光学邻近修正方法技术

一种光学邻近修正方法，包括：提供待曝光图形；对所述待曝光图形进行校验，确定弱点；确定修正区，所述修正区包括所述弱点；对所述修正区内的待曝光图形进行光学邻近修正。本发明专利技术缩短了光学邻近修正过程的时间，提高了生产效率，降低了生产成本。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体制造工艺，特别涉及一种。
技术介绍
掩膜版(reticle)是集成电路制造的光刻工艺中的一个必须的装置。掩膜版主要包括透明的玻璃基片，以及覆盖在玻璃基片上的由非透明材料(一般为铬)构成的待曝光图形。在光刻时，掩膜版被放置在辐射光源和聚焦镜头之间，辐射光源发出的光线穿过掩膜版、通过透镜后照射在表面旋涂有光刻胶的晶圆上，使得晶圆表面上的光刻胶层被选择性曝光，从而将掩膜版上的图形映射至所述光刻胶层上。当辐射光源发出的光线穿过掩膜版时，受到待曝光图形(如铬图形)边缘的影响而发生折射和散射，随着器件特征尺寸(⑶，Critical Dimension)的不断减小，使得照射至光刻胶层上的图形发生明显的变形和失真，即光学邻近效应(OPE，Optical Proximity Effect)。为了克服光学邻近效应，业界采用了诸多分辨率增强技术(RET，Resolution Enhancement Technology),包括光学邻近修正(0PC, Optical Proximity Correction)、相移掩膜版(PSM, PhaseShifting Mask)和偏轴照明(0ΑΙ，Off Axis Illumination)等。光学邻近修正是目前解决光学邻近效应的最常用的方法，其主要是对预期发生变形和失真的曝光图形进行微小的修正，如在预期发生失真的图形部分中使用锤头形状的延伸线等。关于光学邻近修正的更多说明，请参考申请号为200810040372. 1的中国专利申请。现有技术还公开了一种，主要包括对掩膜版上的待曝光图形进行全局仿真校验，设定曝光强度、焦距等曝光条件使用基于模型的(model-based)或基于准则的(rule-based)的方法得到模拟曝光图形，此步骤一般是使用校验软件如专业的 OPC仿真软件来进行的；将所述模拟曝光图形与目标曝光图形(即预期得到的曝光图形) 进行对比，若某处的差异大于一个预设的临界值，则该处为弱点(weak point)；对所述待曝光图形中的弱点进行光学邻近修正，得到修正的曝光图形；对所述修正的曝光图形再次进行全局仿真，找出弱点并进行光学邻近修正；继续进行全局仿真和光学邻近修正，直至修正的曝光图形中无弱点为止。由于半导体技术的发展，单个半导体芯片上集成的器件越来越多，达到数千万甚至上亿，相应的光刻过程中的掩膜版上的曝光图形也越来越复杂。由于现有技术是对整个待曝光图形进行全局的校验和修正，使得整个光学邻近修正过程的循环时间较长，生产效率较低，生产成本较高。
技术实现思路
本专利技术解决的问题是提供一种，减少光学邻近修正所花费的时间。为解决上述问题，本专利技术提供了一种，包括提供待曝光图形；对所述待曝光图形进行校验，确定弱点；确定修正区，所述修正区包括所述弱点；对所述修正区内的待曝光图形进行光学邻近修正。可选的，所述修正区的形状为矩形或多边形。可选的，所述修正区的总面积不超过所述待曝光图形的总面积的10%。可选的，每一修正区中包括至少一个单独的弱点。可选的，所述对所述修正区内的待曝光图形进行光学邻近修正包括对所述修正区内的待曝光图形进行至少一次光学邻近修正过程。可选的，所述对所述修正区内的待曝光图形进行光学邻近修正包括根据所述修正区内的待曝光图形的形状在所述修正区内加入辅助图形，所述辅助图形的尺寸小于曝光过程的分辨率。可选的，所述确定弱点包括对所述待曝光图形进行仿真确定模拟曝光图形；将所述模拟曝光图形与目标曝光图形进行校验，若某处的差异大于临界值，则该处为弱点。与现有技术相比，上述技术方案具有以下优点本技术方案的首先确定易于发生失真的弱点，之后仅对包括所述弱点的修正区内的待曝光图形进行光学邻近修正，缩短了整个光学邻近修正过程所花费的时间，提高了生产效率，降低了生产成本。附图说明图1是本专利技术实施例的的流程示意图；图2是本专利技术的一个实施例的待曝光图形的示意图；图3是本专利技术的一个实施例的确定修正区之后的待曝光图形的示意图；图4是本专利技术的一个实施例的待曝光图形经过光学邻近修正后的示意图；图5是本专利技术的另一实施例的待曝光图形经过光学邻近修正后的示意图。