晶圆存放槽制造技术

本实用新型专利技术的晶圆存放槽包括第一槽和第二槽；所述第一槽设有第一喷射器，向所述第一槽输送液体；所述第二槽设有第二喷射器，向所述第二槽输送液体，第一槽和第二槽内的液体不断更新，处于最佳状态，避免了槽内的液体腐蚀晶圆。（*该技术在2021年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及半导体制造技术，尤其涉及一种晶圆存放槽。
技术介绍
多层金属技术在半导体器件制造中的应用使晶圆表面变得不平整，不平整的晶圆表面形貌是不理想的，它导致了一些其他的问题，例如，受光学光刻中步进透镜焦距深度的限制，无法在不平整的晶圆表面进行图形制作。因此，业界引入化学机械平坦化(chemical mechanical polish，CMP)技术来平坦化晶圆表面。化学机械平坦化通过晶圆与抛光垫之间的相对运动来平坦化晶圆表面，在晶圆和抛光垫之间有磨料，并同时施加压力。晶圆表面研磨后会残留一些物质，因此，进入下一工艺流程前需要清洗晶圆，以去除掉晶圆表面的残留物。一般的，化学机械平坦化设备包括研磨装置和清洗装置，研磨装置用于平坦化晶圆表面，清洗装置用于清洗研磨后的晶圆，当研磨装置的工作效率比清洗装置的工作效率快，或者清洗装置出现故障时，研磨好的晶圆不能立即送到清洗装置中去清洗，此时，将这些等待清洗的晶圆暂时存放在晶圆存放槽中。图1所示为现有技术的晶圆存放槽11，该晶圆存放槽11内盛装有去离子水(DIW)12，晶舟13设置在所述晶圆存放槽11内，等待清洗的晶圆14放置在所述载晶舟13内。存放在所述晶圆存放槽11内的晶圆14都是研磨后的晶圆，其表面有残留物，这些残留物会污染所述晶圆存放槽11内的去离子水12，例如，残留物中的金属离子将会影响所述晶圆存放槽11内去离子水12的pH值，受污染的去离子水反过来又腐蚀、损伤所述晶圆14，影响所述晶圆14的质量。实验表明，所述晶圆存放槽11内去离子水12的pH值等于7时，所述晶圆14处于最佳的液体环境中；所述晶圆存放槽11内去离子水12的pH值偏离7时，所述晶圆14就会受到腐蚀。目前，为了节约成本，所述晶圆存放槽11内的去离子水12通常是研磨好、清洗好一批(25片)晶圆之后才会更换，而随着时间的推移，去离子水12受污染的程度越来越严重，因此，在同一批晶圆中，后完成研磨的晶圆会受到很严重的腐蚀，其质量无法满足后续工艺的要求，导致产率降低。
技术实现思路
本技术的目的在于提供一种晶圆存放槽，该晶圆存放槽内的液体不断更新，处于最佳状态，避免被污染的液体腐蚀晶圆。为了达到上述的目的，本技术提供一种晶圆存放槽，包括第一槽和第二槽；所述第一槽设有第一喷射器，向所述第一槽输送液体；所述第二槽设有第二喷射器，向所述第二槽输送液体。上述晶圆存放槽，其中，所述第一槽包括第一内槽和第一外槽，所述第一内槽设置在所述第一外槽内，所述第一喷射器设置于所述第一内槽的底部；所述第二槽包括第二内-->槽和第二外槽，所述第二内槽设置在所述第二外槽内，所述第二喷射器设置于所述第二内槽的底部。上述晶圆存放槽，其中，所述第一外槽的底部设有第一排液口，所述第二外槽的底部设有第二排液口。上述晶圆存放槽，其中，所述第一喷射器包括多个第一去离子水喷嘴、与所述多个第一去离子水喷嘴均相连的第一去离子水输送管、以及设置在所述第一去离子水输送管上的第一阀门。上述晶圆存放槽，其中，所述第一喷射器还包括多个第一化学抑制剂喷嘴、与所述多个第一化学抑制剂喷嘴均相连的第一化学抑制剂输送管、以及设置在所述第一化学抑制剂输送管上的第一液体阀门。上述晶圆存放槽，其中，所述第二喷射器包括多个第二去离子水喷嘴、与所述多个第二去离子水喷嘴均相连的第二去离子水输送管、以及设置在所述第二去离子水输送管上的第二阀门。上述晶圆存放槽，其中，所述第二喷射器还包括多个第二化学抑制剂喷嘴、与所述多个第二化学抑制剂喷嘴均相连的第二化学抑制剂输送管、以及设置在所述第二化学抑制剂输送管上的第二液体阀门。上述晶圆存放槽，其中，所述第一内槽的容积小于所述第二内槽的容积；所述第一外槽的容积小于所述第二外槽的容积。本技术的晶圆存放槽设有第一槽和第二槽，研磨后的晶圆放入第一槽一段时间后再放入第二槽，两个槽内均设有喷射器，使用喷射器向槽内不断输送液体，使两个槽内的液体均处于不断更新的状态，可有效防止槽内的液体被污染，使槽内保持着最佳的液体环境，从而避免槽内的液体腐蚀晶圆。附图说明本技术的晶圆存放槽由以下的实施例及附图给出。图1是现有技术的晶圆存放槽的结构示意图。图2是本技术的晶圆存放槽的结构示意图。图3是本技术中喷射器的结构示意图。具体实施方式以下将结合图2～3对本技术的晶圆存放槽作进一步的详细描述。本技术晶圆存放槽包括第一槽和第二槽；所述第一槽设有第一喷射器，向所述第一槽输送液体；所述第二槽设有第二喷射器，向所述第二槽输送液体。待清洗的晶圆先放置于所述第一槽内进行快速清洗，冲洗掉晶圆表面的部分残留物，再放置于所述第二槽内进行柔和清洗，所述第一槽的喷射器喷射出液体，当所述液体盛满所述第一槽，便从所述第一槽溢出，使所述第一槽内的液体处于不断更新的状态，同理，所述第二槽内的液体也处于不断更新的状态，不断更新槽内的液体可有效防止液体被污染，使槽内保持着最佳的液体环境，从而避免槽内的液体腐蚀晶圆。-->现以一具体实施例详细说明本技术晶圆存放槽：参见图2，本实施例的晶圆存放槽包括第一槽21和第二槽22；所述第一槽包括第一内槽212和第一外槽211；所述第一内槽212设置在所述第一外槽211内；所述第一内槽212的底部设有第一喷射器215，该第一喷射器215用于向所述第一内槽212内喷射液体；所述第一外槽211的底部设有第一排液口214；所述第一内槽212内设有晶舟213，所述晶舟213用于放置待清洗的晶圆30；所述第一内槽212的第一喷射器215的喷射流量较大，对放置于所述第一内槽212内的晶圆30进行快速清洗，冲洗掉所述晶圆30表面的部分残留物；所述第二槽22包括第二内槽222和第二外槽221；所述第二内槽222设置在所述第二外槽221内；所述第二内槽222的底部设有第二喷射器225，该第二喷射器225用于向所述第二内槽222内喷射液体；所述第二外槽221的底部设有第二排液口224；所述第二内槽222内设有晶舟223，所述晶舟223用于放置待清洗的晶圆30；所述晶圆30在送入清洗装置清洗之前，主要存放在所述第二内槽222内，所述第二内槽222的第二喷射器225的喷射流量较小，对放置于所述第二内槽222内的晶圆30进行柔和清洗，有利于安全存放所述晶圆30；所述第一内槽212底部的第一喷射器215喷射出去离子水和化学抑制剂，当去离子水和化学抑制剂盛满所述第一内槽212便从所述第一内槽212溢出，流入所述第一外槽211，并通过所述第一外槽211底部的第一排液口214排出，使所述第一内槽212内的液体处于不断更新的状态，可有效防止液体被污染，从而避免液体腐蚀晶圆；同理，所述第二内槽222内的液体也处于不断更新的状态，可有效防止液体被污染，从而避免液体腐蚀晶圆。参见图3，所述第一喷射器215包括多个去离子水喷嘴216、多个化学抑制剂喷嘴217、一去离子水输送管218和一化学抑制剂输送管219；所述多个去离子水喷嘴216均与所述去离子水输送管218相连，该去离子水输送管218上设有阀门(图3中未示)，所述阀门用于控制去离子水的流量，所述去离子水输送管218向所述第一内槽212输送去离子水，所述去离子水输送管218输送的去离子水通过所述多个去离子本文档来自技高网...

