本发明专利技术公开了一种铂电阻芯片及制备方法。该铂电阻芯片包括在陶瓷基片3上沉积铂丝电阻体，铂丝电阻体上切割成长方锯齿形电阻细丝，电阻体设引线焊接点，引线焊接点一端与电阻细丝连接，另一端与镀铂镍线引线连接。方法包括：按质量比称取纯金属铂粉与氢氟酸混合，搅拌制成纯金属铂浆料；采用激光喷溅工艺将纯金属铂浆料喷射到陶瓷基片上；用激光切割铂金层成细丝；用激光调整细丝的阻值，细丝两端焊接镀铂镍线作为引线，与基片呈一体化独石结构，即成ptl000铂电阻芯片。结构简单，成本低，生产效率高，电阻值分散性小，测温范围：-50℃～450℃；耐高温性：可长期工作在300℃，广泛用于制造各种不同规格及不同金属材质的电阻芯片。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及芯片及制备方法，具体涉及一种钼电阻芯片及钼电阻芯片的制备方法。
技术介绍
PtlOOO钼电阻芯片是热量表配对钼电阻温度传感器的核心元件。目前国内尚不能生产，大部分生产配对钼电阻温度传感器的厂家均需向日本或德国进口，以致国家每年要花大量的外汇，而且进口价格也居高不下，传统钼电阻芯片生产工艺是将高纯度金属钼细丝用手工缠绕的方式绕在云母或石英玻璃骨架上，然后用电阻焊将细丝与引线焊接牢固， 外面再封装玻璃或石英套管，传统技术存在生产效率低，成本高，礼(芯片o°c时的电阻值) 分散性大，不适宜大规模生产的缺陷。
技术实现思路
本专利技术的目的是提供一种结构简单，成本低，生产效率高，0°C时的电阻值分散性小，适合批量大规模生产的一种钼电阻芯片。本专利技术的另一目的是提供一种钼电阻芯片的制备方法。为了克服传统技术的不足，本专利技术的技术方案是这样解决的一种钼电阻芯片包括在陶瓷基片3上沉积有钼丝电阻体2，所述在钼丝电阻体2上切割成长方锯齿形电阻细丝 1，所述电阻体2设有引线焊接点4，引线焊接点4 一端与电阻细丝1连接，另一端与镀钼镍线引线连接，所述陶瓷基片3的长为3. 2士0. 1mm，宽为2. 1 士0. 1mm，厚为1.0士0. 1mm，镀钼镍线引线长度为10士 1mm，引线直径Φ0. 2士0.02mm。一种钼电阻芯片的制备方法，按下述步骤进行1 )、按质量比称取50% 55%纯金属钼粉与45% 50%氢氟酸，经充分搅拌制成纯金属钼浆料；2)、采用激光喷溅工艺将纯金属钼浆料喷溅到陶瓷基片上，形成1.5mm 2mm厚的纯钼金薄膜层；3)、用激光切割工艺将陶瓷基片上钼金层切割成线条宽度为0.08mm 0.13 mm细丝；其细丝间隔距离为0. 08mm 0. 13 mm ；4)、采用激光切割工艺调整细丝的阻值，通过激光切割控制细丝的疏密度以修正电阻 R0,电阻Rtl值为1000欧姆士0. 06欧姆，电阻值采用电桥测量法进行测量；5)、将修正Rtl电阻值后的陶瓷基片细丝的两端焊接镀钼镍线作为引线，在温度 iioo°c i5oo°c的烧结炉中同时被烧结在基片上，薄膜表面覆盖以烧结的陶瓷，即制备成 PtlOOO钼电阻芯片。本专利技术与传统技术本质的区别在于是将纯金属钼浆料用激光喷溅方法将金属钼喷溅到陶瓷基片上，用激光切割工艺将陶瓷基片上钼金层切割成线条作为电阻丝，电阻丝两端焊接镀钼镍线作为引线，并进行烧结，制成PtlOOO钼电阻芯片。