具体实施例方式为使本专利技术的上述目的、特征和优点能够更为明显易懂，下面结合附图对本专利技术的具体实施方式做详细的说明。在以下描述中阐述了具体细节以便于充分理解本专利技术。但是本专利技术能够以多种不同于在此描述的其它方式来实施，本领域技术人员可以在不违背本专利技术内涵的情况下做类似推广。因此本专利技术不受下面公开的具体实施的限制。现有技术的是对整个待曝光图形进行全局的多次迭代的校验和修正，由于待曝光图形的复杂度越来越高，每次校验和修正过程的花费的时间较长，使得整个光学邻近修正过程的费时较长，导致生产成本较高。本专利技术提供的光学邻近方法首先确定弱点(即容易发生变形和失真的待曝光图形的部分)，之后根据所述弱点确定修正区，其中所述修正区包括所述弱点，然后仅对所述修正区内的待曝光图形进行修正。与现有技术对整个待曝光图形进行全局的校验和修正不同，本专利技术的技术方案仅对修正区内的待曝光图形进行修正，为“选择性”的修正过程，因而能够缩短光学邻近修正过程花费的时间，提高生产效率，降低生产成本。图1为本专利技术实施例的的流程示意图。如图1所示，包括执行步骤S101，提供待曝光图形；执行步骤S102，对所述待曝光图形进行校验，确定弱点；执行步骤S103，确定修正区，所述修正区包括所述弱点；执行步骤S104，对所述修正区内的待曝光图形进行光学邻近修正。下面结合图2至图5对本专利技术实施例的进行详细说明。参考图1和图2，执行步骤S101，提供待曝光图形。本实施例中的待曝光图形如图2 所示，其具体是形成于掩膜版上的，如对掩膜版基板上的铬材料图案化后形成待曝光图形。 图2中阴影部分区域为有源区(AA，active area)，非阴影部分区域为隔离区，其中有源区用于形成掺杂的区域，如MOS晶体管的源区、漏区等。继续参考图1和图2，执行步骤S102，对所述待曝光图形进行校验，确定弱点。本实施例中该步骤主要包括通过基于模型的或基于准则的OPC仿真软件对图2中的待曝光图形进行全局的仿真，得到模拟曝光图形，所述模拟曝光图形是在特定曝光条件(如光刻光源的光强、波长、曝光焦距等)下对所述待曝光图形进行仿真后得到的预计的曝光结果的图形；之后将所述模拟曝光图形与目标曝光图形进行对比校验，若某处的差异大于临界值， 则该处为弱点，所述目标曝光图形指的是为了满足功能及生产需求而期望的曝光结果的图形。本实施例的待曝光图形经过仿真和对比校验后，确定的弱点包括弱点101、弱点102、弱点103、弱点104和弱点105。本实施例中所述临界值是预先设定的，可以根据要形成的器件的特征尺寸来确定，一般为特征尺寸的3 %至10 %，如特征尺寸的5 %、7 %或10 %。需要说明的是，本实施例是通过OPC仿真软件来确定所述弱点的，在本专利技术的其他实施例中，还可以根据经验手动的确定易于发生形变和失真的区域(即弱点)，如相隔距离较近的(其相隔距离接近于设计器件的特征尺寸的)曝光图形部分，或是“L形”拐角区域的曝光图形部分。参考图1和图3，执行步骤S103，确定修正区，所述修正区包括所述弱点。所述修正区的数量小于或等于所述弱点的数量，即单个本文档来自技高网...

【技术保护点】
１．一种光学邻近修正方法，其特征在于，包括：提供待曝光图形；对所述待曝光图形进行校验，确定弱点；确定修正区，所述修正区包括所述弱点；对所述修正区内的待曝光图形进行光学邻近修正。

【技术特征摘要】
1.一种光学邻近修正方法，其特征在于，包括提供待曝光图形；对所述待曝光图形进行校验，确定弱点；确定修正区，所述修正区包括所述弱点；对所述修正区内的待曝光图形进行光学邻近修正。2.根据权利要求1所述的光学邻近修正方法，其特征在于，所述修正区的形状为矩形或多边形。3.根据权利要求1所述的光学邻近修正方法，其特征在于，所述修正区的总面积不超过所述待曝光图形的总面积的10%。4.根据权利要求1所述的光学邻近修正方法，其特征在于，每一修正区中包括至少一个单独的弱点。5.根据权利要求1所述的光学邻近修正方法，其特征在...

【专利技术属性】
技术研发人员：洪齐元，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造上海有限公司，
类型：发明
国别省市：31