用于天馈浪涌保护器的射频传输结构电容制造技术

技术编号:6439571 阅读:221 留言:0更新日期:2012-04-11 18:40
本实用新型专利技术涉及防雷技术。本实用新型专利技术解决了现有在天馈浪涌保护器上使用的通用陶瓷结构电容加工成本较高、加工难度大、工作电压受电容影响大、容易碎裂的问题,提供了一种基于天馈浪涌保护器的射频传输结构电容,其技术方案为:基于天馈浪涌保护器的射频传输结构电容,包括两个引出电极,其特征在于,还包括两个铜箔及电容基材,所述两个铜箔正对且其之间具有间隙,电容基材设置在间隙中,所述电容基材由环氧玻钎板和聚四氟乙烯基材制成,所述两个铜箔分别与一个引出电极连接。本实用新型专利技术的有益效果是,不会发生碎裂,耐高温,射频传输功率大,损耗低,适用于天馈浪涌保护器。(*该技术在2020年保护过期,可自由使用*)

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及防雷技术,特别涉及天馈浪涌保护器的技术。
技术介绍
现在的天馈浪涌保护器一般包括射频结构电容C1、输入端、输出端、电容二C2、电容三C3、气放管V1、瞬态二极管TVS1、压敏电阻YM1、电感一L1、电感二L2、电感三L3、电感四L4及地线,所述射频结构电容C1一端与输入端连接,另一端与输出端连接,输入端与地线连接,电容二C2的一端与输入端连接,另一端与电感一L1、电感三L3及气放管V1的一端连接,电感一L1的另一端与输入端连接,气放管V1的另一端与地线连接,电感三L3的另一端与电感四L4及压敏电阻YM1的一端连接,压敏电阻YM1的另一端与地线连接,电感四L4的另一端与电感二L2、电容三C3及瞬态二极管TVS1的一端连接,电感二L2的另一端与输出端连接,电容三C3的另一端与输出端连接,瞬态二极管TVS1的另一端与地线连接,输出端与地线连接,其电路结构图如图1,其所采用的射频结构电容C1为通用陶瓷结构电容,该电容采用高频陶瓷固有的介电常数形成电容,加工成本较高,加工难度大,工作电压受电容影响大、容易碎裂,其包括陶瓷电容主体及低损耗引出电极。
技术实现思路
本技术的目的是克服目前在天馈浪涌保护器上使用的通用陶瓷结构电容加工成本较高、加工难度大、工作电压受电容影响大、容易碎裂的缺点,提供一种用于天馈浪涌保护器的射频传输结构电容。本技术解决其技术问题,采用的技术方案是,用于天馈浪涌保护器的射频传输结构电容,包括两个引出电极,其特征在于,还包括两个导电极板及电容基材,所述两个导电极板设置在电容基材两侧,所述电容基材为环氧玻纤板或聚四氟乙烯板,所述两个导电极板与两个引出电极一一对应,并分别与对应的引出电极连接。具体的,所述电容基材的面积大于导电极板的面积,所述电容基材突出导电极板边缘。进一步的,所述导电极板为铜箔。具体的,所述导电极板为设置在电容基材两侧的导电薄膜。再进一步的,所述导电薄膜为镀层或涂覆层。具体的,所述引出电极为导线,所述两个引出电极与两个导电极板一一对应,并分别焊接在与其相对应的导电极板上。再进一步的,所述一个引出电极及与其相对应的导电极板为一个铜箔弯折形成。具体的,所述电容基材的厚度为0.3至3毫米。本技术的有益效果是,通过上述用于天馈浪涌保护器的射频传输结构电容,由于其采用两个铜箔之间夹杂的绝缘基材固有的介电常数形成电容,电容值的大小由电容基材的厚度和平方面积决定,成本较低,方便加工,工作电压高达2KV以上,极间耐压不受-->电容值的影响、不会发生碎裂,耐高温,射频传输功率大,损耗低。附图说明图1为天馈浪涌保护器的电路结构图;图2为本实施例的结构主视图;图3为本实施例的结构俯视图;图4为本实施例的结构左视图;其中,1为引出电极,2为导电极板,3为电容基材。具体实施方式下面结合附图及实施例,详细描述本技术的技术方案。本技术的用于天馈浪涌保护器的射频传输结构电容由设置在电容基材3两侧的两个导电极板2,电容基材3为环氧玻纤板或聚四氟乙烯板,两个导电极板2与两个引出电极1一一对应,并分别与对应的引出电极1连接组成,其利用两个导电极板2之间夹杂的绝缘基材固有的介电常数形成电容。实施例本例的两个引出电极及导电极板以一个引出电极及与其相对应的导电极板为一个铜箔弯折形成为例,其主视图如图2,俯视图如图3,左视图如图4。首先由设置在电容基材3两侧的两个导电极板2,电容基材3为环氧玻纤板或聚四氟乙烯板,两个导电极板2与两个引出电极1一一对应,并分别与对应的引出电极1连接组成用于天馈浪涌保护器的射频传输结构电容,其中,电容基材3的厚度为0.3至3毫米,再利用腐蚀使电容基材3的面积大于导电极板2的面积,所述电容基材3突出导电极板2边缘,这样可以保证该电容的耐压足够高,利用两个导电极板2之间夹杂的电容基材2固有的介电常数形成电容,电容值的大小由电容基材2的厚度和平方面积决定,面积应取决于产品的实际空间,但应尽可能小一些,在电容基材2厚度之外的其他条件相同时,电容基材2的厚度越大其耐压值越大、电容值越小,其厚度一般取0.3至3毫米,如取0.3毫米厚度时的电容值为3毫米厚度时耐压值的十分之一,电容值的十倍,该射频传输结构电容成本较低,方便加工,工作电压高达2KV以上,极间耐压不受电容值的影响、不会发生碎裂,耐高温,射频传输功率大,损耗低。-->本文档来自技高网...

【技术保护点】
用于天馈浪涌保护器的射频传输结构电容,包括两个引出电极,其特征在于,还包括两个导电极板及电容基材,所述两个导电极板设置在电容基材两侧,所述电容基材为环氧玻纤板或聚四氟乙烯板,所述两个导电极板与两个引出电极一一对应,并分别与对应的引出电极连接。

【技术特征摘要】
1.用于天馈浪涌保护器的射频传输结构电容,包括两个引出电极,其特征在于,还包括两个导电极板及电容基材,所述两个导电极板设置在电容基材两侧,所述电容基材为环氧玻纤板或聚四氟乙烯板,所述两个导电极板与两个引出电极一一对应,并分别与对应的引出电极连接。2.根据权利要求1所述用于天馈浪涌保护器的射频传输结构电容,其特征在于,所述电容基材的面积大于导电极板的面积,所述电容基材突出导电极板边缘。3.根据权利要求1所述用于天馈浪涌保护器的射频传输结构电容,其特征在于,所述导电极板为铜箔。4.根据权利要求1所述用于天馈浪涌保护器的射频传输结构电容,其特征在于,所述导电极板...

【专利技术属性】
技术研发人员:汤日新谭昌武
申请(专利权)人:成都兴业雷安电子有限公司
类型:实用新型
国别省市:90[中国|成都]

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