Ｓ波段高带外抑制低噪声放大器制造技术

本实用新型专利技术涉及一种Ｓ波段高带外抑制低噪声放大器，其滤波器ＵＤ８８与场效应管ＣＦＳ０３０３的栅极Ｇ相连，且之间设有一段高阻抗微带线接地；电阻Ｒ１与电容Ｃ１、Ｃ２并联后一端接地，另一端与场效应管的源极相连；电阻Ｒ２与电容Ｃ３并联后一端接地，另一端与场效应管的源极相连；场效应管的漏极与单片放大器ＨＭＣ２８６的脚１相连，且在场效应管与单片放大器ＨＭＣ２８６之间设有电容Ｃ４；在电容Ｃ４与单片放大器ＨＭＣ２８６之间设有一段高阻抗开路线；电容Ｃ５一端连在电容Ｃ４与场效应管之间，另一端接地；单片放大器ＨＭＣ２８６的脚２、脚５、脚６接地，脚３连有＋３Ｖ电源，脚４与滤波器ＣＱ２４９２相连。（*该技术在2020年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及一种放大器，尤其涉及一种S波段高带外抑制低噪声放大器，属 于微波

技术介绍
美国全球定位系统GPS是一个全球性、高精度的导航定位和时间传递系统。俄罗 斯GL0NASS全球导航卫星系统未达到GPS的导航精度。其应用普及情况则远不及GPS。此 外还有欧洲和日本都有导航卫星系统计划。2000年10月31日和12月21日中国相继成功 发射第一颗和第二颗导航定位试验卫星。报道称中国将自行建立第一代卫星导航定位系统 即北斗导航系统。北斗导航系统在国际电信联盟登记的频段为卫星无线电定位业务频段， 上行为L频段(频率1610 1626. 5MHz)，下行为S频段(频率2483. 5 2500MHz)；系统 要求收发通道总隔离度>＝ 90dB，系统设计师要求低噪声放大器在上行频率处的增益抑制大 于100dB。如果仅仅采用滤波器达到高带外抑制，不仅增加成本，也会增加模块体积。
技术实现思路
所要解决的技术问题针对以上不足本技术提供了一种可使受SA干扰的GPS民用码接收机的定位 精度由百米量级修正至数米级，尤其适合于同时需要导航与移动数据通信的场所，且成本 低、性能好、体积小的S波段高带外抑制低噪声放大器。技术方案一种S波段高带外抑制低噪声放大器，包括滤波器UD88，低噪声管子CFS0303，放 大器 HMC286，滤波器 CQ2492,电阻 R1、R2，电容 Cl、C2、C3、C4、C5 ；滤波器UD88与场效应管CFS0303的栅极G相连，且在滤波器UD88输出端与 CFS0303之间设有一段高阻抗微带线接地；电阻Rl与电容Cl、C2并联后一端接地，另一端 与场效应管CFS0303的源极相连；电阻R2与电容C3并联后一端接地，另一端与场效应管 CFS0303的源极相连；场效应管CFS0303的漏极与单片放大器HMC286的脚1相连，且在场效 应管CFS0303与单片放大器HMC286之间设有电容C4 ；在电容C4与单片放大器HMC286之间 设有一段高阻抗开路线；电容C5 —端连在电容C4与场效应管CFS0303之间，另一端接地； 单片放大器HMC286的脚2、脚5、脚6接地，脚3连有+3V电源，脚4与滤波器CQ2492相连。电阻R1、R2为源极偏置电阻，阻值为75欧姆，电容C1、C2、C3为偏置滤波电容，容 值分别为 47Pf、0. 5Pf、47pF。有益效果本技术的低噪声放大器能够在工作频带2486. 75 2496. 75MHz内实现30dB 的增益和小于1. IdB的噪声系数，带外1615MHz增益抑制达到105dB以上。工作电流30mA。 该模块具有低功耗、高性能、低成本的特点，提高了北斗射频模块的接收通道灵敏度，降低 了功耗，同时降低了模块硬件成本。附图说明图1是本技术的电路原理图。具体实施方式以下结合附图和具体实施方式对本技术作进一步详细地说明。如图1所示，本技术包括滤波器UD88，低噪声管子CFS0303，放大器HMC286，滤波器 CQ2492,电阻 R1、R2，电容 Cl、C2、C3、C4、C5。输入信号首先经过滤波器UD88，输出至场效应管CFS0303栅极G，信号经过场效应 管CFS0303放大，经过隔直电容C4进入单片放大器HMC286放大，最后经过滤波器CQ2492得 到输出信号。