功率ＭＯＳＦＥＴ功率因数校正器制造技术

一种整流变压技术领域的功率ＭＯＳＦＥＴ功率因数校正器，包括：滤波电路、整流电路和升压电路，其中：滤波电路负责吸收高频电流和获得正弦波电流波形，整流电路完成将交流电压转换为正弦半波电压，升压电路完成功率因数校正和提升输出直流电压。本实用新型专利技术利用ＭＯＳＦＥＴ损耗低的优点和并联二极管损耗低的优点降低损耗，提高效率。（*该技术在2020年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及的是一种整流变压
的装置，具体是一种功率MOSFET功 率因数校正器。
技术介绍
随着电力电子技术迅速发展，单相功率因数校正器技术发展得越来越成熟，在改 善网侧功率因数和抑制网侧谐波电流方面发挥了巨大的作用。传统的单相功率因数校正器 中，斩波开关采用IGBT晶体管，整流二极管采用反向快恢复二极管，另外采用二极管整流 桥，这样在较大功率输出时，IGBT晶体管、反向快恢复二极管、二极管整流桥开关损耗和通 态损耗很大，不仅降低了系统效率，而且也不利于散热处理。为此需要改进单相功率因数校 正器中功率开关的选型和整流桥的结构。经过对单相功率因数校正器技术的检索发现，杨喜军.单相AC-DC变换器及其在 家用变频空调中应用的研究.上海交通大学博士后出站报告，2004年，记载了一种单相有 源功率因数校正电路，其中采用了传统的电路拓扑和传统的开关配置，功率因数校正效果 良好。鉴于处于单相功率因数校正的初级发展阶段，没有特别考虑效率提高问题。进一步检索发现，杨兴华等.有源功率因数校正电路的分析与实现.电气应 用.2007年V26，No7 pp. 54-57.记载了一种较大输出功率的单相有源功率因数校正电路， 其中采用了传统的电路配置，为了提高效率，功率IGBT晶体管采用了部分开关斩波技术。上述技术由于开关IGBT晶体管速度低、通态压降高，斩波开关IGBT晶体管的开关 损耗与通态损耗较大。由于通态压降高，整流二极管的损耗较大。另外二极管整流桥中二 极管的通态压降较大，整流桥损耗较大。增加了损耗，降低了效率，影响了散热处理。
技术实现思路
本技术针对现有技术存在的上述不足，提供一种功率MOSFET功率因数校正 器，利用MOSFET损耗低的优点和并联二极管损耗低的优点降低损耗，提高效率。本技术是通过以下技术方案实现的，本技术包括滤波电路、整流电路和 升压电路，其中滤波电路的输入端和输出端分别与单相电源和整流电路相连接，升压电路 的输入端和输出端分别与整流电路和负载相连。所述的整流电路包括四个功率二极管、两个功率MOSFET和一个电阻，其中第一 功率二极管与第二功率二极管同向并联后分别与第一功率MOSFET的漏极以及滤波电路相 连，第三功率二极管与第四功率二极管同向并联后分别与第二功率MOSFET的漏极以及滤 波电路的另一端相连，第一功率MOSFET的源极与第二功率MOSFET的源极相连后分别与第 一电阻的另一端以及升压电路中第二电阻的一端相连。所述的滤波电路包括交流电容，该交流电容的一端分别与单相电源的火线、整流 电路中并联后的第一功率二极管与第二功率二极管的共阳极以及第一功率MOSFET的漏极 相连，交流电容的另一端分别与单相电源的零线、整流电路中并联后的第三功率二极管与第四功率二极管的共阳极以及第二功率MOSFET的漏极相连。所述升压电路包括升压电感、两个功率M0SFET、电解电容和电阻，其中第一 升压电感的一端分别与整流电路中第一功率二极管与第二功率二极管的阴极、第一功率 MOSFET的漏极和第一电阻的一端相连，第一升压电感的另一端分别与第三功率MOSFET漏 极以及第四功率MOSFET源极相连，第四功率MOSFET的漏极分别与第一电解电容的阳极以 及负载的一端相连，第三功率MOSFET源极分别与第二电阻的另一端、第一电解电容的阴极 以及负载的另一端相连后接地。本技术中的滤波电路负责滤除高频电流，获得正弦电流波形；整流电路负责 将单相正弦电压整流成为正弦半波电压；升压电路负责将正弦半波电压升压为高幅值、低 纹波的直流电压。本技术利用功率MOSFET代替IGBT晶体管和反向快恢复二极管和整 流器中2 二极管，形成低端半控的整流桥，所有功率MOSFET采用单电源驱动技术。具有功 率因数校正的全部功能，而且构思新颖、效率高等优点。附图说明图1为本技术结构示意图。具体实施方式下面对本技术的实施例作详细说明，本实施例在以本技术技术方案为前 提下进行实施，给出了详细的实施方式和具体的操作过程，但本技术的保护范围不限 于下述的实施例。