极端条件下测量材料或电子器件交流阻抗特性的方法及系统技术方案

本发明专利技术涉及一种极端条件下测量材料或电子器件交流阻抗特性的方法及系统。本方法操作步骤为：１．在具有极端条件的综合物性测量系统中安置样品；２．通过循环设置ＬＣＲ仪表测量参数实现扫描测量功能；３．利用ＬＣＲ仪表测量样品交流阻抗；４．消除误差。本系统是一个综合物性测量系统和一个ＬＣＲ仪表通过ＧＰＩＢ接口总线与一个微机终端相连。本发明专利技术能够在极低温和强磁场条件下测量样品或器件交流阻抗特性。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术新型涉及一种物理性能测试方法及系统，尤其涉及一种极端条件下测量 材料或电子器件交流阻抗特性的方法及系统。
技术介绍
在众多材料机理、特种电子器件研究中，通常需要测量样品或器件在极低温、 强磁场条件下的交流阻抗特性进而确定其材料性质或性能。一般的交流阻抗特性测量设 备，因其提供的温度和磁场精度不够以及变化范围过窄，不能满足现代材料和器件的基 础研究需求；而专业的测量设备价格昂贵且功能单一。美国 Quantum Design 公司的综合物性测量系统(Physics Property Measurement System, PPMS)提供了一个完美控制低温和强磁场平台，集成全自动的电学、磁学、热 学、光电、形貌等各种物性测量手段；目前，其已经成为实验数据可靠性的标志，被广 泛应用于物理、化学及材料科学的众多研究领域，遍布几乎所有世界一流相关实验室。 在“综合物性测量系统(PPMS)简易产品说明手册，美国Quantum Design公司”中报 道，PPMS本身具有绝大多数常规物性测量功能，但是其拓展功能选件中不具备交流阻 抗特性测量功能，如在不同交流频率下对样品的电感(L)、电容(C)、电阻(R)、阻抗 (Z)、电抗(X)、导纳(Y)、电导(G)、电纳(B)、损耗(D)、品质因素(Q)、相位角 (θ )等参数进行测量。
技术实现思路
本专利技术的目的是提供一种极端条件下测量材料或电子器件交流阻抗特性的方 法，能够在极低温和强磁场条件下测量样品或器件交流阻抗特性。本专利技术的又一目的是针对现有技术的缺陷，提供一种极端条件下测量材料或电 子器件交流阻抗特性的系统，能够在极低温和强磁场条件下测量样品或器件交流阻抗特 性。为实现本专利技术的目的，本专利技术采用下述技术方案—种极端条件下测量材料或电子器件交流阻抗特性的方法，其特征在于操作步 骤为a.综合物性测量系统为测试提供所需的极低温和强磁场条件，以及调节样品或 器件与磁场夹角方向；待测样品或器件用双面胶及夹具固定于样品托或旋转杆上，样品 托或旋转杆置于液氦杜瓦样品腔内；b.通过循环设置LCR仪表测量参数实现扫描测量功能。目前有些LCR仪表还 不具备扫描测量功能，或扫描的点数有限；数据采集分析系统通过GPffi命令循环修改交 流测量信号的频率、幅度和直流偏压参数，实现交流阻抗特性扫描测量功能；C.在样品温度和磁场值达到预设值后，利用LCR仪表测量样品或器件的交流阻抗特性；d.消除误差在不加样品情况下，分别测量LCR表与样品托间电缆开路和短路 时对应的各种交流频率阻抗；然后在加样品情况下，通过扣除掉这个背底阻抗来得到较 精确的结果。所述极端条件的极低温度温度范围为2-380K，强磁场范围为0-9T。一种极端条件下测量材料或电子器件的交流阻抗特性的系统，包括一个综合物 性测量系统(PPMS)、一个LCR表和一个微机终端，其特征在于所述综合物性测量系 统、LCR仪表通过GPIB接口总线与微机终端相连，该微机终端包含一个数据采集分析系 统。所述测量样品或器件交流阻抗特性的系统中，综合物性测量系统、LCR仪表通 过GPIB接口总线与微机终端相连，微机终端包含一个数据采集分析系统。通过综合物性 测量系统控制软件MultiVu对整个测量任务编写脚本程序。MultiVu通过GPIB总线将脚 本程序写入综合物性测量系统控件模块M6000内存，M6000控制液氦杜瓦样品腔的温度 和磁场和样品方位以及发送命令Advise Number控制交流阻抗特性测量。数据采集分析系统包括一个软件程序，所述程序用以采集包括温度和磁场在内 的样品测量环境参数，控制交流阻抗特性测量，并且能够实时显示各种数据和绘图，实 现数据存盘功能。具体而言，所述软件程序名称为LCR with PPMS，所述程序通过综合 物性测量系统SCPI (可编程仪器标准命令集)命令访问综合物性测量系统控制模块M6000 获取样品腔内温度和磁场等数据，并接受M6000发送的命令Advise Number,控制LCR 仪表测量交流阻抗特性。所述程序具备实时数据监视、绘图和存盘功能。本专利技术相比现有技术具有以下优点1.适用范围广，可以大范围变温和变磁场测量材料样品或电子器件交流阻抗特 性，可调节样品或器件与磁场夹角测量样品或器件各向异性。2.通过软件方法实现LCR表扫描测量功能，没有描扫点数限制，参数设置灵 活。3.