滤波器UD88与场效应管CFS0303的栅极G相连，且在滤波器UD88输出端与 CFS0303之间设有一段高阻抗微带线接地，为CFS0303自偏置提供直流回路，同时扼制射频 信号；电阻Rl与电容Cl、C2并联后一端接地，另一端与场效应管CFS0303的源极相连；电阻 R2与电容C3并联后一端接地，另一端与场效应管CFS0303的源极相连；场效应管CFS0303 的漏极与单片放大器HMC286的脚1相连，且在场效应管CFS0303与单片放大器HMC286之 间设有电容C4 ；在C4与单片放大器HMC286之间设有一段高阻抗开路线，作用抑制1615MHz 信号。电容C5—端连在电容C4与场效应管CFS0303之间，另一端接地；单片放大器HMC286 的脚2、脚5、脚6接地，脚3连有+3V电源，脚4与滤波器CQ2492相连。电阻R1、R2为源极偏置电阻，阻值为75欧姆，电容C1、C2、C3为偏置滤波电容，容值分别为 47Pf、0. 5Pf、47pF。低噪声放大器工作在2486. 75 2496. 75MHz波段。根据工作频率要求和成本要求，我们选择厚度为0. 5mm，介电常数2. 55的聚四氟乙烯双面覆铜板。表面做沉银处理。所 有接地过孔金属化。为了在输入端对上行信号有一定的抑制，输入端采用一只低损耗滤波 器UD88，该滤波器的插入损耗只有0.2dB。该滤波器对噪声系数影响很小。根据模块的增 益、噪声系数、动态范围、工作电流等技术要求分析决定放大电路采用两级器件。前级为一 款低噪声管子CFS0303，该管子是砷化镓低噪声场效应管。管子封装形式是S0T-343。选择 的直流工作点是Vds = 3V，Ids = 20mA。根据管子的特性曲线，选择偏置电路形式为自偏 压形式。该管子最小噪声系数0. 35dB，增益14. 5dB。后级放大器为MMIC放大器HMC286， 封装形式为S0T26。增益为17dB，噪声系数为1. 6dB，输出P_1Db为6dBm，工作电压为3V，电 流为10mA。输出再加一级滤波器，插入损耗为0.4dB。实验结果显示两只滤波器可以使得 带外抑制达到95dB左右。为了确保带外抑制的实现，在两级放大之间增加一段高阻抗开路 线。实测结果达到105dB以上。虽然本技术已以较佳实施例公开如上，但它们并不是用来限定本技术， 任何熟悉此技艺者，在不脱离本技术之精神和范围内，自当可作各种变化或润饰，因此 本技术的保护范围应当以本申请的权利要求保护范围所界定的为准。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种Ｓ波段高带外抑制低噪声放大器，其特征在于：包括滤波器ＵＤ８８，低噪声管子ＣＦＳ０３０３，放大器ＨＭＣ２８６，滤波器ＣＱ２４９２，电阻Ｒ１、Ｒ２，电容Ｃ１、Ｃ２、Ｃ３、Ｃ４、Ｃ５；滤波器ＵＤ８８与场效应管ＣＦＳ０３０３的栅极Ｇ相连，且在滤波器ＵＤ８８输出端与ＣＦＳ０３０３之间设有一段高阻抗微带线接地；电阻Ｒ１与电容Ｃ１、Ｃ２并联后一端接地，另一端与场效应管ＣＦＳ０３０３的源极相连；电阻Ｒ２与电容Ｃ３并联后一端接地，另一端与场效应管ＣＦＳ０３０３的源极相连；场效应管ＣＦＳ０３０３的漏极与单片放大器ＨＭＣ２８６的脚１相连，且在场效应管ＣＦＳ０３０３与单片放大器ＨＭＣ２８６之间设有电容Ｃ４；在电容Ｃ４与单片放大器ＨＭＣ２８６之间设有一段高阻抗开路线；电容Ｃ５一端连在电容Ｃ４与场效应管ＣＦＳ０３０３之间，另一端接地；单片放大器ＨＭＣ２８６的脚２、脚５、脚６接地，脚３连有＋３Ｖ电源，脚４与滤波器ＣＱ２４９２相连。

【技术特征摘要】
一种S波段高带外抑制低噪声放大器，其特征在于包括滤波器UD88，低噪声管子CFS0303，放大器HMC286，滤波器CQ2492，电阻R1、R2，电容C1、C2、C3、C4、C5；滤波器UD88与场效应管CFS0303的栅极G相连，且在滤波器UD88输出端与CFS0303之间设有一段高阻抗微带线接地；电阻R1与电容C1、C2并联后一端接地，另一端与场效应管CFS0303的源极相连；电阻R2与电容C3并联后一端接地，另一端与场效应管CFS0303的源极相连；场效应管CFS0303的漏极与单片放大器HM...

【专利技术属性】
技术研发人员：张冬，
申请(专利权)人：中国电子科技集团公司第十四研究所，
类型：实用新型
国别省市：84[中国|南京]