液晶显示装置制造方法及图纸

本发明专利技术高制造效率地提供一种显示不均匀少、且视野角特性及透过率优异的能够进行高品质显示的液晶显示装置。本发明专利技术的液晶显示装置包括：具有像素电极和取向膜的第一基板；具有共用电极的第二基板；配置于所述第一基板与所述第二基板之间的液晶层，所述像素电极包括在绝缘层上相互电分离的多个子像素电极，所述子像素电极具有向所述绝缘层侧凹陷的凹部，所述子像素电极和漏极线在所述凹部连接，在所述像素电极的上部整体，实质上平坦地形成有共用电极。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及液晶显示装置及液晶显示装置的制造方法。
技术介绍
目前，液晶显示装置(LCD)作为便携式电话、电视机、计算机等显示装置被广泛应用。在目前普及的水平取向型液晶显示装置中，有采用了具有正的介电常数各向异性的向列型液晶材料的TN(TwistedNematic：扭曲向列)模式的液晶显示装置、STN(Super Twisted Nematic：超扭曲向列)模式的液晶显示装置。近年来，为提高视野角特性及显示对比度，开发了VAN(VerticalAligned Nematic：垂直取向型向列)模式的垂直取向型液晶显示装置，并且正在普及。图5是表示专利文献1记载的垂直取向型液晶显示装置的像素部分的结构的图。该现有液晶显示装置为在TFT基板和相对基板之间，封入了具有负的介电常数各向异性的液晶分子100的透过型的液晶显示装置。TFT基板具备基板110、透明电极111、氮化硅等的绝缘层112、像素电极114、垂直取向膜115等，相对基板具备玻璃基板101、ITO等的共用电极102、垂直取向膜103等。透明电极111经由形成于绝缘层112中的通孔113与像素电极114连接，在像素电极114的周边配置有屏蔽电极116。在未向共用电极102和像素电极114之间施加电压的情况下，液晶分子100由于垂直取向膜103及115相对于基板大致垂直取向。在向共用电极102和像素电极114之间施加電压时，产生从像素电极114的周边部向中央上部倾斜的电场，如图所示，液晶分子100沿该电场，以向像素的中央倾倒的方式取向。图6表示像素电极114的形状的一个例子。如图所示，像素电极114具有朝向电极内侧设置的切口。在本说明书中，将像素电极114中的通过该切口分开的部分即制成大致四边形的3个部分称为子像素电极120。另外，在本说明书中，将切口进入的部分即具有比子像素电极120窄的宽度的部分称为桥部121。这样，像素电极114具有3个子像素电极120经由两个桥部121相互连接的结构，但是，这些子像素电极120和桥部121是作为一块像素电极，用相同部件在同一层上同时形成的。另外，专利文献2中记载有具有用于取向控制的倾斜面的像素电极配置于每个像素的液晶显示装置。在该液晶显示装置的共用电极中，在各像素电极的上部形成有狭缝。在专利文献1的液晶显示装置中，在像素电极114的子像素电极120和桥部121的边界附近，存在发生液晶取向紊乱的问题。图7是表示由像素电极114产生的液晶取向紊乱的图。为提高液晶显示装置的视野角特性，优选使子像素电极120上部的液晶从子像素电极120的周边朝向中央上部并与边垂直地一样地取向。但是，如图7所示，在专利文献1的液晶显示装置中，会产生在子像素电极120和桥部121的边界附近(图中，用虚线包围的部分)，存在向不同的方向取向的液晶分子125，-->液晶的取向不能一致的所谓的取向紊乱的问题。另外，由于在像素电极114的制造过程中产生的桥部121的宽度不均匀，在桥部附近的液晶也会产生取向紊乱及偏差，还存在发生显示不均匀之类的问题。另一方面，在专利文献2的液晶显示装置中，在配置于每个像素的像素电极上形成有用于取向控制的倾斜面。但是，在该液晶显示装置中，像素电极覆盖像素的整个区域，因此，仅靠倾斜面的作用，取向控制力弱，不能充分进行取向控制，因此，在专利文献2中记载有需要在倾斜面上的共用电极上设置狭缝(开口部)或突起。即，在专利文献2的液晶显示装置中，在共用电极上形成狭缝或突起是不可缺少的。但是，在具有这种狭缝或突起的液晶显示装置中，存在额外需要用于在共用电极上设置狭缝或突起的工序，制造效率降低的问题。另外，在共用电极上涂敷聚酰亚胺等的取向膜时，在其涂敷前后实施清洗工序，但是，存在狭缝或突起时，有在清洗过程中在狭缝或突起上附着取向膜材料等污物，由于该污物导致发生液晶分子的取向紊乱的问题。引起取向紊乱时，发生黑显示时的漏光，引起显示不均匀及对比度降低之类的问题。专利文献1：(日本)特开2001-264784号公报专利文献2：(日本)特开2004-205902号公报
技术实现思路