而传统钼电阻温度传感器的生产工艺是将高纯度金属钼细丝用手工缠绕的方式绕在云母或石英玻璃骨架上，然后用电阻焊将细丝与引线焊接牢固，外面再封装玻璃或石英套管而成。显然本专利技术具有结构简单、成本低廉、生产效率高，0°c时的电阻值Rtl分散性小，长期稳定性好，防振动和防冲击性良好，适合批量大规模生产等优点，广可泛用于制造各种不同规格及各种不同金属材质的电阻芯片。本专利技术的技术参数为1、产品性能符合IEC751-1995和JIS1604标准；2、测温范围-50°C 450°C；3、公称压力0.6mpa ；4、外形尺寸3，2mmX2.ImmX 1. Omm (长 X 宽 X 高)；5、精度与等级A 级允许误差(单位°C) 士( 0. 15+0. 002t)； B 级允许误差(单位°C) 士( 0. 30+0. 005t)； 其中t是被测温度值(单位°C)6、R0电阻值一致性好、偏差小，95%以上都能达到A级士0.06 W的精度； 精度等级A 级1000士0. 06WB 级1000士0.12W7、耐高温性可长期工作在30(TC，且性能稳定；8、具有良好的防振动和防冲击性抗振动等级> 40g加速度(10 2000HZ)；9、具有良好的绝缘性绝缘电阻20°C时 >100 M ； 500°C时 >2 M ；10、长期稳定性<0.1°C (250 小时 / IOO0C)； 1 1、电阻温度 / 系数RlOO / R0=L 3851;其中Rtl为钼电阻芯片0°C时阻值，RlOO为钼电阻芯片100°C时阻值。 附图说明图1为本专利技术陶瓷基片细丝放大结构示意图。 具体实施例方式附图为本专利技术的实施例。下面结合附图和实施例对
技术实现思路
作进一步说明 实施例1参照图1所示，一种钼电阻芯片在陶瓷基片3上沉积有钼丝电阻体2，所述在钼丝电阻体2上切割成长方锯齿形电阻细丝1，所述电阻体2设有引线焊接点4，引线焊接点4 一端与电阻细丝1连接，另一端与镀钼镍线引线连接，所述陶瓷基片3的长为3. 2士0. 1mm，宽为 2. 1 士0. 1mm，厚为1. 0士0. 1mm，镀钼镍线引线长度为10士 1_，引线直径Φ0. 2士0. 02mm。一种钼电阻芯片的制备方法，按下述步骤进行1 )、按质量比称取50% 55%纯金属钼粉与45% 50%氢氟酸，经充分搅拌制成纯金属钼浆料；2)、采用激光喷溅工艺将纯金属钼浆料喷溅到陶瓷基片上，以形成1.5mm 2mm厚的纯钼金薄膜层；3)、用激光切割工艺将陶瓷基片上钼金层切割成线条宽度为0.08mm 0.13 mm细丝；其细丝间隔距离为0. 08mm 0. 13 mm ；4)、采用激光切割工艺调整细丝的阻值，通过激光切割控制细丝的疏密度以修正电阻R0，电阻Rtl值为1000欧姆士0. 06欧姆，电阻值采用电桥测量法进行测量；5)、将修正Rtl电阻值后的陶瓷基片细丝的两端焊接镀钼镍线作为引线，在温度 iioo°c i5oo°c的烧结炉中同时被烧结在基片上，薄膜表面覆盖以烧结的陶瓷，即制备成 PtlOOO钼电阻芯片。实施例2一种钼电阻芯片的制备方法，按下述步骤进行1 )、按质量比称取52% 54%纯金属钼粉与46% 48%氢氟酸，经充分搅拌制成纯金属钼浆料；2)、采用激光喷溅工艺将纯金属钼浆料喷溅到陶瓷基片上，形成1.5mm 2mm厚的纯钼金薄膜层；3)、用激光切割工艺将陶瓷基片上钼金层切割成线条宽度为0.09mm 0.12 mm细丝；其细丝间隔距离为0. 