芯片钠离子沾污失效分析实现方法技术

本发明专利技术涉及一种芯片钠离子沾污失效分析实现方法，包括次级离子质谱仪，其特征在于，按如下步骤进行：a.Decap机将成品芯片的封装去掉，露出芯片表面；b.用次级离子质谱仪做出芯片表面的离子图谱；c.用次级离子质谱仪做出芯片表面的钠离子分布图；d.结合离子图谱和钠离子分布图对钠离的沾污层度进行分析。本发明专利技术利用次级离子质谱仪检测分析芯片钠离子沾污情况，可有效了解芯片具体情况，防止由于钠离子沾污造成芯片时效的事故发生。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种，属于芯片检测分析领域。
技术介绍
芯片为一种脉宽调制器芯片，在整机装配调试过程中脉宽调制器出现失效。失效现象为启动和关断电压发生变化，表现了参数漂移的特征，整机满载输出时输出电压偏低。 整机使用过程中有相同的失效现象，而且失效现象特征比较一致。通过现象分析可初步推断出失效的原因为芯片生产过程中某个批次发生了钠离子沾污了芯片表面事故，导致批次性的芯片的参数发生漂移。这样对于钠离子的检测就至关重要了。因此，针对上述问题是本专利技术的研究目的。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种，有利于对芯片沾污程度进行分析，了解芯片失效。本专利技术的特征在于一种，包括次级离子质谱仪，其特征在于，按如下步骤进行a.Decap机将成品芯片的封装去掉，露出芯片表面；b.用次级离子质谱仪做出芯片表面的离子图谱；c.用次级离子质谱仪做出芯片表面的钠离子分布d.结合离子图谱和钠离子分布图对钠离的沾污层度进行分析。本专利技术的优点本专利技术利用次级离子质谱仪检测分析芯片钠离子沾污情况，可有效了解芯片具体情况，防止由于钠离子沾污造成芯片时效的事故发生。附图说明图1为本专利技术次级离子质谱仪的结构框图。图2本专利技术实施例结构示意图。具体实施例方式参考图1和图2，一种，包括次级离子质谱仪， 按如下步骤进行a.Decap机将成品芯片的封装去掉，露出芯片表面；b.用次级离子质谱仪做出芯片表面的离子图谱；c.用次级离子质谱仪做出芯片表面的钠离子分布d.结合离子图谱和钠离子分布图对钠离的沾污层度进行分析。上述次级离子质谱仪将离子束的能量值设为10KV，离子束选择铯离子束，设置的深度分辨率为lnm，横向分辨率为lOOOnm，灵敏度>10_4，分析时间为5min。3具体实施过程如下用Decap机将成品芯片的封装去掉，露出芯片表面，然后用次级离子质谱仪做出芯片表面的离子图谱，用次级离子质谱仪做出芯片表面的钠离子分布图，对钠离的沾污层度进行分析。失效样品的分析可以肯定，样品芯片无过电烧毁。S IM S分析结果证明该样品芯片有钠离子沾污，并且芯片表面存在钠离子聚集现象，样品失效是由于样品表面或钝化层存在钠离子沾污引起的。以上所述仅为本专利技术的较佳实施例，凡依本专利技术申请专利范围所做的均等变化与修饰，皆应属本专利技术的涵盖范围。本文档来自技高网...

【技术保护点】
１．一种芯片钠离子沾污失效分析实现方法，包括次级离子质谱仪，其特征在于，按如下步骤进行：ａ．　Ｄｅｃａｐ机将成品芯片的封装去掉，露出芯片表面；ｂ．　用次级离子质谱仪做出芯片表面的离子图谱；ｃ．　用次级离子质谱仪做出芯片表面的钠离子分布图；ｄ．结合离子图谱和钠离子分布图对钠离的沾污层度进行分析。

【技术特征摘要】
1.一种芯片钠离子沾污失效分析实现方法，包括次级离子质谱仪，其特征在于，按如下步骤进行a.Decap机将成品芯片的封装去掉，露出芯片表面；b.用次级离子质谱仪做出芯片表面的离子图谱；c.用次级离子质谱仪做出芯片表面的钠离子分布图；d.结合离子图谱和钠离子分布...

【专利技术属性】
技术研发人员：林康生，陈品霞，
申请(专利权)人：博嘉圣福州微电子科技有限公司，
类型：发明
国别省市：35