如图1所示，本实施例包括滤波电路1、整流电路2和升压电路3，其中滤波电路 1前接单相电源，后接整流电路2，整流电路2后接升压电路，升压电路3后接负载，如电阻 或逆变器等。所述的滤波电路包括第一交流电容Cl，该交流电容Cl的一端与单相电源的火 线、整流电路2中并联后的第一功率二极管Dl与第二功率二极管D2的共阳极、第一功率 MOSFET Sl的漏极相连，其另一端与单相电源的零线、整流电路2中并联后的第三功率二极 管D3与第四功率二极管D4的共阳极、第二功率MOSFET S2的漏极相连。所述的整流电路包括第一功率二极管Dl 第四功率二极管D4、第一功率MOSFET 管Si、第二功率MOSFET管S2和第一电阻R1，其中第一功率二极管Dl与第二功率二极管 D2同向并联后与第一功率MOSFET Sl的漏极、滤波电路1中第一电容Cl的一端相连，第三 功率二极管D3与第四功率二极管D4同向并联后与第二功率MOSFET D2的漏极、滤波电路 1中第一电容Cl的另一端相连，第一功率MOSFET Sl的源极与第二功率MOSFET S2的源极 相连后与第一电阻Rl的另一端、升压电路2中第二电阻R2的一端相连。所述的升压电路包括升压电感Li、第三功率MOSFET S3、第四功率MOSFET S4、电 解电容El和第二电阻R2，其中第一升压电感Ll的一端与整流电路2中第一功率二极管 Dl与第二功率二极管D2的阴极、第一功率MOSFET Sl的漏极和第一电阻Rl的一端相连，其 另一端与第三功率MOSFET S3漏极、第四功率MOSFET S4源极相连。第四功率MOSFET S4 漏极与第一电解电容El的阳极、负载R3的一端相连。第三功率MOSFET S3源极与第二电 阻R2的另一端、第一电解电容El的阴极、负载R3的另一端相连后接地。本实施例中的单相交流输入电压为220VAC，输出直流电压365VDC。滤波电容Cl 为0. 47uF，交流275VAC。二极管Dl D2为一组共阴极或共阳极二极管，二极管Dl D2 为一组共阴极或共阳极二极管。功率MOSFET Sl S4内置二极管，50A/25°C/500V。电感 Ll为0. 75mH，25A。电解电容El为5x560uF，400V。电阻R2为0. 01 Ω，5W，用于检测电感电 流。电子Rl为68kQ，2W。功率MOSFET Si、S2与S3采用常规驱动电路，S4采用自举驱动 电路。本实施例利用功率MOSFET代替IGBT晶体管和反向快恢复二极管和整流器中2 二极管，并且将共阴极或共阳极的二极管并联使用，并联后与功率NOSFET串联形成一个桥 臂，所有功率MOSFET采用单电源驱动技术。MOSFET S1、S2、S3为一组常用驱动电路，MOSFET S4为另一组自举驱动电路。Sl电源负半周期连续导通10ms，S2电源正半周期连续导通 10ms，相比二极管整流时通态损耗与开关损耗较低。S3、S4的驱动信号互补，而且设置死区 时间。具有功率因数校正的全部功能，而且构思新颖、效率高等优点。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种功率ＭＯＳＦＥＴ功率因数校正器，包括：滤波电路、整流电路和升压电路，其特征在于：滤波电路的输入端和输出端分别与单相电源和整流电路相连接，升压电路的输入端和输出端分别与整流电路和负载相连。

【技术特征摘要】
一种功率MOSFET功率因数校正器，包括滤波电路、整流电路和升压电路，其特征在于滤波电路的输入端和输出端分别与单相电源和整流电路相连接，升压电路的输入端和输出端分别与整流电路和负载相连。2.根据权利要求1所述的功率MOSFET功率因数校正器，其特征是，所述的整流电路包 括四个功率二极管、两个功率MOSFET和一个电阻，其中第一功率二极管与第二功率二极 管同向并联后分别与第一功率MOSFET的漏极以及滤波电路相连，第三功率二极管与第四 功率二极管同向并联后分别与第二功率MOSFET的漏极以及滤波电路的另一端相连，第一 功率MOSFET的源极与第二功率MOSFET的源极相连后分别与第一电阻的另一端以及升压电 路中第二电阻的一端相连。3.根据权利要求2所述的功率MOSFET功率因数校正器，其特征是，所述的滤波电路包 括交流电容，该交流电容的一端分别与单...

【专利技术属性】
技术研发人员：杨喜军，田书欣，蒋婷，
申请(专利权)人：上海交通大学，
类型：实用新型
国别省市：31[中国|上海]