本专利技术鉴于上述问题而开发，其目的在于高制造效率地提供一种显示不均匀少、视野角特性及透过率优异、可高品质显示的液晶显示装置。本专利技术的液晶显示装置，其具有多个像素，并且包括：第一基板，其具有绝缘层、在上述多个像素的每一个上形成在上述绝缘层上的像素电极、和形成在上述像素电极上且在无电压施加时用于使液晶分子垂直取向的取向膜；具有共用电极的第二基板；和配置于上述第一基板与上述第二基板之间的液晶层，上述像素电极包括在上述绝缘层上相互电分离的多个子像素电极，上述多个子像素电极各自具有向上述绝缘层侧凹陷的凹部，上述第一基板具有在上述绝缘层之下形成且与上述多个子像素电极的各个在上述凹部电连接的连接部，在上述像素电极的上部整体，实质上平坦地形成有上述共用电极。在某实施方式中，在上述像素电极的上部整体，上述液晶层与上述第二基板的边界面实质上平坦地形成。在某实施方式中，上述第二基板具备形成于上述共用电极的上述液晶层侧的面的、在无电压施加时用于使液晶分子垂直取向的第二取向膜，上述多个子像素电极各自的上部整体的上述第二取向膜实质上平坦地形成。在某实施方式中，具备在上述多个像素的每一个所形成的TFT，上述多个像素电极与上述TFT的漏极电极通过上述连接部电连接。在某实施方式中，上述凹部在上述多个子像素电极各自的中央部形成。在某实施方式中，从与上述第一基板的面垂直的方向观察时，上述凹部具有大致圆形的形状。在某实施方式中，从与上述第一基板的面垂直的方向观察时，上述凹部的直径为5μm以上、25μm以下。在某实施方式中，上述凹部的深度为1μm以上、5μm以下。-->根据本专利技术，像素电极由在基板上相互电分离的多个子像素电极构成，因此，不需要在基板上形成连接子像素电极彼此的桥部。因而，能够防止起因于桥部的存在的液晶分子的取向紊乱，视野角特性遍及全方位均等，并且能够进行响应速度快的显示。另外，利用子像素电极各自的凹部进行液晶分子的取向限制，因此，能够进一步进行视野角特性高、响应快速的显示。另外，在相对基板的共用电极及取向膜都不形成凹陷、狭缝、突起等，相对基板和液晶层的边界面平坦，因此，不会发生起因于相对基板上的凹凸的取向紊乱，在像素内光也不会被不必要地遮挡。因此，能够进行亮度高且显示不均匀少的显示。另外，不需要用于形成凹陷、狭缝、突起等的工序，能够提高装置的制造效率。另外，取向限制单元不在相对基板侧而形成于TFT基板侧，因此，在TFT基板侧能够容易地决定液晶分子的取向中心的位置及其边界，另外，也不会发生由于贴合TFT基板和相对基板时的位置偏移而导致的取向中心的偏移。由此，可进行更正确的取向限制，防止显示不均匀的发生及视野角特性的降低。另外，液晶取向根据子像素电极的形状被限制，因此，在装置制造时不需要进行用于确定液晶的取向方位的摩擦处理，因此，能够提高装置的制造效率。另外，子像素电极和连接部在作为取向限制单元发挥功能的凹部连接，因此，不必要另外形成用于向子像素电极供给电压的接触孔。由此，液晶显示装置的制造效率进一步提高。这样，根据本专利技术，能够高制造效率地提供视野角特性及对比度优异、显示不均匀少的、可高本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种液晶显示装置，其具有多个像素，其特征在于，包括：第一基板，其具有绝缘层、在所述多个像素的每一个上形成在所述绝缘层上的像素电极、和形成在所述像素电极上且在无电压施加时用于使液晶分子垂直取向的取向膜；具有共用电极的第二基板；和配置于所述第一基板与所述第二基板之间的液晶层，所述像素电极包括在所述绝缘层上相互电分离的多个子像素电极，所述多个子像素电极各自具有向所述绝缘层侧凹陷的凹部，所述第一基板具有在所述绝缘层之下形成且与所述多个子像素电极的各个在所述凹部电连接的连接部，在所述像素电极的上部整体，实质上平坦地形成有所述共用电极。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2007.07.20 JP 189897/20071.一种液晶显示装置，其具有多个像素，其特征在于，包括：第一基板，其具有绝缘层、在所述多个像素的每一个上形成在所述绝缘层上的像素电极、和形成在所述像素电极上且在无电压施加时用于使液晶分子垂直取向的取向膜；具有共用电极的第二基板；和配置于所述第一基板与所述第二基板之间的液晶层，所述像素电极包括在所述绝缘层上相互电分离的多个子像素电极，所述多个子像素电极各自具有向所述绝缘层侧凹陷的凹部，所述第一基板具有在所述绝缘层之下形成且与所述多个子像素电极的各个在所述凹部电连接的连接部，在所述像素电极的上部整体，实质上平坦地形成有所述共用电极。2.如权利要求1所述的液晶显示装置，其特征在于：在所述像素电极的上部整体，所述液晶层与所述第二基板的边界面实质上平坦地形成。3.如权利要求1或2所述的液晶显示装置，其特...

【专利技术属性】
技术研发人员：望月雄贵，秋友雅温，千叶大，
申请(专利权)人：夏普株式会社，
类型：发明
国别省市：JP