【技术保护点】
１．一种晶圆存放槽，其特征在于，包括第一槽和第二槽；所述第一槽设有第一喷射器，向所述第一槽输送液体；所述第二槽设有第二喷射器，向所述第二槽输送液体。

【技术特征摘要】
1.一种晶圆存放槽，其特征在于，包括第一槽和第二槽；所述第一槽设有第一喷射器，向所述第一槽输送液体；所述第二槽设有第二喷射器，向所述第二槽输送液体。2.如权利要求1所述的晶圆存放槽，其特征在于，所述第一槽包括第一内槽和第一外槽，所述第一内槽设置在所述第一外槽内，所述第一喷射器设置于所述第一内槽的底部；所述第二槽包括第二内槽和第二外槽，所述第二内槽设置在所述第二外槽内，所述第二喷射器设置于所述第二内槽的底部。3.如权利要求2述的晶圆存放槽，其特征在于，所述第一外槽的底部设有第一排液口，所述第二外槽的底部设有第二排液口。4.如权利要求1或2所述的晶圆存放槽，其特征在于，所述第一喷射器包括多个第一去离子水喷嘴、与所述多个第一去离子水喷嘴均相连的第一去离子水输送管、以及设置在所述第一去离子水输送管上的第一阀门。5....

【专利技术属性】
技术研发人员：许金海，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造上海有限公司，
类型：实用新型
国别省市：31