09mm 0. 12 mm ；4)、采用激光切割工艺调整细丝的阻值，通过激光切割控制细丝的疏密度以修正电阻R。，电阻Rtl值为1000欧姆士0. 06欧姆，电阻值采用电桥测量法进行测量；5)、将修正Rtl电阻值后的陶瓷基片细丝的两端焊接镀钼镍线作为引线，在温度 1150°C 1300°C的烧结炉中同时被烧结在基片上，薄膜表面覆盖以烧结的陶瓷，即制备成 PtlOOO钼电阻芯片。实施例3一种钼电阻芯片的制备方法，按下述步骤进行1)、按质量比称取53%纯金属钼粉与47%氢氟酸，经充分搅拌制成纯金属钼浆料；2)、采用激光喷溅工艺将纯金属钼浆料喷溅到陶瓷基片上，形成2mm厚的纯钼金薄膜层；3)、用激光切割工艺将陶瓷基片上钼金层切割成线条宽度为0. Imm细丝；其细丝间隔距离为0. Imm ；4)、采用激光切割工艺调整细丝的阻值，通过激光切割控制细丝的疏密度以修正电阻 R。，电阻Rq值为1000欧姆士0. 06欧姆，电阻值采用电桥测量法进行测量；5)、将修正Rtl电阻值后的陶瓷基片细丝的两端焊接镀钼镍线作为引线，在温度1200°C 的烧结炉中同时被烧结在基片上，薄膜表面覆盖以烧结的陶瓷，即制备成PtlOOO钼电阻芯片。实施例4一种钼电阻芯片的制备方法，本文档来自技高网...
【技术保护点】
１．一种铂电阻芯片，其特征在于该铂电阻芯片包括在陶瓷基片３上沉积有铂丝电阻体２，所述在铂丝电阻体２上切割成长方锯齿形电阻细丝１，所述电阻体２设有引线焊接点４，引线焊接点４一端与电阻细丝１连接，另一端与镀铂镍线引线连接，所述陶瓷基片３的长为３．２±０．１ｍｍ，宽为２．１±０．１ｍｍ，厚为１．０±０．１ｍｍ，镀铂镍线引线长度为１０±１ｍｍ，引线直径φ０．２±０．０２ｍｍ。
【技术特征摘要】
1.一种钼电阻芯片，其特征在于该钼电阻芯片包括在陶瓷基片3上沉积有钼丝电阻体 2，所述在钼丝电阻体2上切割成长方锯齿形电阻细丝1，所述电阻体2设有引线焊接点4， 引线焊接点4 一端与电阻细丝1连接，另一端与镀钼镍线引线连接，所述陶瓷基片3的长为 3. 2士0. 1mm，宽为2. 1 士0. 1mm，厚为1.0士0. 1mm，镀钼镍线引线长度为10士 1mm，引线直径 Φ0. 2 士 0. 02mm。2.—种权利要求1所述的钼电阻芯片的制备方法，其特征在按下述步骤进行·1 )、按质量比称取50% 55%纯金属钼粉与45% 50%氢氟酸，经充分搅拌制成纯金属钼浆料；·2)、采用激光喷溅工艺将纯金属钼浆料喷溅到陶瓷基片上，形成1.5mm 2mm厚的纯钼金薄膜层；·3)、用激光切割工艺将陶瓷基片上钼金层切割成线条宽度为0.08mm 0.13 mm细丝；其细丝间隔距离为0. 08mm 0. 13 mm的相应结构；·4)、采用激光切割工艺调整细丝的阻值，通过激光切割控制细丝的疏密度以修正电阻R。，电阻Rq值为1000欧姆士0. 06欧姆，电阻值采用电桥测量...
【专利技术属性】
技术研发人员：吴新潮，段利庆，
申请(专利权)人：西安天衡计量仪表有限公司，
类型：发明
国别省市：87
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