弧方式，非接触式引弧包括高压脉冲引弧和高频高压引弧。高压脉冲引弧可击穿的空气间隙较小，引弧效果差。高频引弧器主要有两种方式1)如附图1所示的传统的工频高频震荡器，是一个高频高压发生器，将它接入电源网络后，可使工频电变换成高频高压交流电，通过火花塞放电，串接在焊接回路中借以击穿钨极与工件之间的间隙而引燃焊接或切割电弧。2)如附图2所示的高频谐振引弧器，由可控的多谐振振荡器提供一定的占空比和频率，驱动功率器件，经升压比高的高频变压器二次侧输出高压，经过火花塞放电释放能量，实现高频引弧。高频震荡器引弧的缺点是电磁兼容性差，容易干扰控制系统。火花塞间隙大小直接影响引弧效果，引弧效果一致性差。容易击穿焊接电源和焊接回路中的其它电气元件，干扰无线电接收或其它电子仪器的正常工作，有害人体健康。容易受环境湿度影响，若粉尘堆积在火花塞上，将严重影响引弧效果，甚至不能引弧。一种电磁兼容性好，安全，可靠性高的引弧方式势在必行。
技术实现思路
针对现有技术的氩弧焊引弧电路容易击穿焊接电源和焊接回路中的其它电气元件，引弧效果容易受环境影响的缺陷，本专利技术提供一种不会击穿焊接电源和焊接回路中的其它电气元件，弓丨弧一致性和稳定性较好的氩弧焊引弧电路。为解决上述技术问题，本专利技术采取以下技术方案一种氩弧焊引弧电路，包括高频升压变压器Tl、高频耦合器T2，所述的高频升压变压器Tl的次级(T1-3端与T1-4端之间)与高频耦合器T2的初级(T2-1端与T2-2端之间)之间连接有整流滤波电路与高压放电回路，所述的高压放电回路包括可控硅V2、可控硅触发3电路，可控硅保护电路。由可控硅触发电路控制可控硅的通断代替原有的火花塞提供高频耦合器T2的初级电流通路，使高频耦合器T2的初级电压比较稳定，增强了起弧的一致性和稳定性，大大降低了对主电路的干扰。同时，也避免了火花塞方式的引弧效果一致性差，粉尘堆积导致不易起弧等问题。作为优选，所述的高频升压变压器Tl的初级(T1-1端与T1-2端之间)通过继电器回路与工频交流电连接。继电器回路根据使能信号断开和导通，为高频升压变压器Tl的初级提供电源。作为优选，所述的可控硅触发电路包括串联连接的第二电阻R2、第一双向二极管 VI、第三电阻R3、压敏电阻Rs，所述的可控硅V2的负极与触发极连接在第二电阻R2的两端，可控硅V2的正极与压敏电阻Rs的另一端相连接。当电压达到压敏电阻Rs的击穿电压时，压敏电阻Rs击穿，可控硅V2导通，高频耦合器T2得到稳定的初级电压，经高频耦合器 T2升压，可引燃电弧。作为优选，所述的可控硅保护电路包括串联连接的第四电容C4、第四电阻R4、第一电感Li，第四电容C4的另一端与可控硅V2的负极连接，第一电感Ll的另一端连接在第三电阻R3与压敏电阻Rs之间。可控硅保护电路可吸收可控硅V2尖峰，保护可控硅V2。 作为优选，所述的整流滤波电路包括由第一二极管D1、第二二极管D2、第三二极管D3、第四二极管D4组成的全波整流桥，所述的全波整流桥的输出端分别与可控硅V2的正、负极连接，所述的第三电容C3连接在高频升压变压器Tl的Tl-I端与T1-4端之间。整流滤波电路为高压放电回路提供需要的电压和电流。作为优选，所述的继电器回路包括三极管V3、第五电阻R5、第五二极管D5、继电器 K1、继电器电源CN1，第五电阻R5连接在三极管V3的基极和发射极之间，三极管V3的基极与接地端连接，三极管V3的发射极与使能信号端连接，第五二极管D5的正极与三极管V3 的集电极连接，第五二极管D5的负极与继电器电源CNl连接，继电器Kl连接在继电器电源 CNl的VCC端与三极管V3的集电极之间。使能信号通过三极管V3的截止和饱和，控制继电器Kl的开断，为高频升压变压器Tl提供电源。本专利技术所述的一种氩弧焊引弧电路，由可控硅触发电路控制可控硅的通断代替原有的火花塞提供高频耦合器T2的初级电流通路，使高频耦合器T2的初级电压比较稳定，增强了起弧的一致性和稳定性，大大降低了对主电路的干扰。同时，也避免了火花塞方式的引弧效果一致性差，粉尘堆积导致不易起弧等问题。附图说明图1为本专利技术所述一种氩弧焊引弧电路实施例的结构示意图。图2为图1的具体电路图。具体实施例下面结合附图1、附图2与具体实施方式对本专利技术作进一步详细描述一种氩弧焊引弧电路，如图1所示，包括高频升压变压器Tl、高频耦合器T2，高频升压变压器Tl的次级与高频耦合器T2的初级之间连接有整流滤波电路与高压放电回路，所述的高压放电回路包括可控硅V2、可控硅触发电路，可控硅保护电路。所述的高频升压变压器Tl的初级通过继电器回路与工频交流电连接。如附图2所示，所述的可控硅触发电路包括串联连接的第二电阻R2、第一双向二极管Vl、第三电阻R3、压敏电阻Rs，所述的可控硅V2的负极与触发极连接在第二电阻R2的两端，可控硅V2的正极与压敏电阻Rs的另一端相连接。所述的可控硅保护电路包括串联连接的第四电容C4、第四电阻R4、第一电感Li， 第四电容C4的另一端与可控硅V2的负极连接，第一电感Ll的另一端连接在第三电阻R3 与压敏电阻Rs之间。 所述的整流滤波电路包括由第一二极管D1、第二二极管D2、第三二极管D3、第四二极管D4组成的全波整流桥，所述的全波整流桥的输出端分别与可控硅 V2的正、负极连接，所述的第三电容C3连接在高频升压变压器Tl的Tl-I端与T1-4端之间。所述的继电器回路包括三极管V3、第五电阻R5、第五二极管D5、继电器K1、继电器电源CNl，第五电阻R5连接在三极管V3的基极和发射极之间，三极管V3的基极与接地端连接，三极管V3的发射极与使能信号端连接，三极管V3的集电极与第五二极管D5的正极连接，第五二极管D5的负极与继电器电源CNl连接，继电器Kl连接在继电器电源CNl的VCC 端与三极管V3的集电极之间。三极管V3用作开关管，控制继电器线圈得失电。CN1-2脚的使能信号高电平时，三极管V3饱和，继电器Kl得电；反之，CN1-2脚的使能信号低电平时， 三极管V3未达到饱和状态，继电器Kl不得电。第五电阻R5用作三极管V3的基极保护电阻，防止三极管V3误动作。继电器Kl得电，常开触点闭合，高频升压变压器Tl得到工频交流电，如果常开触点断开则相反。第五二极管D5在继电器关断时，起续流作用，保护继电器 K1。第一电容Cl为滤波电容，接插件CNl 1脚为VC本文档来自技高网...

