【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及LED表面粗化工艺。
技术介绍
当光从高折射率的LED窗口层材料GaN入射到低折射率的空气中,会产生全反射现象,从而损失大量的出射光。而且由于器件的P电极是不透明的金属电极,会将射向电极的光反射回LED内部。而反射回内部的光被重新热吸收掉又会引起器件温度上升导致内量子效率降低等等问题。如果改变常规LED的表面形貌,让交界面由光滑变得粗糙,将会大大增加出射光在界面处折射时入射角度的随机性。从统计概率上来说,能使得更多的光子出射到空气中,避免全反射。为了提高光提取效率,采用表面粗化法可以抑制全反射提高光提取效率。目前在 GaN材料及其器件工艺中,还是以Ar+刻蚀、ICP刻蚀等干法刻蚀的手段为主,但是,以离子轰击和反应为主的干法刻蚀所引入的刻蚀损伤对器件的光学性能和接触特性有很大的影响,尤其是对薄层结构而言,这种影响更可能是致命的。
技术实现思路
本专利技术所要解决的技术问题就是提供一种湿法化学腐蚀LED表面粗化工艺,有效降低刻蚀损伤对器件的光学性能和接触特性的影响。为解决上述技术问题,本专利技术采用如下技术方案一种湿法化学腐蚀LED表面粗化工艺,其特征在于首先在LED出光层GaN的表面覆盖上光刻胶,然后在光刻胶膜掩膜的保护下用化学湿法腐蚀,其中化学湿法腐蚀的腐蚀液为王水和去离子水的混合液。优选的,所述腐蚀液中王水和去离子水的体积比为(3 5) 1。优选的,所述化学湿法腐蚀时水浴温度为30°C -40°C。优选的,所述化学湿法腐蚀时水浴时间为3-5分钟。进一步的,所述腐蚀液中王水和去离子水的体积比为4 1,化学湿法腐蚀时水浴温度为35°C,水浴 ...
【技术保护点】
1.一种湿法化学腐蚀LED表面粗化工艺,其特征在于:首先在LED出光层GaN的表面覆盖上光刻胶,然后在光刻胶膜掩膜的保护下用化学湿法腐蚀,其中化学湿法腐蚀的腐蚀液为王水和去离子水的混合液。
【技术特征摘要】
1.一种湿法化学腐蚀LED表面粗化工艺,其特征在于首先在LED出光层GaN的表面覆盖上光刻胶,然后在光刻胶膜掩膜的保护下用化学湿法腐蚀,其中化学湿法腐蚀的腐蚀液为王水和去离子水的混合液。2.根据权利要求1所述的湿法化学腐蚀LED表面粗化工艺,其特征在于所述腐蚀液中王水和去离子水的体积比为(3 5) 1。3.根据权利要求2所述的湿法化学腐蚀LE...
【专利技术属性】
技术研发人员:张志强,
申请(专利权)人:浙江长兴立信光电科技有限公司,
类型:发明
国别省市:33
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