非电缆级通用低衰减绝缘料及其生产方法技术

本发明专利技术公开了一种非电缆级通用低衰减绝缘料及其生产方法，其中，非电缆级低衰减绝缘料按重量百分比计包括有如下成分：聚乙烯树脂99.2％、屏蔽剂0.5％、成核剂0.3％。非电缆级通用低衰减绝缘料的生产方法包括有如下步骤：(1)、将选用的高、低密度聚乙烯的按4∶1比例配比，经高速混合搅拌5分钟；(2)、将搅拌好的高、低密度聚乙烯混合成的聚乙烯树脂，按聚乙烯树脂99.2％、屏蔽剂0.5％、成核剂0.3％，经高速混合搅拌5分钟；(3)、冷却后灌装，需要防潮贮藏；本发明专利技术的原材料容易获得，价格便宜，得到的绝缘料性能稳定，可以替代专用料，从而大大降低生产成本，有良好的推广价值。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及电缆
，尤其是涉及。
技术介绍
目前国内外所有生产同轴电缆的厂家如要生产低衰减的同轴电缆都必须使用电缆级专用的聚乙烯绝缘料，以保证其性能结构正常。但是，这种电缆级专用的聚乙烯绝缘料的价格较高，如何在确保性能的前提下，降低绝缘料的生产成本是同轴电缆生产厂家所一直关注的问题。
技术实现思路
本专利技术的目的在于针对现有技术存在理论的不足之处认为要达到低衰减非用介电常数小介质损耗角正切小的树脂而提供一种， 利用发泡原理可以降低介电常数和介质损耗角正切并把带有极性物质屏蔽起来使该绝缘料可替代专用料，大大降低生产成本。为实现上述目的，本专利技术的非电缆级通用低衰减绝缘料，按重量百分比计包括有如下成分聚乙烯树脂99.2%、屏蔽剂0.5%、成核剂0.3%，其中，所述的聚乙烯树脂由高、 低密度聚乙烯混配而成，高密度聚乙烯融熔指数为10-20，低密度融熔指数为1.5-2. 5，高密度聚乙烯与低密度聚乙烯的重量比例为4 1。作为上述技术方案的优选，所述的屏蔽剂为具有高分散性高绝缘性粉状物质，颗粒直径小于0. 003毫米。本专利技术的非电缆级通用低衰减绝缘料的生产方法，包括有如下步骤(1)、将选用的高、低密度聚乙烯按4 1比例配比，经高速混合搅拌5分钟，高密度融熔指数为10-20，低密度融熔指数为1. 5-2. 5 ；O)、将搅拌好的高、低密度聚乙烯混合成的聚乙烯树脂，按聚乙烯树脂99.5%、屏蔽剂0. 5%、成核剂0. 3%的重量配比经高速混合搅拌5分钟；(3)、冷却后灌装，需要防潮贮藏。本专利技术的有益效果在于其原材料容易获得，价格便宜，得到的绝缘料性能稳定， 可以替代专用料，从而大大降低生产成本，有良好的推广价值。具体实施例方式以下所述仅为本专利技术的较佳实施例，并不因此而限定本专利技术的保护范围。本专利技术的1.非电缆级通用低衰减绝缘料，按重量百分比计包括有如下成分聚乙烯树脂99.2%、屏蔽剂0.5%、成核剂0.3%，其中，所述的聚乙烯树脂由高、低密度聚乙烯混配而成，高密度聚乙烯融熔指数(MI)为10-20，低密度融熔指数(MI)为1. 5-2. 5，高密度聚乙烯与低密度聚乙烯的重量比例为4 1。屏蔽剂为具有高分散性粉末物质，颗粒直径小于0. 003毫米，添加后能把绝缘材料中极性物质包覆屏蔽起来，对波长为厘米、毫米的电磁波，具有很较好的绝缘屏蔽隔离性。非电缆级通用低衰减绝缘料的生产方法，包括有如下步骤(1)、将选用的高、低密度聚乙烯按4 1比例配比，经高速混合搅拌5分钟，高密度融熔指数为10-20，低密度融熔指数为1. 5-2. 5 ；O)、将搅拌好的高、低密度聚乙烯混合成的聚乙烯树脂，按聚乙烯树脂99.2%、屏蔽剂0. 5%、成核剂0. 3%的重量配比经高速混合搅拌5分钟；(3)、冷却后灌装，需要防潮贮藏。本文档来自技高网...

【技术保护点】
１．非电缆级通用低衰减绝缘料，按重量百分比计包括有如下成分：聚乙烯树脂９９．２％、屏蔽剂０．５％、成核剂０．３％，其中，所述的聚乙烯树脂由高、低密度聚乙烯混配而成，高密度聚乙烯融熔指数为１０－２０，低密度融熔指数为１．５－２．５，高密度聚乙烯与低密度聚乙烯的重量比例为４∶１。

【技术特征摘要】
1.非电缆级通用低衰减绝缘料，按重量百分比计包括有如下成分聚乙烯树脂 99. 2%、屏蔽剂0. 5%、成核剂0. 3%，其中，所述的聚乙烯树脂由高、低密度聚乙烯混配而成，高密度聚乙烯融熔指数为10-20，低密度融熔指数为1.5-2. 5，高密度聚乙烯与低密度聚乙烯的重量比例为4 1。2.根据权利要求1所述的非电缆级通用低衰减绝缘料，其特征在于所述的屏蔽剂为具有高分散性高绝缘性粉状物质，颗粒直径小于0....

【专利技术属性】
技术研发人员：宋临泽，
申请(专利权)人：浙江盛洋科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：33