异形陶瓷的烧制方法技术

本发明专利技术公开了一种异形陶瓷的烧制方法，依次包括如下步骤：采用透气性托座提供异形陶瓷胎体；对上述胎体在700～1000℃下进行第一次烧成，去除胎体中的水气和有机物杂质，增加胎体表面强度；提供与异形陶瓷胎体相匹配的陶瓷托座，所述陶瓷托座表面喷涂有氧化铝粉层；对上述胎体在1200～1350℃下进行第二次烧成；对上述胎体表面上釉后，在950～1050℃下采用吊烧或顶烧方式进行第三次烧成。本发明专利技术提供的异形陶瓷的烧制方法，在烧制过程中通过增加透气性托座和陶瓷托座，能够有效防止异形陶瓷烧制时变形损坏。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种陶瓷制造方法，尤其涉及一种异形陶瓷的烧制方法。
技术介绍
陶瓷根据不同类型、不同性能要求，以及产品的不同形状、大小和厚薄等，制造方法也有所不同，但大体经过下列工艺过程：1. 胚体预烧；2、调彩釉或透明釉上色；3、胚体表面打磨；4、烧结成型等步骤，请参见申请号为201010280934.7，专利技术名称为“在陶瓷胎体上制作景泰蓝图案的方法” 的专利文献。对一般的陶瓷胚体，早烧制过程中不易变形，但是对异形陶瓷，如人物或动物造型的陶瓷胚体，为了防止异形陶瓷损坏，一般在烧制过程中采用耐火石支撑异形陶瓷胎体的关键部位,如人或动物的手脚，但是操作不当仍然容易变形，甚至脱落。
技术实现思路
本专利技术所要解决的技术问题是提供一种异形陶瓷的烧制方法，能够防止异形陶瓷在烧制时变形损坏。本专利技术为解决上述技术问题而采用的技术方案是提供一种异形陶瓷的烧制方法，依次包括如下步骤：采用透气性托座提供异形陶瓷胎体；对上述胎体在700～1000℃下进行第一次烧成，去除胎体中的水气和有机物杂质，增加胎体表面强度；提供与异形陶瓷胎体相匹配的陶瓷托座，所述陶瓷托座表面喷涂有氧化铝粉层；对上述胎体在1200～1350℃下进行第二次烧成；对上述胎体表面上釉后，在950～1050℃下采用吊烧或顶烧方式进行第三次烧成。上述的异形陶瓷的烧制方法，其中，所述氧化铝粉层厚度在0.3mm以内，氧化铝粉大小在150目数以内。上述的异形陶瓷的烧制方法，其中，所述透气性托座为海绵托座。本专利技术对比现有技术有如下的有益效果：本专利技术提供的异形陶瓷的烧制方法，在烧制过程中通过增加透气性托座和陶瓷托座，能够有效防止异形陶瓷烧制时变形损坏。附图说明图1为本专利技术异形陶瓷的烧制方法工艺流程图。具体实施方式下面结合附图和实施例对本专利技术作进一步的描述。图1为本专利技术异形陶瓷的烧制方法工艺流程图。-->请参见图1，本专利技术提供的异形陶瓷的烧制方法依次包括如下步骤：步骤S1：采用透气性托座提供异形陶瓷胎体，如海绵托座托住陶瓷胎体防止移动导致陶瓷胎体变形，进入步骤S2；步骤S2：对上述胎体在700～1000℃下进行第一次烧成，去除胎体中的水气和有机物杂质，增加胎体表面强度，进入步骤S3；步骤S3：提供与异形陶瓷胎体相匹配的陶瓷托座，所述陶瓷托座表面喷涂有氧化铝粉层以防止和陶瓷胎体粘连，所述氧化铝粉层厚度最好在0.3mm以内，氧化铝粉大小最好在150目数以内，进入步骤S4；步骤S4：对上述胎体在1200～1350℃下进行第二次烧成，进入步骤S5；步骤S5：对上述胎体表面上釉后，在950～1050℃下采用吊烧或顶烧方式进行第三次烧成。虽然本专利技术已以较佳实施例揭示如上，然其并非用以限定本专利技术，任何本领域技术人员，在不脱离本专利技术的精神和范围内，当可作些许的修改和完善，因此本专利技术的保护范围当以权利要求书所界定的为准。-->本文档来自技高网...

【技术保护点】
１．一种异形陶瓷的烧制方法，其特征在于，所述方法依次包括如下步骤：采用透气性托座提供异形陶瓷胎体；对上述胎体在７００～１０００℃下进行第一次烧成，去除胎体中的水气和有机物杂质，增加胎体表面强度；提供与异形陶瓷胎体相匹配的陶瓷托座，所述陶瓷托座表面喷涂有氧化铝粉层；对上述胎体在１２００～１３５０℃下进行第二次烧成；对上述胎体表面上釉后，在９５０～１０５０℃下采用吊烧或顶烧方式进行第三次烧成。

【技术特征摘要】
1.一种异形陶瓷的烧制方法，其特征在于，所述方法依次包括如下步骤：采用透气性托座提供异形陶瓷胎体；对上述胎体在700～1000℃下进行第一次烧成，去除胎体中的水气和有机物杂质，增加胎体表面强度；提供与异形陶瓷胎体相匹配的陶瓷托座，所述陶瓷托座表面喷涂有氧化铝粉层；对上述胎体在1200～1350℃下...

【专利技术属性】
技术研发人员：蔡世山，
申请(专利权)人：上海高诚艺术包装有限公司，
类型：发明
国别省市：31