【技术保护点】
１．一种氩弧焊引弧电路，包括高频升压变压器Ｔ１、高频耦合器Ｔ２，其特征在于：所述的高频升压变压器Ｔ１的次级与高频耦合器Ｔ２的初级之间连接有整流滤波电路与高压放电回路，所述的高压放电回路包括可控硅Ｖ２、可控硅触发电路，可控硅保护电路。

【技术特征摘要】
1.一种氩弧焊引弧电路，包括高频升压变压器Tl、高频耦合器T2，其特征在于所述的高频升压变压器Tl的次级与高频耦合器T2的初级之间连接有整流滤波电路与高压放电回路，所述的高压放电回路包括可控硅V2、可控硅触发电路，可控硅保护电路。2.如权利要求1所述的一种氩弧焊引弧电路，其特征在于所述的高频升压变压器Tl 的初级通过继电器回路与工频交流电连接。3.如权利要求2所述的一种氩弧焊引弧电路，其特征在于所述的可控硅触发电路包括串联连接的第二电阻R2、第一双向二极管VI、第三电阻R3、压敏电阻Rs，所述的可控硅V2 的负极与触发极连接在第二电阻R2的两端，可控硅V2的正极与压敏电阻Rs的另一端相连接。4.如权利要求3所述的一种氩弧焊引弧电路，其特征在于所述的可控硅保护电路包括串联连接的第四电容C4、第四电阻R4、第一电感Li，第四电容C4的另一端与可控硅V2的负极...

【专利技术属性】
技术研发人员：张宇，应杰，王新军，张引，
申请(专利权)人：杭州恒湖科技有限公司，
类型：发明
国别省市：86