使用操作方便，自动化程度高，可长时间运作。测量前设定好相应测量任务 脚本程序，测量时仅需同时运行数据采集软件和综合物性测量系统控制软件MultiVu即可。4.在成熟的平台上拓展新的功能，成本低，技术可靠。 附图说明图1本专利技术系统结构框图。图2测量电路连接图。图3数据采集分析系统界面图。图4LCR表测量流程图。图5MultiVu测量脚本程序示例图。具体实施例方式本专利技术优选实施例结合附图说明如下4实施例一参见图1和图2，本极端条件下测量材料交流阻抗特性的方法，操作 步骤为a.综合物性测量系统2为测试提供所需的极低温和强磁场条件，以及调节样品5 与磁场夹角方向；待测样品5用双面胶及夹具固定于样品托6或旋转杆上，样品托6或旋 转杆置于液氦杜瓦4样品腔内；b.通过循环设置LCR仪表3测量参数实现扫描测量功能；c.在样品5温度磁场值达到预设值后，利用LCR仪表3测量样品5交流阻抗；d.消除误差在不加载样品或器件情况下，分别测量LCR表3与样品托6间电 缆7开路和短路时对应的各种交流频率阻抗；然后在加载样品5情况下，通过扣除掉这个 背底阻抗来得到较精确的结果。所述极端条件的极低温度温度范围为2-380K，强磁场范围为0_9T。实施例二 如图1、图2和图4，本极端条件下测量材料交流阻抗特性的系统， 包括一个综合物性测量系统2、一个LCR仪表3和一个微机终端1，其特征在于所述综 合物性测量系统2和LCR仪表3通过GPIB接口总线与微机终端1相连，该微机终端1包 含一个数据采集分析系统。所述数据采集分析系统具有采集整个系统数据，包括样品5 的温度和磁场值及LCR仪表3测量结果以及时显示各项数值，数据绘图，完成数据存盘 功能。所述数据采集分析系统通过综合物性测量系统控制软件MultiVu设定测量脚本程 序，接收综合物性测量系统2发送的消息代码控制LCR表3测量。所述数据采集分析系 统通过循环设置LCR仪表3测量参数实现扫描测量功能。实施例三本实施例详述如下1.测量电路连接待测量样品用双面胶固定于样品托中间区域表面上，保持较 好热接触，在样品上利用银胶引出两根金属引线并分别焊接到样品托上的通道1的I-端 和通道3的I-端，金属引线应尽量短而直减少整个电路分布参数，如附图2所示。样品托 置于杜瓦样品托架上，杜瓦内部有导线连接样品托至专用插口，通过同轴电缆接至LCR表。2.设定测量脚本程序利用综合物性测量系统控制软件MultiVu编写测量脚本程 序，如附图5所示，第1行为扫描温度命令，从300Κ开始以1.5Κ/分钟的速度降温，并 且在300Κ至IOK间的291个等温度间隔点上执行人Scan到End Scan间的命令，在这里 即为发送命令AdviseNumber^l，执行LCR固定频率单点测量任务。第4行为发送命令 Advise Number 22, L本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种极端条件下测量材料或电子器件交流阻抗特性的方法，其特征在于操作步骤为：ａ．综合物性测量系统（２）为测试提供所需的极低温和强磁场条件，以及调节样品（５）或电子器件与磁场夹角方向；待测样品（５）或器件用双面胶及夹具固定于样品托（６）或旋转杆上，样品托（６）或旋转杆置于液氦杜瓦（４）样品腔内；ｂ．通过循环设置ＬＣＲ仪表（３）测量参数实现扫描测量功能；ｃ．在样品（５）或器件温度磁场值达到预设值后，利用ＬＣＲ仪表（３）测量样品（５）或器件交流阻抗；ｄ．消除误差：在不加载样品或器件情况下，分别测量ＬＣＲ表（３）与样品托（６）间电缆（７）开路和短路时对应的各种交流频率阻抗；然后在加载样品（５）或器件情况下，通过扣除掉这个背底阻抗来得到较精确的结果。

【技术特征摘要】
1.一种极端条件下测量材料或电子器件交流阻抗特性的方法，其特征在于操作步骤为a.综合物性测量系统(2)为测试提供所需的极低温和强磁场条件，以及调节样品(5) 或电子器件与磁场夹角方向；待测样品(5)或器件用双面胶及夹具固定于样品托(6)或旋 转杆上，样品托(6)或旋转杆置于液氦杜瓦(4)样品腔内；b.通过循环设置LCR仪表(3)测量参数实现扫描测量功能；C.在样品(5)或器件温度磁场值达到预设值后，利用LCR仪表(3)测量样品(5)或 器件交流阻抗；d.消除误差在不加载样品或器件情况下，分别测量LCR表(3)与样品托(6)间电 缆(7)开路和短路时对应的各种交流频率阻抗；然后在加载样品(5)或器件情况下，通过 扣除掉这个背底阻抗来得到较精确的结果。2.如权利1要求所述极端条件下测量材料或电子器件交流阻抗特性的方法，其特征在 于极端条件的极低温温度范围2-380K。3.如权利1要求所述极端条件下测量材料或电子器件交流阻抗特性的方法，其特征在 于极端条件的强磁...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈腊，周云，康保娟，李备战，张金仓，曹世勋，
申请(专利权)人：上海大学，
类型：发明
国别省市：31